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公开(公告)号：KR101323868B1
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：KR1020107015599
申请日：2008-12-24
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B23/06 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/025 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631
Abstract: 본 발명은 대형이며 고품질의 Al
x Ga
1
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x N 단결정의 성장 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
1
-
x N 단결정의 성장 방법은, 결정 직경 D ㎜와 두께 T ㎜가 T y Ga
1
-
y N (0 y Ga
1
-
y N 종결정(4)의 주표면(4m) 위에 Al
x Ga
1
-
x N (0-
公开(公告)号：KR1020100112068A
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020097021367
申请日：2008-12-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/38 , C30B23/06 , H01L21/203 , H01L21/318
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 질화 알루미늄 결정을 성장시킬 때에 기초 기판이 승화되는 것을 방지하여, 결정성이 양호한 질화 알루미늄 결정을 성장 속도를 향상하여 성장시키는 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정을 제공한다. 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 방법은, 이하의 공정이 실시된다. 우선, 주표면(11a)과 이면(11b)을 갖는 기초 기판(11)과, 이면(11b)에 형성된 제1층(12)과, 제1층(12)에 형성된 제2층(13)을 구비한 적층 기판(10)이 준비된다. 그리고 기초 기판(11)의 주표면(11a) 상에 질화 알루미늄 결정(20)이 기상 성장법에 의해 성장된다. 제1층(12)은, 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 온도에 있어서 기초 기판(11)보다 승화하기 어려운 재질로 이루어진다. 제2층(13)은, 제1층(12)의 열전도율보다 높은 재질로 이루어진다.
질화 알루미늄 결정-
公开(公告)号：KR101507169B1
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：KR1020080133364
申请日：2008-12-24
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: C30B23/005 , C30B29/403 , Y10T117/10
Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 포함하고 있다. 우선, 원료(13)로부터의 열복사를 차단하기 위한 열차폐부(110)를 내부에 포함하는 챔버(101)가 준비된다. 그리고, 챔버(101) 내의, 열차폐부(110)에 대하여 한쪽에 원료(13)가 배치된다. 그리고, 원료(13)를 가열함으로써 승화시키고, 챔버(101) 내의 열차폐부(110)에 대하여 다른 쪽에, 원료 가스를 석출시킴으로써 III족 질화물 반도체 결정(15)이 성장된다.
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公开(公告)号：KR101504772B1
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：KR1020097021367
申请日：2008-12-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/38 , C30B23/06 , H01L21/203 , H01L21/318
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 질화 알루미늄 결정을 성장시킬 때에 기초 기판이 승화되는 것을 방지하여, 결정성이 양호한 질화 알루미늄 결정을 성장 속도를 향상하여 성장시키는 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정을 제공한다. 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 방법은, 이하의 공정이 실시된다. 우선, 주표면(11a)과 이면(11b)을 갖는 기초 기판(11)과, 이면(11b)에 형성된 제1층(12)과, 제1층(12)에 형성된 제2층(13)을 구비한 적층 기판(10)이 준비된다. 그리고 기초 기판(11)의 주표면(11a) 상에 질화 알루미늄 결정(20)이 기상 성장법에 의해 성장된다. 제1층(12)은, 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 온도에 있어서 기초 기판(11)보다 승화하기 어려운 재질로 이루어진다. 제2층(13)은, 제1층(12)의 열전도율보다 높은 재질로 이루어진다.
질화 알루미늄 결정-
公开(公告)号：KR101410534B1
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020097008369
申请日：2007-11-14
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/045 , C30B19/02 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L29/2003 , Y10T428/24752
Abstract: 본 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법은, {0001} 이외의 임의로 특정되는 면방위의 주요면(20m)을 갖는 Ⅲ족 질화물 결정(20)의 제조 방법으로서, Ⅲ족 질화물 벌크 결정(1)으로부터, 그 특정되는 면방위의 주요면(10pm, 10qm)을 갖는 복수의 Ⅲ족 질화물 결정 기판(10p, 10q)을 잘라내는 공정과, 이들 기판(10p, 10q)의 주요면(10pm, 10qm)이 서로 평행하고, 또한, 이들 기판(10p, 10q)의 [0001] 방향이 동일하게 되도록, 가로 방향으로 이들 기판(10p, 10q)을 서로 인접시켜 배치하는 공정과, 이들 기판(10p, 10q)의 주요면(10pm, 10qm) 상에, Ⅲ족 질화물 결정(20)을 성장시키는 공정을 포함한다.
