公开(公告)号：KR1020050049390A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020040095037

申请日：2004-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사이토히로히사 ,  히로세요시유키 ,  나가이요우이치 ,  기타바야시히로유키 ,  이케다아야코

IPC: H01L33/02 ,  G02F1/1335

CPC classification number: H01L33/505 ,  G02B6/0046 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 발광 다이오드(1)는 반도체 적층부(6)와, 광반사층(17 및 19)과, 광반사막(25)과, 형광판(27)을 구비한다. 반도체 적층부(6)는 기판(7)상에 n형 클래드층(9), 활성층(11), p형 클래드층(13), 및 p형 컨택트층(15)이 순차 적층되어 이루어진다. 광반사층(17 및 19)은 각각 p형 컨택트층(15)상 및 기판(7)의 이면(7b)상에 마련된다. 광반사막(25)은 반도체 적층부(6)의 3개의 측면 위에 마련된다. 형광판(27)은 반도체 적층부(6)의 측면 중 광반사막(25)이 없는 측면에 부착된다. 활성층(11)으로부터 나온 청색광(L1)은 각 광반사층에서 반사되어, 형광판(27)이 마련된 측면에 모인다. 청색광(L1)의 일부는 형광판(27)에서 황색광(L2)이 되어, 청색광(L1) 및 황색광(L2)에 의한 백색광이 출사된다.

公开(公告)号：KR101202866B1

公开(公告)日：2012-11-19

申请号：KR1020050124429

申请日：2005-12-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나가이요이치 ,  기타바야시히로유키 ,  사이토히로히사 ,  이케다아야코

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 본 발명은 구조가 간단하기 때문에 제조가 용이하며, 큰 발광 효율을 장시간에 걸쳐 안정적으로 얻을 수 있는 발광 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
발광 장치는 질화물 반도체 기판으로서의 GaN 기판(1)과, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면측에, n형 Al
x Ga
1-x N층(3)과, 질화물 반도체 기판에서 보아 n형 Al
x Ga
1-x N층(3)보다 멀리에 위치하는 p형 Al
x Ga
1-x N층(5)과, n형 Al
x Ga
1-x N층(3) 및 p형 Al
x Ga
1-x N층(5) 사이에 위치하는 양자 우물(4)을 구비한 발광 장치이다. 이 발광 장치에서는 질화물 반도체 기판의 비저항이 0.5 Ω?cm 이하이며, p형 Al
x Ga
1-x N층(5)측을 다운 실장하고, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면과 반대측의 주표면인 제2 주표면(1a)에서 광을 방출한다. 질화물 반도체 기판의 제2 주표면(1a)에는 홈(80)이 형성되어 있다.

Abstract translation: 获得具有简单结构的发光器件，其可以容易地制造，长时间稳定地获得高发光效率，该发光器件包括：作为氮化物半导体衬底的GaN衬底（1），并且在第一主体 氮化物半导体衬底的表面，n型Al x Ga 1-x N层（3），p型Al x Ga 1-x N层（5），其位于比n型Al x Ga 1- x N层（3）和位于n型Al x Ga 1-x N层（3）和p型Al x Ga 1-x N层之间的量子阱（4） （5）。 在发光器件中，氮化物半导体衬底的比电阻为0.5Ω/ cm以下，p型Al x Ga 1-x N层（5）的侧面朝下安装，发光 从与氮化物半导体衬底的第一主表面相对的第二主表面1a。 氮化物半导体衬底的第二主表面1a具有形成在其中的沟槽（80）。

公开(公告)号：KR1020090129461A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：KR1020097020953

申请日：2008-01-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사이토히로히사 ,  마츠바라히데키

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/18 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014

Abstract: A photonic crystal laser (100) is provided with an n-type substrate (111), an n-type clad layer (112), an active layer (113), a p-type clad layer (116), a photonic crystal layer (115), a p-type electrode (118), an n-type electrode (119) and a mounting member (120). The n-type clad layer (112) is formed on a first surface (111a) of the n-type substrate (111). The active layer (113) is formed on the n-type clad layer (112). The p-type clad layer (116) is formed on the active layer (113). The photonic crystal layer (115) is formed between the n-type clad layer (112) and the active layer (113) or between the active layer (113) and the p-type clad layer (116), and includes a photonic crystal section (115a). The p-type electrode (118) is formed on the photonic crystal section (115a). The n-type electrode (119) is formed on a second surface (111b), and is composed of a light transmitting section (119a) arranged at a position facing the photonic crystal section (115a), and an outer circumference section (119b) having a light transmittance lower than that of the light transmitting section (119a).

