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    실리콘 산화물층의 제거방법과 적층체
    3.
    发明授权
    실리콘 산화물층의 제거방법과 적층체 有权
    去除氧化硅层和层压结构的方法

    公开(公告)号：KR101377170B1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：KR1020130015577

    申请日：2013-02-13

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 이경재 ,  임규욱 ,  강태희 ,  정석민 ,  양미현

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527

    Abstract: The present invention relates to a method of removing a silicon oxide layer and a laminated structure. According to the present invention, the method of removing a silicon oxide layer includes a step of forming a silicon layer; a step of forming a metal layer after a silicon oxide layer on the silicon layer; a step of forming a carbon layer on the metal layer; a step of removing at least one part of the silicon oxide layer by combining the carbon of the carbon layer with the oxide of the silicon oxide layer by heating the carbon layer, the metal layer, and the silicon oxide layer.

    Abstract translation: 本发明涉及去除氧化硅层和叠层结构的方法。 根据本发明，除去硅氧化物层的方法包括形成硅层的步骤; 在硅层上形成氧化硅层之后的金属层的工序; 在所述金属层上形成碳层的步骤; 通过加热碳层，金属层和氧化硅层，通过将碳层的碳与氧化硅层的氧化物组合来除去至少一部分氧化硅层的步骤。

    전자 소재 분석을 위한 단일 전극 전하 주입방법 및 이를 이용한 전자 소재 분석방법
    4.
    发明公开
    전자 소재 분석을 위한 단일 전극 전하 주입방법 및 이를 이용한 전자 소재 분석방법 审中-实审
    用于电子材料分析的单电极电荷注入方法和使用其的电子材料分析方法

    公开(公告)号：KR1020170140659A

    公开(公告)日：2017-12-21

    申请号：KR1020160073251

    申请日：2016-06-13

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 임규욱 ,  강태희 ,  김용진 ,  이문호 ,  손준우 ,  이한구 ,  양미현

    IPC: G01N23/227 ,  H01L31/08

    Abstract: 본발명은전자소재분석을위한무전극전하주입방법및 이를이용한전자소재분석방법에관한것으로, 한쪽금속전극을생략하고외부전자또는빛을시료표면에조사하여전하를주입시키고, 시료내부에전압을인가하고, 전자또는빛의조사에의해발생된전류및 인가전압을이용해상전이를유도하여상전이를측정하여전자소재를분석함으로써금속전극생략및 비파괴분광및 산란실험을가능하게하고, 기존에상전이소재의 I-V 특성을분석하기위해서는패터닝공정을포함하는금속전극형성과정이반드시필요하였으나본 발명의방법을이용하면소재가박막형태에서바로 I-V특성을확인해볼 수있어서금속전극형성을위한공정비용과관련노력을획기적으로줄일수 있으며, 전자또는전공에의한전류를제어할수 있어서전하수송자의종류에따른전류및 관련현상을탐구할수 있는기회를제공할뿐만아니라금속전극을이용한 I-V특성분석에서금속/소재계면의불완전성에기인한불필요한부가효과(계면효과)를배제할수 있는각별한장점이있는유용한발명이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种无电极的电荷注入方法及电子材料分析方法，使用相同的用于电子材料的分析，并跳过一个金属电极，和注入电荷通过照射外部电子或光到样品表面上，一个电压施加到所述内部采样 的应用，并且通过测量的相变来导出与所述电流和引起的电子或光的照射的电压施加用的相转变分析所述电子元件材料，并且使金属电极被省略并且非破坏性光谱和散射实验中，相位变化到现有材料 为了使用本发明为包括所需图案化工艺的金属电极形成处理的方法，如果该材料是该方法的成本和相关的努力，金属电极的形成方法可以以薄膜形式检查右IV特性来分析IV特性 它可以通过电子或电场急剧减小和控制电流，因此可以根据载流子的种类探测电流和相关现象 它提供了具有能够排除由于使用金属电极的I-V特性分析金属/材料界面的缺陷的不想要的副作用（表面效应），以及特定的优点的有用的发明。

    터널 구조를 갖는 산화물 기반의 수소저장소자를 이용한 수소 함량의 실시간 검출 방법
    5.
    发明公开
    터널 구조를 갖는 산화물 기반의 수소저장소자를 이용한 수소 함량의 실시간 검출 방법 有权
    使用隧道结构的氧化物基储氢层实时检测氢含量

    公开(公告)号：KR1020170090890A

    公开(公告)日：2017-08-08

    申请号：KR1020160011836

    申请日：2016-01-29

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 손준우 ,  임규욱 ,  윤효진

    IPC: G01N27/407 ,  G01N27/30 ,  G01N27/22

    CPC classification number: G01N27/127 ,  G01N33/005

    Abstract: 본발명은가역적으로수소원자를저장하거나방출할수 있는 MIT층(metal insulator transition layer)을구비하는수소저장소자(hydrogen storage element)의저항을실시간으로측정함으로써상기수소저장소자에함유된상기수소원자의함량을검출하는, 터널구조를갖는산화물기반의수소저장소자를이용한수소함량의실시간검출방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明通过可逆地实时测量储氢设备（氢气储存元件）的电阻，具有MIT层（金属绝缘体转变层）中含有的氢贮存装置中的氢原子的，它可以存储氢原子或释放 提供一种使用储氢的氢含量的实时检测方法氧化物系具有用于检测量的隧道结构。

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