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公开(公告)号：WO2019017693A1
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：PCT/KR2018/008127
申请日：2018-07-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C30B29/36 , C30B29/06 , C30B29/68 , C30B33/02 , C01B32/184 , C01B32/194
Abstract: 유전체를 형성하는 단계; 및 상기 유전체 상에 기상 탄소 공급원을 투입하면서 열처리하여 그래핀을 생성하는 단계;를 포함하는 그래핀의 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR102207923B1
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：KR1020140010888
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/02
Abstract: 에피텍셜성장된다수의그래핀층으로이루어진다층그래핀구조체의형성방방법이개시된다. 개시된다층그래핀구조체의형성방법은, 성장용기판을준비하는단계와, 상기성장용기판상에희생층을형성하는단계와, 화학기상증착법에의해상기희생층상에그래핀을성장시키는단계와, 상기희생층의적어도일부가제거되고상기그래핀상에다른그래핀을성장시킴으로써상기성장용기판상에다수의그래핀층을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150089840A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140010888
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/02
CPC classification number: H01L21/02527 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , C01B32/188
Abstract: 에피텍셜성장된다수의그래핀층으로이루어진다층그래핀구조체의형성방방법이개시된다. 개시된다층그래핀구조체의형성방법은, 성장용기판을준비하는단계와, 상기성장용기판상에희생층을형성하는단계와, 화학기상증착법에의해상기희생층상에그래핀을성장시키는단계와, 상기희생층의적어도일부가제거되고상기그래핀상에다른그래핀을성장시킴으로써상기성장용기판상에다수의그래핀층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用多层石墨烯层形成的具有外延生长的多层石墨烯结构的方法。 形成多层石墨烯结构的方法包括以下步骤：制备用于生长的板; 在成长板上形成牺牲层; 通过化学气相沉积法在牺牲层上生长石墨烯; 以及通过在前述步骤中生长的石墨烯上生长其它石墨烯，通过消除牺牲层的至少一部分，在生长板上形成多个石墨烯层。
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公开(公告)号：KR1020160099385A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020150021777
申请日：2015-02-12
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C01B21/064 , C23C16/02 , C23C16/0209 , C23C16/0254 , C23C16/342 , C23C16/45525
Abstract: 이음매없는육방정계질화붕소(h-BN) 원자모노층박막및 그제조방법이개시된다. 개시된 h-BN 원자모노층박막은복수의 h-BN 그레인들이이음매없이병합되어단결정과유사하게작용한다. 각 h-BN 그레인은대략 10~1000㎛크기를가진다. 상기 h-BN 원자모노층박막은대략 1~30 cm 크기로형성될수 있다.
Abstract translation: 公开了无缝六方氮化硼（h-BN）原子单层薄膜及其制造方法。 所公开的h-BN原子单层薄膜具有无缝合并的多个h-BN晶粒的假单晶结构。 每个h-BN颗粒的尺寸在约10μm至约1000μm的范围内。 h-BN原子单层薄膜可以形成为1至30cm的尺寸。
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公开(公告)号：KR1020150130256A
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020150153256
申请日：2015-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/267 , H01L29/16 , H01L21/02 , H01L29/778
Abstract: 육방정계질화붕소시트(h-BN) 및그래핀시트의이종적층구조체, 이를채용한전기소자, 및이의제조방법이개시된다. 상기이종적층구조체는, 금속기판상에기상법으로대면적의 h-BN 시트를성장시킨후 순차적으로그래핀시트를기상법으로형성함으로써, 그래핀시트와 h-BN 시트사이에불순물이거의남아있지않는고품질의계면상태를가질수 있다. 이러한고품질의계면상태및 대면적을갖는 h-BN 및그래핀의이종적층구조체는 FET를포함하는다양한전기소자에활용할수 있다.
Abstract translation: 公开了石墨烯片和h-BN片的异质堆叠结构，采用其的电子装置及其制造方法。 通过在金属上形成大面积的h-BN片材之后，通过气相沉积法连续地形成石墨烯片，通过除去石墨烯片和h-BN片之间的杂质，具有高质量的界面状态 基板采用气相沉积法。 在包括FET的各种电气设备中使用具有大面积的石墨烯和h-BN的高质量的界面状态的异质堆叠结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102222262B1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR1020130137885
申请日：2013-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L43/08 , H01L27/105
Abstract: 자기저항구조체및 그제조방법, 이를구비하는전자소자가개시된다. 개시된자기저항구조체제조방법은, 육방정계질화붕소층을형성하는단계와, 질화붕소층상에그래핀층을형성하는단계와, 인터칼레이션공정에의해질화붕소층과그래핀층사이에제1자성물질층을형성하는단계와, 그래핀층상에제2자성물질층을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101961694B1
公开(公告)日：2019-03-25
申请号：KR1020170092874
申请日：2017-07-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C30B29/36 , C01B32/184 , C01B32/194
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公开(公告)号：KR101923772B1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：KR1020160131502
申请日：2016-10-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명의 2차원나노박막을전사시키는방법에있어서, 방법은모기재상에 2차원나노박막을형성하는단계; 2차원나노박막상에금속박막을형성하는단계; 금속박막상에지지체층을형성하는단계; 2차원나노박막, 금속박막및 지지체층이순차적으로적층된모기재를물에침지시켜, 모기재로부터 2차원나노박막을박리시키는단계; 2차원나노박막, 금속박막및 지지체층이순차적으로적층된구조에서 2차원나노박막이새로운기판과접촉하도록새로운기판상에부착시키는단계; 및지지체층및 금속박막을제거하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140114199A
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020130028757
申请日：2013-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L29/267 , H01L29/778 , H01L29/7781
Abstract: Disclosed is a heterogeneous layered structure of a hexagonal boron nitride sheet (h-BN) and a graphene sheet, an electric device using the same, and a fabricating method thereof. The heterogeneous layered structure has a high quality interface state having few impurities between the h-BN sheet and the graphene sheet, by successively forming the graphene sheet with a vapor deposition method after a large-area h-BN sheet is grown on a metal substrate with a vapor deposition method. The heterogeneous layered structure of the h-BN and the graphene which has a high quality interface condition and a large area can be used for various electronic devices including a FET.
Abstract translation: 公开了六方氮化硼片（h-BN）和石墨烯片的异质层状结构，使用其的电子装置及其制造方法。 通过在大面积h-BN片材在金属基板上生长后，通过依次形成石墨烯片材，通过依次形成石墨烯片，异质层状结构具有h-BN片和石墨烯片之间杂质少的高质量界面状态 用气相沉积法。 具有高质量界面条件和大面积的h-BN和石墨烯的异质分层结构可用于包括FET的各种电子器件。
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公开(公告)号：KR1020150055688A
公开(公告)日：2015-05-22
申请号：KR1020130137885
申请日：2013-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L43/08 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/161 , G11C2213/35 , H01L27/22 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/30
Abstract: 자기저항구조체및 그제조방법, 이를구비하는전자소자가개시된다. 개시된자기저항구조체제조방법은, 육방정계질화붕소층을형성하는단계와, 질화붕소층상에그래핀층을형성하는단계와, 인터칼레이션공정에의해질화붕소층과그래핀층사이에제1자성물질층을형성하는단계와, 그래핀층상에제2자성물질층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种磁阻结构及其制造方法以及包括该磁阻结构的电子装置。 所公开的制造磁阻结构的方法包括以下步骤：形成六方氮化硼层; 在氮化硼层上形成石墨烯层; 通过插层法在石墨烯层和氮化硼层之间形成第一磁性材料层; 以及在所述石墨烯层上形成第二磁性材料层。
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