公开(公告)号：KR1020140103255A

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：KR1020147012658

申请日：2012-11-07

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마스다다케요시 ,  와다게이지 ,  히요시도루 ,  마츠카와신지

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7813

Abstract: MOSFET(1)는 주표면(10a)측에 개구되는 제1 트렌치(16)와, 주표면(10a)측에 개구되고 제1 트렌치(16)보다 얕은 제2 트렌치(17)가 형성되며, 탄화규소로 이루어지는 기판(10)과, 게이트 절연막(20)과, 게이트 전극(30)과, 제2 트렌치(17)의 벽면(17a) 상에 접촉하여 배치된 소스 전극(50)을 구비한다. 기판(10)은 소스 영역(15)과, 보디 영역(14)과, 드리프트 영역(13)을 포함한다. 제1 트렌치(16)는 소스 영역(15) 및 보디 영역(14)을 관통하면서 드리프트 영역(13)에 도달하도록 형성되어 있다. 제2 트렌치(17)는 소스 영역(15)을 관통하면서 보디 영역(14)에 도달하도록 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020080096748A

公开(公告)日：2008-11-03

申请号：KR1020087014892

申请日：2006-10-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마스다다케요시 ,  마츠카와신지

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C16/325 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/046 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: MOSFET (30) comprises an SiC film (11). The SiC film (11) has a facet on its surface. The length of one period of the facet is not less than 100 nm, and the facet functions as a channel (16). The process for producing MOSFET (30) comprises the steps of forming an SiC film (11), heat treating the SiC film (11) in such a state that Si is fed onto the surface of the SiC film (11), and bringing the facet provided on the surface of the SiC film (11) by the heat treatment step to a channel (16). According to the above constitution, the properties can be satisfactorily improved.

Abstract translation: MOSFET（30）包括SiC膜（11）。 SiC膜（11）在其表面上具有小面。 小面的一个周期的长度不小于100nm，并且该面作为通道（16）起作用。 用于制造MOSFET（30）的工艺包括以下步骤：在Si被馈送到SiC膜（11）的表面上的状态下，形成SiC膜（11），对SiC膜（11）进行热处理， 通过热处理步骤在SiC膜（11）的表面上设置到通道（16）的小面。 根据上述结构，可以令人满意地提高性能。

公开(公告)号：KR100983852B1

公开(公告)日：2010-09-27

申请号：KR1020087014892

申请日：2006-10-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마스다다케요시 ,  마츠카와신지

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C16/325 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/046 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: MOSFET(3O)은 SiC막(11)을 구비하고 있다. SiC막(11)은 그 표면에 패싯(facet)을 가지고 있고, 패싯의 한 주기의 길이는 100 ㎚ 이상이고, 패싯을 채널(16)로 하고 있다. 또, MOSFET(30)의 제조 방법은, SiC막(11)을 형성하는 공정과, SiC막(11)의 표면에 Si를 공급한 상태에서, SiC막(11)을 열처리하는 열처리 공정과, 열처리 공정에 의해 SiC막(11)의 표면에 얻어진 패싯을 채널(16)로 하는 공정을 포함하고 있다. 이에 의해, 특성을 충분히 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090038028A

公开(公告)日：2009-04-17

申请号：KR1020097004358

申请日：2007-05-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마츠바라히데키 ,  사이토히로히사 ,  나카니시후미타케 ,  마츠카와신지

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/18369 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/173

Abstract: A method for manufacturing a surface emitting laser element (1) comprises a step of preparing conductive GaN composite region substrate including a high-dislocation density high-conductivity region (10a), a low-dislocation density high-conductivity region (10b), and low-dislocation density low-conductivity region (10c) as a conductive GaN substrate (10), a semiconductor layer multilayer-body fabricating step of fabricating III-V group compound semiconductor layer multilayer bodies (20) including a light-emitting layer (200) on the substrate, and an electrode forming step of forming a semiconductor-side electrode (15) and a substrate-side electrode (11). The method is characterized in that the semiconductor layer and the electrodes are so formed that the light-emitting region (200a) which is formed in the light-emitting layer (200) and into which carriers flows is in the upper portion of the low-dislocation density high-conductivity region (10b). Thus, a surface emitting laser element where light emission from the light-emitting region is uniform can be produced with high production yield.

Abstract translation: 一种制造表面发射激光器元件（1）的方法包括制备包括高位错密度高导电性区域（10a），低位错密度高导电性区域（10b）的导电性GaN复合区域基板的工序，以及 作为导电性GaN衬底（10）的低位错密度低导电区域（10c），制造包括发光层（200）的III-V族化合物半导体层多层体（20）的半导体层多层体制造工序 ）和形成半导体侧电极（15）和基板侧电极（11）的电极形成工序。 该方法的特征在于，形成半导体层和电极，使得形成在发光层（200）中并且载流子流入的发光区域（200a）位于低通滤波器的上部， 位错密度高导电区域（10b）。 因此，能够以高的制造成品生产发光区域的发光均匀的表面发射激光元件。