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公开(公告)号：KR101131380B1
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：KR1020077008334
申请日：2005-12-06
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01S5/105 , H01S5/34333 , H01S2301/14 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 반도체 레이저 소자(1)는 주요면(3a)을 갖는 기판(3)과, 주요면(3a)이 연장되는 방향을 따라 기판(3) 상에 형성되고, GaN으로 이루어지는 에피택셜층(2a)과, 에피택셜층(2a)보다도 저굴절률인 저굴절률 재료(2b)를 포함하는 포토닉 결정층(7)과, 기판(3) 상에 형성된 n형 클래드층(4)과, 기판(3) 상에 형성된 p형 클래드층(6)과, n형 클래드층(4) 및 p형 클래드층(6) 사이에 끼여, 캐리어가 주입되면 발광하는 활성층(5)과, 포토닉 결정층(7) 바로 위를 덮는 GaN층(12)을 구비하고 있다. 이것에 의해, 융착 접합을 행하지 않고서 반도체 레이저 소자를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110102809A
公开(公告)日：2011-09-19
申请号：KR1020107020975
申请日：2009-11-11
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0083
Abstract: 반도체 발광 소자(100)는, 발광층을 포함하는 반도체층(2)과, 반도체층(2)을 지지하기 위한 지지 기판(11)과, 반도체층(2)의 주표면과 지지 기판(11)의 주표면을 접합하는 접착층(15)을 구비하고 있다. 반도체층(2)의 접착층(15)과 대향하는 주표면 또는 지지 기판(11)의 접착층(15)과 대향하는 주표면 중 적어도 어느 한 쪽의, 접착층(15)과의 접합 계면 영역에, 굴절률이 상이한 적어도 2종류의 물질이 주기적으로 배치되는 것에 의해 2차원 회절 격자가 형성되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020090017409A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020080068683
申请日：2008-07-15
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1231 , H01S5/2009
Abstract: A method of fabrication a semiconductor laser is provided to improve a photonic crystal structure by forming an arrangement of a cavity hole. An InX1Ga1-X1N(0
Abstract translation: 提供制造半导体激光器的方法，以通过形成空腔孔的布置来改善光子晶体结构。 在沉积室（13）中的氮化镓基半导体区域上生长InX1Ga1-X1N（0
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公开(公告)号：KR1020130029455A
公开(公告)日：2013-03-22
申请号：KR1020137005785
申请日：2012-03-26
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L21/50 , H01L21/187 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L33/0079 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/0603 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/81005 , H01L2924/1033 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 본 GaN계 반도체 디바이스(5)의 제조방법은, 이온 주입 분리법을 이용하여, GaN의 열팽창 계수에 대한 비가 0.8 이상 1.2 이하인 열팽창 계수를 갖는 지지 기판(10)과, 지지 기판(10)에 접합된 GaN층(21)을 포함하는 복합 기판(1)을 준비하는 공정과, 복합 기판(1)의 GaN층(21) 위에 1층 이상의 GaN계 반도체층(40)을 성장시키는 공정과, 복합 기판(1)의 지지 기판(10)을 용해 제거하는 공정을 포함한다. 이것에 의해, 특성이 우수한 GaN계 반도체 디바이스를 좋은 수율로 제조할 수 있는 GaN계 반도체 디바이스의 제조방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020070085251A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020077008334
申请日：2005-12-06
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01S5/105 , H01S5/34333 , H01S2301/14 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: Disclosed is a semiconductor laser device (1) comprising a substrate (3) having a major surface (3a), a photonic crystal layer (7) which is formed above the substrate (3) along the direction in which the major surface (3a) extends and contains an epitaxial layer (2a) composed of GaN and a low refractive index material (2b) having a refractive index lower than the epitaxial layer (2a), an n-type cladding layer (4) formed on the substrate (3), a p-type cladding layer (6) formed above the substrate (3), an active layer (5) interposed between the n-type cladding layer (4) and the p-type cladding layer (6) which emits light when carriers are injected thereinto, and a GaN layer (12) directly covering the photonic crystal layer (7). The semiconductor laser device can be manufactured without performing fusion bonding.
Abstract translation: 公开了一种半导体激光装置（1），其包括具有主表面（3a）的基板（3），沿着主表面（3a）的方向形成在基板（3）上方的光子晶体层（7） 延伸并包含由GaN构成的外延层（2a）和折射率低于外延层（2a）的低折射率材料（2b），形成在基板（3）上的n型覆层（4） ，形成在所述基板（3）上方的p型覆层（6），插入在所述n型覆盖层（4）与所述p型覆盖层（6）之间的有源层（5），所述p型覆盖层在载体 以及直接覆盖光子晶体层（7）的GaN层（12）。 可以在不进行熔接的情况下制造半导体激光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960036160A
公开(公告)日：1996-10-28
申请号：KR1019960006429
申请日：1996-03-12
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L33/00
Abstract: 고성능 화합물 반도체 발광 소자 및 그것을 공업적으로 제조할 수 있는 방법이 제공된다.
