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公开(公告)号：WO2011105873A2
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/KR2011/001400
申请日：2011-02-28
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12
Abstract: 펄스 플라즈마의 DC 파워 인가에 따른 동기화 제어 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 펄스 플라즈마의 DC 파워 인가에 따른 동기화 제어 방법은 RF 펄스 파워의 온/오프 주기에 맞추어 DC 파워를 마이너스(-) 파워 주기 및 플러스(+) 파워 주기가 조절되도록 인가함으로써 각 공정에 적합한 플라즈마를 형성하여 공정 효율을 극대화할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种在施加脉冲等离子体的直流电力时控制同步的方法。 根据本发明的施加脉冲等离子体的直流电力时的控制同步的方法包括根据RF脉冲功率的接通/关断周期施加直流电力，使得负（ - ）功率周期和加（+）功率周期可以 从而产生适合于每个工艺的等离子体并实现最大化的工艺效率。
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公开(公告)号：KR101382607B1
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020120119378
申请日：2012-10-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01L21/67069
Abstract: Disclosed is etching equipment for a nanodevice. The etching equipment for a nanodevice comprises a main body part which includes an etching object material and etches the etching object material by using plasma which is generated by a pulse signal applied to a multi-electrode; a source power which applies each pulse signal with a different frequency to each multi-electrode; a bias power which applies the pulse signal to the etching object material; and a main control part which controls a clock signal applied to the bias power and the source power, and synchronizes the pulse signal applied to each multi-electrode with the pulse signal applied to a nanodevice substrate. [Reference numerals] (114) Gas; (120) Source power; (130) Bias power; (140) Main control part; (AA) Plasma
Abstract translation: 公开了一种纳米器件的蚀刻设备。 用于纳米器件的蚀刻设备包括：主体部分，其包括蚀刻对象材料，并且通过使用由施加到多电极的脉冲信号产生的等离子体蚀刻蚀刻对象材料; 源功率，其将每个具有不同频率的脉冲信号施加到每个多电极; 将脉冲信号施加到蚀刻对象材料的偏置功率; 以及主控制部分，其控制施加到偏置功率和源功率的时钟信号，并且将施加到每个多电极的脉冲信号与施加到纳米装置基板的脉冲信号同步。 （114）气体; （120）源功率; （130）偏压; （140）主控部分; （AA）等离子体
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公开(公告)号：KR101214758B1
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：KR1020100017680
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12
Abstract: 본발명은식각방법에관한것이다. 본발명에의하면, RF 파워를온 주기및 오프주기를반복하고, 기재(substrate)에상기온 주기및 오프주기에대응하여각각마이너스파워주기및 플러스파워주기를반복하여상기기재상의피식각물을식각하는식각방법이제공된다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 根据本发明，提供了一种蚀刻方法，用于重复RF功率的接通周期和断开周期，并且重复负载功率周期和正功率周期， 它现在可用。
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公开(公告)号：KR1020140053472A
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020120119405
申请日：2012-10-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32541 , H01J37/32715 , H05H1/46 , H05H2001/4645
Abstract: Disclosed is a plasma generator. The plasma generator includes a main body for generating plasma through a pulse signal applied to a multi-electrode; a source power for applying pulse signals having mutually different frequencies to the multi-electrode; and a main control unit for adjusting a clock signal applied to the source power to synchronize the pulse signals applied to the multi-electrode so that the main control unit controls properties of the plasma by controlling the pulse signals to the source power.
Abstract translation: 公开了一种等离子体发生器。 等离子体发生器包括通过施加到多电极的脉冲信号产生等离子体的主体; 用于将具有相互不同频率的脉冲信号施加到所述多电极的源极功率; 以及主控制单元，用于调节施加到源功率的时钟信号，以使施加到多电极的脉冲信号同步，使得主控制单元通过将脉冲信号控制为源功率来控制等离子体的属性。
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公开(公告)号：KR1020130099450A
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020120020971
申请日：2012-02-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G11C11/15 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/161 , H01L21/67069 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A magnetic random access memory (MRAM) etching method etches an MRAM by combining multiple processes, thereby preventing redeposition. CONSTITUTION: An MRAM is made up of a magnetic tunnel resistance junction layer (20), a pinned layer (30), and a hard mask (40). The combination of etching gas is selected to generate volatile etch byproducts while etching the MRAM. A heating etching process is performed by heating a substrate of the MRAM. An etching process is performed by applying a pulse bias to the MRAM. The etching gas is one out of CO/NH3, CO/NO, CO2/H2, CH4/Ar, CxHy/H2/O2, and CH3OH.
Abstract translation: 目的：磁性随机存取存储器（MRAM）蚀刻方法通过组合多个工艺来蚀刻MRAM，从而防止再沉积。 构成：MRAM由磁隧道电阻结层（20），钉扎层（30）和硬掩模（40）组成。 选择蚀刻气体的组合以在蚀刻MRAM时产生挥发性蚀刻副产物。 通过加热MRAM的基板来进行加热蚀刻工艺。 通过向MRAM施加脉冲偏压来执行蚀刻处理。 蚀刻气体是CO / NH3，CO / NO，CO2 / H2，CH4 / Ar，CxHy / H2 / O2和CH3OH中的一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130027935A
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020110091469
申请日：2011-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32128 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a property of pulse plasma by using RF(Radio Frequency) pulse power of a plurality of frequencies is provided to change the pulsing, a period, and a duty ratio of at least applied two RF power, thereby controlling a property of pulse plasma. CONSTITUTION: A plasma generator including a gas inlet, a source electrode unit, and a bias electrode unit is provided. At least two RF power is applied to the source electrode unit. At least one RF power, which is not pulsed, is applied to the bias electrode unit. Pulse plasma is formed by using reactive gas which is injected to the gas inlet.
