公开(公告)号：KR101006562B1

公开(公告)日：2011-01-07

申请号：KR1020080061903

申请日：2008-06-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 임근배 ,  강태희 ,  강지민 ,  정진화

IPC: C12M1/24 ,  C12M1/00 ,  C07K1/14

CPC classification number: C12N15/1017 ,  C12N15/1006

Abstract: 본 발명은 핵산 추출 방법에 관한 것으로서, 관 형상 튜브 내에 하이드로겔 컬럼을 형성하는 하이드로겔 컬럼 제작 단계와, 세포를 파괴하여 세포 용해물을 얻는 세포 용해물 제작 단계와, 핵산을 하이드로겔 컬럼을 통과하여 배출시키는 핵산 필터링 단계, 및 하이드로겔 컬럼을 통과한 핵산을 외부로 추출하는 핵산 추출 단계를 포함할 수 있다.
핵산, 단백질, 원심분리, 하이드로겔, 아가로스겔

公开(公告)号：KR101377170B1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：KR1020130015577

申请日：2013-02-13

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이경재 ,  임규욱 ,  강태희 ,  정석민 ,  양미현

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527

Abstract: The present invention relates to a method of removing a silicon oxide layer and a laminated structure. According to the present invention, the method of removing a silicon oxide layer includes a step of forming a silicon layer; a step of forming a metal layer after a silicon oxide layer on the silicon layer; a step of forming a carbon layer on the metal layer; a step of removing at least one part of the silicon oxide layer by combining the carbon of the carbon layer with the oxide of the silicon oxide layer by heating the carbon layer, the metal layer, and the silicon oxide layer.

Abstract translation: 本发明涉及去除氧化硅层和叠层结构的方法。 根据本发明，除去硅氧化物层的方法包括形成硅层的步骤; 在硅层上形成氧化硅层之后的金属层的工序; 在所述金属层上形成碳层的步骤; 通过加热碳层，金属层和氧化硅层，通过将碳层的碳与氧化硅层的氧化物组合来除去至少一部分氧化硅层的步骤。

公开(公告)号：KR101400723B1

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：KR1020130021855

申请日：2013-02-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임규욱 ,  임종태 ,  이경재 ,  정석민 ,  강태희 ,  박진우 ,  오종식 ,  김성희 ,  양미현

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  B29C59/02

CPC classification number: C01B32/20 ,  B29C59/02 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0037 ,  H01L21/0273

Abstract: The present invention relates to a method for patterning graphene, and more specifically, to a method for patterning graphene comprising the steps of forming an oxide layer on a substrate; forming metal patterns on the oxide layer; transferring graphene onto the oxide layer and the metal patterns; and forming graphene patterns by removing graphene from the metal patterns by applying heat to the graphene and vaporizing the graphene.

Abstract translation: 本发明涉及图案化石墨烯的方法，更具体地说，涉及石墨烯图案的方法，包括在基底上形成氧化物层的步骤; 在氧化物层上形成金属图案; 将石墨烯转移到氧化物层和金属图案上; 以及通过向石墨烯施加热并使石墨烯汽化而从金属图案中除去石墨烯来形成石墨烯图案。

公开(公告)号：KR1020100001827A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020080061903

申请日：2008-06-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 임근배 ,  강태희 ,  강지민 ,  정진화

IPC: C12M1/24 ,  C12M1/00 ,  C07K1/14

CPC classification number: C12N15/1017 ,  C12N15/1006 ,  C12M33/04 ,  C12M23/06

Abstract: PURPOSE: A method for isolating nucleic acid is provided to improve nucleic acid yield and reduce damage to the nucleic acid. CONSTITUTION: A method for isolating nucleic acid comprises: a step of making hydrogel column in a tube; a step of crushing cell to obtain cell lysate; a step of passing cell lysate through hydrogel column; and a step of isolating nucleic acid. The hydrogel column is agarose gel containing 1-2% of agarose. The method further comprises a step of adding lysis buffer and proteinase K.

Abstract translation: 目的：提供分离核酸的方法以改善核酸产量并减少对核酸的损伤。 构成：分离核酸的方法包括：在管中制备水凝胶柱的步骤; 破碎细胞以获得细胞裂解物的步骤; 将细胞裂解物通过水凝胶柱的步骤; 和分离核酸的步骤。 水凝胶柱是含有1-2％琼脂糖的琼脂糖凝胶。 该方法还包括加入裂解缓冲液和蛋白酶K.

公开(公告)号：KR1020170140659A

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：KR1020160073251

申请日：2016-06-13

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 임규욱 ,  강태희 ,  김용진 ,  이문호 ,  손준우 ,  이한구 ,  양미현

IPC: G01N23/227 ,  H01L31/08

Abstract: 본발명은전자소재분석을위한무전극전하주입방법및 이를이용한전자소재분석방법에관한것으로, 한쪽금속전극을생략하고외부전자또는빛을시료표면에조사하여전하를주입시키고, 시료내부에전압을인가하고, 전자또는빛의조사에의해발생된전류및 인가전압을이용해상전이를유도하여상전이를측정하여전자소재를분석함으로써금속전극생략및 비파괴분광및 산란실험을가능하게하고, 기존에상전이소재의 I-V 특성을분석하기위해서는패터닝공정을포함하는금속전극형성과정이반드시필요하였으나본 발명의방법을이용하면소재가박막형태에서바로 I-V특성을확인해볼 수있어서금속전극형성을위한공정비용과관련노력을획기적으로줄일수 있으며, 전자또는전공에의한전류를제어할수 있어서전하수송자의종류에따른전류및 관련현상을탐구할수 있는기회를제공할뿐만아니라금속전극을이용한 I-V특성분석에서금속/소재계면의불완전성에기인한불필요한부가효과(계면효과)를배제할수 있는각별한장점이있는유용한발명이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种无电极的电荷注入方法及电子材料分析方法，使用相同的用于电子材料的分析，并跳过一个金属电极，和注入电荷通过照射外部电子或光到样品表面上，一个电压施加到所述内部采样 的应用，并且通过测量的相变来导出与所述电流和引起的电子或光的照射的电压施加用的相转变分析所述电子元件材料，并且使金属电极被省略并且非破坏性光谱和散射实验中，相位变化到现有材料 为了使用本发明为包括所需图案化工艺的金属电极形成处理的方法，如果该材料是该方法的成本和相关的努力，金属电极的形成方法可以以薄膜形式检查右IV特性来分析IV特性 它可以通过电子或电场急剧减小和控制电流，因此可以根据载流子的种类探测电流和相关现象 它提供了具有能够排除由于使用金属电极的I-V特性分析金属/材料界面的缺陷的不想要的副作用（表面效应），以及特定的优点的有用的发明。