Ⅲ족 질화물 결정-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110052569A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020117000709
申请日：2009-06-26
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/025 , C30B25/18
Abstract: 본 발명은 큰 두께를 가지며 또 고품질인 III족 질화물 결정을 성장시키는 III족 질화물 결정의 제조 방법 및 III족 질화물 결정을 제공하는 것을 목적으로 한다. III족 질화물 결정(13)의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다. 우선, (0001)면에서 방향으로 경사진 주표면(11a)을 갖는 하지 기판(11)이 준비된다. 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판(11)의 주표면(11a) 상에 III족 질화물 결정(13)이 성장된다. 하지 기판(11)의 주표면(11a)은 {01-10}면에서 -5° 이상 5° 이하 경사진 면인 것이 바람직하다.
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公开(公告)号：KR1020110041440A
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020107029290
申请日：2009-06-25
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B3/00 , G02B13/143 , Y10T428/21 , Y10T428/24355 , C30B29/40 , C30B23/06
Abstract: 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) N(0 x Ga
(1-x) N 단결정(10)을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함한다. 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)이 성장한다. 또한, Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)에 있어서, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.3 이상이다.-
公开(公告)号：KR1020110040814A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020117000149
申请日：2009-06-25
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B13/143 , Y10T428/24355 , Y10T428/2973
Abstract: Al
x Ga
(1-x) N(0 x Ga
(1-x) N 단결정을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함하고 있다. Al
x Ga
(1-x) N 단결정과 동일한 조성비(x)를 갖는 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 Al
x Ga
(1-x) N 단결정이 성장된다. 또한, Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)은, 300 K로 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 미만의 파장의 광에 대한 흡수 계수가 100 cm
-1 이하이며, 300 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 파장의 광에 대한 흡수 계수가 21 cm
-1 이하이다.-
公开(公告)号：KR1020100130939A
公开(公告)日：2010-12-14
申请号：KR1020097024482
申请日：2009-03-06
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B23/08 , H01L21/203 , C23C14/28 , C30B29/38
CPC classification number: C30B23/066 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/0254
Abstract: 화합물 반도체 단결정의 제조 장치(1)는, 원료에 레이저광을 조사함으로써 원료를 승화시킬 수 있는 레이저 광원(6)과, 레이저 광원(6)으로부터 출사되는 레이저광을 투과시켜 용기 내부에 도입할 수 있는 레이저 도입창(5)을 가지며, 승화된 원료를 재결정화시키는 하지 기판(3)을 유지할 수 있는 반응 용기(2)와, 하지 기판(3)을 가열할 수 있는 히터(7)를 구비한다. 반응 용기(2) 내의 원료에 레이저광을 조사하여 가열함으로써 승화시키고, 승화된 원료를 하지 기판(3) 위에서 재결정화시켜 화합물 반도체 단결정을 성장시키며, 그 후에 레이저광을 이용하여 화합물 반도체 단결정을 하지 기판(3)으로부터 분리한다.
화합물 반도체 단결정-
公开(公告)号：KR1020100116109A
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020097021671
申请日：2009-02-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C23C14/04 , C23C14/48 , H01L21/203
CPC classification number: C30B29/403 , C23C14/0641 , C23C14/28 , C30B23/02
Abstract: 본 발명은 평탄하고 얇은 AlN 박막 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. AlN 박막(2)은 III족 원소, IV족 원소 및 V족 원소로부터 선택된 1종 이상의 첨가 원소를 0.001 wt% 이상 10 wt% 이하 함유한다. 이 AlN 박막(2)은, III족 원소, IV족 원소 및 V족 원소로부터 선택된 1종 이상의 첨가 원소를 0.001 wt 이상 10 wt% 이하 함유하는 AlN 소결체를 진공 챔버 내에 세팅하고, 기재(1)를 진공 챔버 내에 세팅한 상태에서 AlN 소결체에 레이저를 조사함으로써 발생한 플라즈마를 이용하여 기재(1) 상에 형성할 수 있다.
질화 알루미늄 박막
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