Abstract translation: 目的：提供通过使用多个频率的RF（射频）脉冲功率来控制脉冲等离子体的性质的方法，以改变至少应用两个RF功率的脉冲，周期和占空比，从而控制 脉冲等离子体的性质。 构成：提供包括气体入口，源电极单元和偏置电极单元的等离子体发生器。 至少两个RF功率被施加到源电极单元。 将至少一个不是脉冲的RF功率施加到偏置电极单元。 通过使用注入气体入口的反应性气体形成脉冲等离子体。
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公开(公告)号：KR1020150116982A
公开(公告)日：2015-10-19
申请号：KR1020140041941
申请日：2014-04-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L43/08 , G11C11/15
CPC classification number: G11C11/161 , H01L21/02057 , G11C11/16 , H01L27/222 , H01L43/08
Abstract: MRAM 물질의손상을최소화하면서제거할수 있는 MRAM 물질식각부산물제거방법이개시된다. 본발명에따른 MRAM 물질식각부산물제거방법은반응챔버내부에흡착가스를주입하여재증착층에흡착시키는제1 단계, 상기흡착가스중 상기재증착층에흡착되지않고남은가스를상기반응챔버외부로배출하는제2 단계, 상기흡착가스가흡착된재증착층에반응성이온빔을조사하여상기재증착층을탈착시키는제3 단계및 탈착된혼합물을상기반응챔버외부로배출하는제4 단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于去除蚀刻磁性随机存取存储器（MRAM）材料的副产物的方法，其可以通过最小化对MRAM材料的损坏来去除MRAM材料。 根据本发明的用于除去MRAM材料蚀刻副产物的方法包括：将吸附气体注入反应室内部并将其吸附到再沉积层上的第一步骤; 将未吸附到再沉积层上的剩余气体从吸附气体排出到反应室外部的第二步骤; 将反应性离子束照射到已经吸附有吸附气体的再沉积层的第三步骤，并且分离再沉积层; 以及将分离的混合物排出到反应室外部的第四步骤。
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公开(公告)号：KR101529821B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020140041935
申请日：2014-04-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , G11C11/15 , H01L43/08
CPC classification number: G11C11/16 , H01L21/32136
Abstract: 반응성이온빔펄스를이용하는 MRAM 물질식각방법이개시된다. 본발명에따른 MRAM 물질식각방법은, 플라즈마를발생시키는상부챔버, 상기상부챔버하부에구비되며제1 내지제3 그리드를포함하는그리드부및 상기그리드부하부에구비되며기판이놓여지는하부챔버를포함하는식각장치를이용하며, 상기상부챔버에서발생된플라즈마에포함된반응성가스를 MRAM 기판표면에흡착시키는흡착단계및 상기반응성가스가흡착된피식각층과제1 서브층과의결합에너지보다크고상기제1 서브층과제2 서브층과의결합에너지보다작은에너지를갖도록가속된반응성이온빔을상기피식각층표면에조사하여상기피식각층을탈착시키는탈착단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了使用反应离子束脉冲来蚀刻MRAM材料的方法。 根据本发明的用于蚀刻MRAM材料的方法包括通过使用包括用于产生等离子体的上室的蚀刻装置将包括在上室中产生的等离子体的反应气体吸附到MRAM基板的表面的吸附步骤， 包括的栅格部分形成在上部室的下部，并且包括第一至第三栅极，以及形成在栅格部分的下部并允许衬底放置的下室，并且分离 通过将加速的反应离子束照射到目标蚀刻层的表面来分离目标蚀刻层的步骤，以获得比第一子层和被反应性气体吸附的目标蚀刻层的组合能量高的能量，并且更低 比第一子层和第二子层的组合能量。
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公开(公告)号：KR101364364B1
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：KR1020100017864
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 저온에서 반도체막의 증착이 이루어져, 결정질 및 비정질이 혼재된 반도체막을 형성할 수 있는 반도체 기판 및 이의 제조 방법을 제공한다.
따라서, 전기적 특성이 우수한 결정질 비정질이 혼재된 반도체막을 형성하는 것이 가능하다.-
公开(公告)号：KR101328800B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020110091469
申请日：2011-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 다중 주파수의 펄스 파워를 이용한 펄스 플라즈마의 특성 제어 방법이 개시된다. 플라즈마 발생 장치의 소스 전극부 및/또는 바이어스 전극부에 다중 주파수의 RF 펄스 파워를 인가하여 펄스 플라즈마를 형성하며, 인가되는 2 이상의 RF 파워의 펄싱 여부, 주기 및 듀티비(duty ratio)를 변화시켜 펄스의 주기 및 듀티비(duty ratio)를 조절함으로써 각 공정에 적합하도록 펄스 플라즈마의 특성을 제어할 수 있다.
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