화합물 반도체 발광소자는 GaAs 기판(1)과 기판(1)상에 형성된 두께가 10㎜~80㎜으 GaN로 이루어지는 버퍼층(2)고 버퍼층(2)상에 형성된 Al
X Ga
1 -
X N(다만, 0≤X＜1)로 이루어지는 에피탁시층(3)과 버퍼층(2)과 에피탁시층(3)과의 계면에 위치하는 부정합면(8)과 에피탁시층(3)상에 형성된 발광층(4)상에 형성된 클래드층(5)을 포함한다. 버퍼층(2)은 유기 금속 클로라이드 기상 에피탁시 성장법에 의해 제 1의 온도에서 형성되고 에피탁시층(3)은 유기 금속 클로라이드 기상 에피탁시 성장법에 의해서 제 1의 온도보다 높은 제 2의 온도에서 형성된다.
발광층은 Mg 도프된 In
y Ga
1 -
y N(다만, 0＜y＜1)로 이루면 양호하다.-
公开(公告)号：KR1020140074142A
公开(公告)日：2014-06-17
申请号：KR1020127030485
申请日：2011-12-21
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0254 , C03C10/0018 , C04B35/106 , C04B35/16 , C04B35/185 , C04B35/481 , C04B35/486 , C04B35/488 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3246 , C04B2235/3463 , C04B2235/9607 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02002 , H01L21/02422 , H01L21/02436 , H01L21/02458 , H01L21/02658 , H01L21/02664
Abstract: GaN계 막의 제조 방법은, 불화수소산에 용해되는 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 지지 기판(11)의 주면(11m) 내의 열팽창 계수가, GaN 결정의 열팽창 계수와 비교해서, 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)의 주면(13m) 상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정과, 지지 기판(11)을, 불화수소산에 용해함으로써 제거하는 공정을 포함한다. 이에 따라, 주면의 면적이 크고 휨이 작고 결정성이 양호한 GaN계 막이 효율적으로 얻어지는 GaN계 막의 제조 방법 및 그것에 이용되는 복합 기판이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020130141465A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020137007075
申请日：2012-02-13
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02104 , H01L21/76254
Abstract: 본 보호막 부착 복합 기판(2Q)은, 지지 기판(10)과, 지지 기판(10) 상에 배치된 산화물막(20)과, 산화물막(20) 상에 배치된 반도체층(30a)과, 산화물막(20) 중 지지 기판(10) 및 반도체층(30a) 중 어느 것으로도 덮여 있지 않은 부분(20s, 20t)을 덮음으로써 산화물막(20)을 보호하는 보호막(40)을 포함한다. 본 반도체 디바이스의 제조 방법은, 보호막 부착 복합 기판(2Q)을 준비하는 공정과, 보호막 부착 복합 기판(2Q)의 반도체층(30a) 상에, 반도체 디바이스로서의 기능을 발현시키는 적어도 1층의 기능 반도체층을 에피택셜 성장시키는 공정을 포함한다. 이에 따라, 고품질의 기능 반도체층을 에피택셜 성장시킬 수 있는 유효 영역이 큰 보호막 부착 복합 기판, 및 이러한 보호막 부착 복합 기판을 이용한 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020130129817A
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020127027472
申请日：2011-11-07
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/0254
Abstract: 본 III족 질화물 복합 기판(1)은, 지지 기판(10)과, 지지 기판(10) 상에 형성되어 있는 산화물막(20)과, 산화물막(20) 상에 형성되어 있는 III족 질화물층(30a)을 포함한다. 여기서, 산화물막(20)은, TiO
2 막 및 SrTiO
3 막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 막으로 할 수 있고, 불순물을 첨가할 수 있다. 이에 따라, 지지 기판과 III족 질화물층과의 접합 강도가 높은 III족 질화물 복합 기판이 제공된다.-
公开(公告)号：KR1020150003359A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020147032599
申请日：2012-03-26
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L21/50 , H01L21/187 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L33/0079 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/0603 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/81005 , H01L2924/1033 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 본 GaN계 반도체 디바이스(5)의 제조방법은, 이온 주입 분리법을 이용하여, GaN의 열팽창 계수에 대한 비가 0.8 이상 1.2 이하인 열팽창 계수를 갖는 지지 기판(10)과, 지지 기판(10)에 접합된 GaN층(21)을 포함하는 복합 기판(1)을 준비하는 공정과, 복합 기판(1)의 GaN층(21) 위에 1층 이상의 GaN계 반도체층(40)을 성장시키는 공정과, 복합 기판(1)의 지지 기판(10)을 용해 제거하는 공정을 포함한다. 이것에 의해, 특성이 우수한 GaN계 반도체 디바이스를 좋은 수율로 제조할 수 있는 GaN계 반도체 디바이스의 제조방법이 제공된다.
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