公开(公告)号：KR1019960036160A

公开(公告)日：1996-10-28

申请号：KR1019960006429

申请日：1996-03-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  마츠바라히데키 ,  마츠시마마사토 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01L33/00

Abstract: 고성능 화합물 반도체 발광 소자 및 그것을 공업적으로 제조할 수 있는 방법이 제공된다.
화합물 반도체 발광소자는 GaAs 기판(1)과 기판(1)상에 형성된 두께가 10㎜~80㎜으 GaN로 이루어지는 버퍼층(2)고 버퍼층(2)상에 형성된 Al
X Ga
1 -
X N(다만, 0≤X＜1)로 이루어지는 에피탁시층(3)과 버퍼층(2)과 에피탁시층(3)과의 계면에 위치하는 부정합면(8)과 에피탁시층(3)상에 형성된 발광층(4)상에 형성된 클래드층(5)을 포함한다. 버퍼층(2)은 유기 금속 클로라이드 기상 에피탁시 성장법에 의해 제 1의 온도에서 형성되고 에피탁시층(3)은 유기 금속 클로라이드 기상 에피탁시 성장법에 의해서 제 1의 온도보다 높은 제 2의 온도에서 형성된다.
발광층은 Mg 도프된 In
y Ga
1 -
y N(다만, 0＜y＜1)로 이루면 양호하다.

公开(公告)号：KR1019970068061A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970010253

申请日：1997-03-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  시마즈미쯔루 ,  마쯔시마마사토 ,  미우라요시키 ,  모토키겐사쿠 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 기판(1)상에 인듐 갈륨 질소(In
x Ga
1 -
x N: 여기에서, 0＜X＜1)의 양호한 품질 에피텍셜 화합물 반도체층 형성 방법을 제공한다.
인듐 삼염화물(InCl
3 )을 함유하는 제1가스 및 암모니아(NH
3 )를 함유하는 제2가스는 제1온도에서 가열된 반응실(56)로 도입되고 인듐 질소(InN)는 InN 버퍼층을 형성하기 위해 질소(N
2 ) 캐리어 가스에 의해 기판(1)상에 에피텍셜적으로 성장된다.
그후 염화수소(HCl) 및 갈륨(Ca)을 함유하는 제3가스는 제1온도보다 높은 제2온도에서 가열된 반응실(56)로 제1 및 제2가스와 함께 도입되고 에피텍셜 In
x Ga
1 -
x N층은 N
2 가스에 의해 버퍼 층에 성장된다. 캐리어 가스로써 N
2 대신에 헬륨(He)을 사용함으로써, 더욱 동질적인 품질을 가진 In
x Ga
1 -
x N 층이 얻어진다. 부가로 InN 버퍼 층이 GaN 버퍼 층안에 변형될 수 있다.

公开(公告)号：KR100497262B1

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：KR1019970010253

申请日：1997-03-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  시마즈미쯔루 ,  마쯔시마마사토 ,  미우라요시키 ,  모토키겐사쿠 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 기판(1)상에 인듐 갈륨 질소(In
x Ga
1-x N; 단, 0〈x〈1)의 고품질 에피택셜 화합물 반도체 층을 형성하는 방법을 제공한다.
삼염화 인듐(InCl
3 )을 함유하는 제 1 가스 및 암모니아(NH
3 )를 함유하는 제 2 가스는 제 1 온도로 가열된 반응 챔버(56)로 도입되고 인듐 질소(InN)가 질소(N
2 ) 캐리어 가스에 의해 기판(1)상에서 에피택셜 성장되어 InN 버퍼 층을 형성한다.
그후, 염화수소(HCl) 및 갈륨(Ga)을 함유하는 제 3 가스가 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 가열된 반응 챔버(56)로 제 1 및 2 가스와 함께 도입되고 에피택셜 In
x Ga
1-x N 층이 N
2 가스에 의해 상기 버퍼 층에서 성장된다.
캐리어 가스로서 N
2 대신에 헬륨(He)을 사용함으로써, 더욱 고품질의 In
x Ga
1-x N 층이 얻어진다. 또한, InN 버퍼 층이 GaN 버퍼 층으로 변형될 수 있게 된다.