公开(公告)号：KR1019990088669A

公开(公告)日：1999-12-27

申请号：KR1019990019555

申请日：1999-05-28

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키켄사쿠 ,  오카히사타쿠지 ,  마쯔모토나오키 ,  마쯔시마마사토

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0079

Abstract: 본발명은, n형의 GaN기판을제공하는것을과제로한것이며그 해결수단으로서, 산소를원소가스에함유시켜서 GaAs기판의위에 GaN을에피택셜성장시켜, GaAs기판을제거하여자립막을얻는것을특징으로한 것이며, 이로써산소농도에비례한 n형캐리어를가진 n형 GaN이된다.

公开(公告)号：KR100497262B1

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：KR1019970010253

申请日：1997-03-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  시마즈미쯔루 ,  마쯔시마마사토 ,  미우라요시키 ,  모토키겐사쿠 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 기판(1)상에 인듐 갈륨 질소(In
x Ga
1-x N; 단, 0〈x〈1)의 고품질 에피택셜 화합물 반도체 층을 형성하는 방법을 제공한다.
삼염화 인듐(InCl
3 )을 함유하는 제 1 가스 및 암모니아(NH
3 )를 함유하는 제 2 가스는 제 1 온도로 가열된 반응 챔버(56)로 도입되고 인듐 질소(InN)가 질소(N
2 ) 캐리어 가스에 의해 기판(1)상에서 에피택셜 성장되어 InN 버퍼 층을 형성한다.
그후, 염화수소(HCl) 및 갈륨(Ga)을 함유하는 제 3 가스가 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 가열된 반응 챔버(56)로 제 1 및 2 가스와 함께 도입되고 에피택셜 In
x Ga
1-x N 층이 N
2 가스에 의해 상기 버퍼 층에서 성장된다.
캐리어 가스로서 N
2 대신에 헬륨(He)을 사용함으로써, 더욱 고품질의 In
x Ga
1-x N 층이 얻어진다. 또한, InN 버퍼 층이 GaN 버퍼 층으로 변형될 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019970068061A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970010253

申请日：1997-03-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  시마즈미쯔루 ,  마쯔시마마사토 ,  미우라요시키 ,  모토키겐사쿠 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 기판(1)상에 인듐 갈륨 질소(In
x Ga
1 -
x N: 여기에서, 0＜X＜1)의 양호한 품질 에피텍셜 화합물 반도체층 형성 방법을 제공한다.
인듐 삼염화물(InCl
3 )을 함유하는 제1가스 및 암모니아(NH
3 )를 함유하는 제2가스는 제1온도에서 가열된 반응실(56)로 도입되고 인듐 질소(InN)는 InN 버퍼층을 형성하기 위해 질소(N
2 ) 캐리어 가스에 의해 기판(1)상에 에피텍셜적으로 성장된다.
그후 염화수소(HCl) 및 갈륨(Ca)을 함유하는 제3가스는 제1온도보다 높은 제2온도에서 가열된 반응실(56)로 제1 및 제2가스와 함께 도입되고 에피텍셜 In
x Ga
1 -
x N층은 N
2 가스에 의해 버퍼 층에 성장된다. 캐리어 가스로써 N
2 대신에 헬륨(He)을 사용함으로써, 더욱 동질적인 품질을 가진 In
x Ga
1 -
x N 층이 얻어진다. 부가로 InN 버퍼 층이 GaN 버퍼 층안에 변형될 수 있다.

公开(公告)号：KR100406216B1

公开(公告)日：2003-11-17

申请号：KR1019990019555

申请日：1999-05-28

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키켄사쿠 ,  오카히사타쿠지 ,  마쯔모토나오키 ,  마쯔시마마사토

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0079

Abstract: An n-type GaN substrate having a safe n-type dopant instead of Si which is introduced by perilous silane gas. The safe n-dopant is oxygen. The oxygen doped GaN free-standing crystal is an n-type crystal having carriers in proportion to the oxygen concentration.

Abstract translation: 具有安全的n型掺杂剂的n型GaN衬底，而不是由危险硅烷气体引入的Si。 安全的n型掺杂剂是氧气。 氧掺杂的GaN自支撑晶体是具有与氧浓度成比例的载流子的n型晶体。

公开(公告)号：KR1019960026994A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019950056323

申请日：1995-12-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  후지타케이이치로 ,  타케모토키쿠로 ,  마쯔시마마사토 ,  마쯔바라히데키 ,  타카기시시게노리 ,  세키히사시 ,  코키쯔아키노리

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은, 발광소자 등에 사용가느한 고성능의 에피텍셜웨이퍼, 및 그것을 공업적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하며, 그 구성에 있어서, GaAs, GaP, InAs 및 InP로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물반도체기판(1)과, 기판(1)위에 형성된 두께가 10~80nm의 GaN으로 이루어진 버퍼층(2)과, 버퍼층(2)위에 형성된 GaN을 함유한 에피텍셜층(3)을 구비한 것을 특징으로 한 에피텍셜웨이퍼와, 버퍼층(2)은, 유기금속클로라이드기상에피텍시성장법에 의해, 제1의 온도로 형성되고, 에피텍셜층(3)은, 유기금속클로라이드기상에피텍시성장법에 의해, 제1의 온도보다 높은 제2의 온도로 형성하는 상기 웨이퍼의 제조방법을 특징으로 한 것이다.