公开(公告)号：KR100375417B1

公开(公告)日：2003-03-10

申请号：KR1020000008082

申请日：2000-02-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사카모토료지 ,  나카지마시게루

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7783

Abstract: 전계효과트랜지스터는, GaInP반도체를 포함하는 제 1의 채널층과, GaAs반도체를 포함하는 제 2의 채널층을 가지는 복수채널구조를 갖는다. 채널에 있어서의 전계가 낮을때에, 채널전류는 제 2의 채널층을 주로 전도하고, 그 전계가 높을때는, 제 2의 채널층을 흐르는 전자가 제 1의 채널층에 실공간천이하게 되므로, 채널전자는 제 1의 채널층을 주로 전도한다. GaInP반도체는 GaAs반도체에 비해서 넓은금제띠(禁制帶)폭을 가지므로, GaInP반도체의 애벌란시항복전압은 GaAs반도체보다도 높다. 높은 전계일때에는, 전도전자는, 이 GaInP반도체층을 전도하므로, 전계효과트랜지스터의 내압이 향상된다.

Abstract translation: 场效应晶体管具有复合沟道结构，其具有包含GaInP半导体的第一沟道层和包含GaAs半导体的第二沟道层。 当沟道中的电场低时，沟道电流主要在第二沟道层中传导。 当电场高时，在第二沟道层中流动的电子通过真实的空间跃迁移动到第一沟道层。 这些电子主要在第一沟道层中在沟道中传导。 由于GaInP半导体具有比GaAs半导体更宽的禁带宽度，所以GaInP半导体的雪崩击穿电压高于GaAs半导体的雪崩击穿电压。 当电场高时，传导电子在该GaInP半导体层中传播。 这也改善了场效应晶体管的雪崩击穿电压。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100374926B1

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：KR1019950038563

申请日：1995-10-31

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 쿠라시마히로미 ,  타카하시히사토 ,  키타야마켕이치 ,  사카모토료지 ,  사와다소사쿠 ,  세키구치타케시 ,  토나이이치로 ,  시가노부오

IPC: G02B6/42

CPC classification number: G02B6/4292 ,  G02B6/4245 ,  G02B6/4246 ,  G02B6/4263 ,  G02B6/4269 ,  G02B6/4274 ,  G02B6/4281 ,  G02B6/4283

Abstract: 본 발명은, 간단한 작업으로 하우징내에 수용하는 슬리브의 정렬정밀도를 향상시키는 구조를 구비한 광모듈을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 슬리브(5),(6)를 유지하는 슬리드유지체(7)와, 상기 슬리브(5),(6)를 수용하는 캐비티를 가지는 하우징(4)의 각각에, 상기 슬리브(5),(6)의 위치를 규정하기 위한 특수한 구조를 형성하고 있고, 특히, 하우징(4)에는 슬리브(5),(6)의 고정위치를 규정하는 기준면(31a),(32a),(37a),(38a)을 가진 지지부(31),(32)가 형성되어 있고, 슬리브유지체(7)에는 슬리브(5),(6)를 상기 기준면(31a),(32a) (37a),(38a)에 압압해서 닿게 하기 위한 탄성부(25)가 각각 형성되어 있는 것이 그 특징이다.

Abstract translation: 提供一种光学模块1，其具有这样的结构，其中通过简单的操作可以提高待容纳在壳体4中的套筒5,6的对准精度。 光学模块1提供用于限定套筒5,6相对于用于保持套筒5,​​6的套筒保持器7的位置的特殊结构，并且壳体4具有用于容纳套筒5,6的空腔100.特别地， 壳体4包括支撑部分，每个支撑部分具有用于限定相应的套筒5,6的固定位置的参考表面。套筒支撑件7包括各自用于将套筒5,6推压到参考表面上的弹簧片。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020000062575A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：KR1020000008082

申请日：2000-02-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사카모토료지 ,  나카지마시게루

