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    원자층 식각 장비를 이용한 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법
    2.
    发明公开
    원자층 식각 장비를 이용한 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법 无效
    使用原子层蚀刻设备去除MRAM材料副产品的方法

    公开(公告)号：KR1020150116982A

    公开(公告)日：2015-10-19

    申请号：KR1020140041941

    申请日：2014-04-08

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 양경채 ,  염근영 ,  박성우 ,  전민환

    IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

    CPC classification number: G11C11/161 ,  H01L21/02057 ,  G11C11/16 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

    Abstract: MRAM 물질의손상을최소화하면서제거할수 있는 MRAM 물질식각부산물제거방법이개시된다. 본발명에따른 MRAM 물질식각부산물제거방법은반응챔버내부에흡착가스를주입하여재증착층에흡착시키는제1 단계, 상기흡착가스중 상기재증착층에흡착되지않고남은가스를상기반응챔버외부로배출하는제2 단계, 상기흡착가스가흡착된재증착층에반응성이온빔을조사하여상기재증착층을탈착시키는제3 단계및 탈착된혼합물을상기반응챔버외부로배출하는제4 단계를포함할수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种用于去除蚀刻磁性随机存取存储器（MRAM）材料的副产物的方法，其可以通过最小化对MRAM材料的损坏来去除MRAM材料。 根据本发明的用于除去MRAM材料蚀刻副产物的方法包括：将吸附气体注入反应室内部并将其吸附到再沉积层上的第一步骤; 将未吸附到再沉积层上的剩余气体从吸附气体排出到反应室外部的第二步骤; 将反应性离子束照射到已经吸附有吸附气体的再沉积层的第三步骤，并且分离再沉积层; 以及将分离的混合物排出到反应室外部的第四步骤。

    플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법
    3.
    发明授权
    플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법 有权
    等离子体产生装置，包括其的基板处理装置及其控制方法

    公开(公告)号：KR101817210B1

    公开(公告)日：2018-01-15

    申请号：KR1020160097949

    申请日：2016-08-01

    Applicant: 세메스 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 미쉬라 ,  이승배 ,  하창승 ,  염근영 ,  양경채 ,  박성우 ,  신태호

    IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213

    CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32917 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H05H1/46

    Abstract: 본발명은플라즈마를균일하게생성하고제어하기위한플라즈마발생장치, 그를포함하는기판처리장치, 및그 제어방법을제공한다. 본발명의일 실시예에따라챔버내부에제공되는기판상에플라즈마공정을수행하기위해플라즈마를발생시키는플라즈마발생장치는, 고주파전력을제공하는고주파전원; 및상기고주파전원으로부터고주파전력을공급받아상기챔버내부에공급되는가스를플라즈마상태로여기시키는플라즈마소스를포함하며, 상기플라즈마소스는복수의안테나를포함하며, 상기안테나들사이에는적어도하나의가변소자가연결될수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种用于均匀地产生和控制等离子体的等离子体产生装置，包括该等离子体的基板处理装置以及控制方法。 根据本发明的实施例，提供了一种等离子体产生设备，用于产生等离子体以对设置在腔室中的衬底执行等离子体处理，等离子体产生设备包括：用于提供高频功率的高频电源; 以及等离子体源，其从所述高频电源接收高频电力并且将供应到所述室中的气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体源包括多个天线， 可以连接。

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