Abstract translation: 光子晶体激光器（100）设置有n型衬底（111），n型覆盖层（112），有源层（113），p型覆盖层（116），光子晶体层 （115），p型电极（118），n型电极（119）和安装部件（120）。 n型覆盖层（112）形成在n型衬底（111）的第一表面（111a）上。 有源层（113）形成在n型覆层（112）上。 p型覆盖层（116）形成在有源层（113）上。 光子晶体层（115）形成在n型覆盖层（112）和有源层（113）之间或有源层（113）与p型覆盖层（116）之间，并且包括光子晶体 （115a）。 p型电极（118）形成在光子晶体部（115a）上。 n型电极（119）形成在第二面（111b）上，由配置在面向光子晶体部（115a）的位置的透光部（119a）和外周部（119b）构成， 透光率低于透光部（119a）的透光率。

公开(公告)号：KR1020060070437A

公开(公告)日：2006-06-23

申请号：KR1020050124429

申请日：2005-12-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나가이요이치 ,  기타바야시히로유키 ,  사이토히로히사 ,  이케다아야코

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 본 발명은 구조가 간단하기 때문에 제조가 용이하며, 큰 발광 효율을 장시간에 걸쳐 안정적으로 얻을 수 있는 발광 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
발광 장치는 질화물 반도체 기판으로서의 GaN 기판(1)과, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면 측에, n형 Al
x Ga
1-x N층(3)과, 질화물 반도체 기판에서 보아 n형 Al
x Ga
1-x N층(3)보다 멀리에 위치하는 p형 Al
x Ga
1-x N층(5)과, n형 Al
x Ga
1-x N층(3) 및 p형 Al
x Ga
1-x N층(5) 사이에 위치하는 양자 우물(4)을 구비한 발광 장치이다. 이 발광 장치에서는 질화물 반도체 기판의 비저항이 0.5 Ω·cm 이하이며, p형 Al
x Ga
1-x N층(5)측을 다운 실장하고, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면과 반대측의 주표면인 제2 주표면(1a)에서 광을 방출한다. 질화물 반도체 기판의 제2 주표면(1a)에는 홈(80)이 형성되어 있다.

Abstract translation: 获得具有简单结构的发光器件，其可以容易地制造，长时间稳定地获得高发光效率，该发光器件包括：作为氮化物半导体衬底的GaN衬底（1），并且在第一主体 氮化物半导体衬底的表面，n型Al x Ga 1-x N层（3），p型Al x Ga 1-x N层（5），其位于比n型Al x Ga 1- x N层（3）和位于n型Al x Ga 1-x N层（3）和p型Al x Ga 1-x N层之间的量子阱（4） （5）。 在发光器件中，氮化物半导体衬底的比电阻为0.5Ω/ cm以下，p型Al x Ga 1-x N层（5）的侧面朝下安装，发光 从与氮化物半导体衬底的第一主表面相对的第二主表面1a。 氮化物半导体衬底的第二主表面1a具有形成在其中的沟槽（80）。

公开(公告)号：KR101414911B1

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020097020953

申请日：2008-01-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사이토히로히사 ,  마츠바라히데키

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/18 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014

Abstract: 포토닉 결정 레이저(100)는 n형 기판(111)과 n형 클래드층(112)과 활성층(113)과 p형 클래드층(116)과 포토닉 결정층(115)과 p형 전극(118)과 n형 전극(119)과 실장 부재(120)를 포함하고 있다. n형 클래드층(112)은 n형 기판(111)의 제1 표면(111a) 위에 형성된다. 활성층(113)은 n형 클래드층(112) 위에 형성된다. p형 클래드층(116)은 활성층(113) 위에 형성된다. 포토닉 결정층(115)은 n형 클래드층(112)과 활성층(113) 사이, 또는 활성층(113)과 p형 클래드층(116) 사이에 형성되고, 포토닉 결정부(115a)를 포함한다. p형 전극(118)은 포토닉 결정부(115a) 위에 형성된다. n형 전극(119)은 제2 표면(111b) 위에 형성되고, 포토닉 결정부(115a)와 대향하는 위치에 배치된 광 투과부(119a)와, 광 투과부(119a)보다 광의 투과율이 낮은 외주부(119b)를 포함한다.
포토닉 결정 레이저

公开(公告)号：KR1020090038028A

公开(公告)日：2009-04-17

申请号：KR1020097004358

申请日：2007-05-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마츠바라히데키 ,  사이토히로히사 ,  나카니시후미타케 ,  마츠카와신지

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/18369 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/173

Abstract: A method for manufacturing a surface emitting laser element (1) comprises a step of preparing conductive GaN composite region substrate including a high-dislocation density high-conductivity region (10a), a low-dislocation density high-conductivity region (10b), and low-dislocation density low-conductivity region (10c) as a conductive GaN substrate (10), a semiconductor layer multilayer-body fabricating step of fabricating III-V group compound semiconductor layer multilayer bodies (20) including a light-emitting layer (200) on the substrate, and an electrode forming step of forming a semiconductor-side electrode (15) and a substrate-side electrode (11). The method is characterized in that the semiconductor layer and the electrodes are so formed that the light-emitting region (200a) which is formed in the light-emitting layer (200) and into which carriers flows is in the upper portion of the low-dislocation density high-conductivity region (10b). Thus, a surface emitting laser element where light emission from the light-emitting region is uniform can be produced with high production yield.

