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公开(公告)号：KR101817210B1
公开(公告)日：2018-01-15
申请号：KR1020160097949
申请日：2016-08-01
Applicant: 세메스 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/3211 , H01J37/32917 , H01L21/3065 , H01L21/32136 , H05H1/46
Abstract: 본발명은플라즈마를균일하게생성하고제어하기위한플라즈마발생장치, 그를포함하는기판처리장치, 및그 제어방법을제공한다. 본발명의일 실시예에따라챔버내부에제공되는기판상에플라즈마공정을수행하기위해플라즈마를발생시키는플라즈마발생장치는, 고주파전력을제공하는고주파전원; 및상기고주파전원으로부터고주파전력을공급받아상기챔버내부에공급되는가스를플라즈마상태로여기시키는플라즈마소스를포함하며, 상기플라즈마소스는복수의안테나를포함하며, 상기안테나들사이에는적어도하나의가변소자가연결될수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种用于均匀地产生和控制等离子体的等离子体产生装置，包括该等离子体的基板处理装置以及控制方法。 根据本发明的实施例，提供了一种等离子体产生设备，用于产生等离子体以对设置在腔室中的衬底执行等离子体处理，等离子体产生设备包括：用于提供高频功率的高频电源; 以及等离子体源，其从所述高频电源接收高频电力并且将供应到所述室中的气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体源包括多个天线， 可以连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170048183A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020160136383
申请日：2016-10-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 본발명은고가의장비를사용하지않고, 상온에서대기압하에서기판표면의성질을개질하여특정한영역에패터닝이가능한패터닝방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种图案化方法，其能够通过在室温下在大气压力下改变基板表面的性质而不使用昂贵的设备来图案化特定区域。
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公开(公告)号：KR1020150116982A
公开(公告)日：2015-10-19
申请号：KR1020140041941
申请日：2014-04-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L43/08 , G11C11/15
CPC classification number: G11C11/161 , H01L21/02057 , G11C11/16 , H01L27/222 , H01L43/08
Abstract: MRAM 물질의손상을최소화하면서제거할수 있는 MRAM 물질식각부산물제거방법이개시된다. 본발명에따른 MRAM 물질식각부산물제거방법은반응챔버내부에흡착가스를주입하여재증착층에흡착시키는제1 단계, 상기흡착가스중 상기재증착층에흡착되지않고남은가스를상기반응챔버외부로배출하는제2 단계, 상기흡착가스가흡착된재증착층에반응성이온빔을조사하여상기재증착층을탈착시키는제3 단계및 탈착된혼합물을상기반응챔버외부로배출하는제4 단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于去除蚀刻磁性随机存取存储器（MRAM）材料的副产物的方法，其可以通过最小化对MRAM材料的损坏来去除MRAM材料。 根据本发明的用于除去MRAM材料蚀刻副产物的方法包括：将吸附气体注入反应室内部并将其吸附到再沉积层上的第一步骤; 将未吸附到再沉积层上的剩余气体从吸附气体排出到反应室外部的第二步骤; 将反应性离子束照射到已经吸附有吸附气体的再沉积层的第三步骤，并且分离再沉积层; 以及将分离的混合物排出到反应室外部的第四步骤。
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公开(公告)号：KR101529821B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020140041935
申请日：2014-04-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , G11C11/15 , H01L43/08
CPC classification number: G11C11/16 , H01L21/32136
Abstract: 반응성이온빔펄스를이용하는 MRAM 물질식각방법이개시된다. 본발명에따른 MRAM 물질식각방법은, 플라즈마를발생시키는상부챔버, 상기상부챔버하부에구비되며제1 내지제3 그리드를포함하는그리드부및 상기그리드부하부에구비되며기판이놓여지는하부챔버를포함하는식각장치를이용하며, 상기상부챔버에서발생된플라즈마에포함된반응성가스를 MRAM 기판표면에흡착시키는흡착단계및 상기반응성가스가흡착된피식각층과제1 서브층과의결합에너지보다크고상기제1 서브층과제2 서브층과의결합에너지보다작은에너지를갖도록가속된반응성이온빔을상기피식각층표면에조사하여상기피식각층을탈착시키는탈착단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了使用反应离子束脉冲来蚀刻MRAM材料的方法。 根据本发明的用于蚀刻MRAM材料的方法包括通过使用包括用于产生等离子体的上室的蚀刻装置将包括在上室中产生的等离子体的反应气体吸附到MRAM基板的表面的吸附步骤， 包括的栅格部分形成在上部室的下部，并且包括第一至第三栅极，以及形成在栅格部分的下部并允许衬底放置的下室，并且分离 通过将加速的反应离子束照射到目标蚀刻层的表面来分离目标蚀刻层的步骤，以获得比第一子层和被反应性气体吸附的目标蚀刻层的组合能量高的能量，并且更低 比第一子层和第二子层的组合能量。
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