Abstract translation: 一种制造表面发射激光器元件（1）的方法包括制备包括高位错密度高导电性区域（10a），低位错密度高导电性区域（10b）的导电性GaN复合区域基板的工序，以及 作为导电性GaN衬底（10）的低位错密度低导电区域（10c），制造包括发光层（200）的III-V族化合物半导体层多层体（20）的半导体层多层体制造工序 ）和形成半导体侧电极（15）和基板侧电极（11）的电极形成工序。 该方法的特征在于，形成半导体层和电极，使得形成在发光层（200）中并且载流子流入的发光区域（200a）位于低通滤波器的上部， 位错密度高导电区域（10b）。 因此，能够以高的制造成品生产发光区域的发光均匀的表面发射激光元件。

公开(公告)号：KR100433743B1

公开(公告)日：2004-06-04

申请号：KR1020027009302

申请日：2001-01-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 히로세요시유키 ,  토미카와타타시 ,  사이토히로히사 ,  타토노부요시 ,  나츠하라마스히로 ,  나카타히로히코 ,  사이토마사히데 ,  후지모리나오지

IPC: G02B6/12

CPC classification number: H05B3/283 ,  G02B6/12 ,  G02B6/30 ,  G02B6/426 ,  G02B6/4266 ,  H05B3/141

Abstract: 본 발명은 광 도파로 소자(2)를 가열하기 위한 히터 모듈(30)로, 통전에 의해 발열하는 발열 회로(42)와 발열 회로에 적층된 AlN 세라믹스층(44)을 갖는 세라믹스 히터(40)를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.

Abstract translation: 用于加热光波导装置（2）的加热器模块（30）具有陶瓷加热器（40），陶瓷加热器（40）具有适于在通电时产生热量的加热电路（42）和堆叠在加热电路上的AlN陶瓷层（44） 。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020020070489A

公开(公告)日：2002-09-09

申请号：KR1020027009302

申请日：2001-01-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 히로세요시유키 ,  토미카와타타시 ,  사이토히로히사 ,  타토노부요시 ,  나츠하라마스히로 ,  나카타히로히코 ,  사이토마사히데 ,  후지모리나오지

IPC: G02B6/12

Abstract: 본 발명은 광 도파로 소자(2)를 가열하기 위한 히터 모듈(30)로, 통전에 의해 발열하는 발열 회로(42)와 발열 회로에 적층된 AlN 세라믹스층(44)을 갖는 세라믹스 히터(40)를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.

公开(公告)号：KR1020020024544A

公开(公告)日：2002-03-30

申请号：KR1020010058958

申请日：2001-09-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 히로세요시유키 ,  토미카와타다시 ,  사이토히로히사

IPC: G02B6/42

CPC classification number: H01L21/67103 ,  G02B6/30 ,  H01L23/345 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A heater module is provided to be capable of improving the regularity of temperature in an optical waveguide while holding power consumption and the thickness of an optical waveguide module. CONSTITUTION: The heater module(20) for adjusting a temperature of the optical waveguide element(12) by heating the optical waveguide element is provided with a heat generating circuit(22) generated heat by being electrically energized and a heat transfer part(21). The heat transfer part(21) has a recessed groove for placing the optical waveguide element(12) and formed on the upper surface of the heat generating circuit(22). The optical waveguide element(12) is heated not only from the bottom surface but also from the side surface by the edge part composing the recessed groove part by placing the optical waveguide element(12) on the bottom surface of the heat transfer part(21) in which the recessed groove part is formed. Thus, the regularity of temperature is improved.

Abstract translation: 目的：提供一种加热器模块，其能够在保持功率消耗和光波导模块的厚度的同时提高光波导中的温度的规律性。 构成：通过加热光波导元件来调节光波导元件（12）的温度的加热器模块（20）具有通过电通电产生热量的发热电路（22）和传热部件（21）， 。 传热部（21）具有用于放置光波导元件（12）并形成在发热电路（22）的上表面上的凹槽。 通过将光波导元件（12）放置在传热部（21）的底面上，光波导元件（12）不仅通过构成凹槽部的边缘部从底面而且从侧面加热， ），其中形成凹槽部分。 因此，温度的规律性得到改善。