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7783

Abstract: 전계효과트랜지스터는, GaInP반도체를포함하는제 1의채널층과, GaAs반도체를포함하는제 2의채널층을가지는복수채널구조를갖는다. 채널에있어서의전계가낮을때에, 채널전류는제 2의채널층을주로전도하고, 그전계가높을때는, 제 2의채널층을흐르는전자가제 1의채널층에실공간천이하게되므로, 채널전자는제 1의채널층을주로전도한다. GaInP반도체는 GaAs반도체에비해서넓은금제띠(禁制帶)폭을가지므로, GaInP반도체의애번란시항복전압은 GaAs반도체보다도높다. 높은전계일때에는, 전도전자는, 이 GaInP반도체층을전도하므로, 전계효과트랜지스터의내압이향상된다.

公开(公告)号：KR1020000029425A

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：KR1019990047666

申请日：1999-10-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사카모토료지 ,  하시나가타쯔야

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/1029 ,  H01L29/812

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor is to make the linearity of mutual conductances gm flattened throughout the wider region of a gate bias. CONSTITUTION: A field effect transistor is a MESFET(metal semiconductor field effect transistor) comprising a cap layer(17) having Schottky conjunction with a channel layer(13) and a gate electrode(20), and especially, one or more subsidiary layers are formed between the channel layer and the cap layer, a doping concentration of the one or more subsidiary layers being lower than that of the channel layer and higher than that of the cap layer. The profile of the doping concentration of the one or more subsidiary layers is set to decrease from the channel layer to the cap layer in the exponential functional form.

Abstract translation: 目的：场效应晶体管是使栅极偏置的整个较宽区域的互导线性均匀化。 构成：场效应晶体管是MESFET（金属半导体场效应晶体管），其包括与沟道层（13）和栅电极（20）肖特基结合的盖层（17），特别地，一个或多个辅助层 形成在沟道层和覆盖层之间，一个或多个辅助层的掺杂浓度低于沟道层的掺杂浓度，并且高于封装层的掺杂浓度。 一个或多个辅助层的掺杂浓度的曲线被设置为以指数函数形式从沟道层减小到覆盖层。

公开(公告)号：KR100357987B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019950039328

申请日：1995-11-02

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사와다소사쿠 ,  사카모토료지 ,  쿠라시마히로미 ,  타카기다이스케 ,  오오에사토시 ,  세키구치타케시 ,  시가노부오

IPC: G02B6/42

CPC classification number: H05K1/189 ,  G02B6/4245 ,  G02B6/4269 ,  G02B6/4274 ,  G02B6/4281 ,  G02B6/4283 ,  H05K1/0393 ,  H05K1/118 ,  H05K3/0058 ,  H05K3/306 ,  H05K3/3447 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/1034 ,  H05K2201/10446 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2201/10651 ,  H05K2201/10689 ,  H05K2201/2009 ,  Y02P70/611

Abstract: 본 발명은 외부로부터 인가되는 스트레스에 대해서 충분한 기계적강도를 가진, 고신뢰성의 광모듈용 회로기판을 제공하는 것을 목적으로 하고, 그 구성에 있어서 도전성의 금속배선을 포함하는 층을 절연층사이에 삽입한 적층구조를 적어도 가진 가요성프린트회로를 구비하고, 이 가요성프린트회로는 상기 적충구조를 구비한 동시에, 전자부품이 실장되는 제 1면과, 이제 1면에 대향한 제 2면을 가진 본체부와, 상기 적충구조를 구비한 동시에 상기 본체부의 일단부로부터 뻗은 넥부와, 상기 본체부의 일단부로부터 뻗은 넥부의 선단부에 위치하고, 상기 적층구조를 구비한 동시에, 광동작소자와 바이패스콘덴서가 탑재된 헤드부를 구비한다. 특히, 상기 넥부는, 당해 회로기판이 충분한 기계적강도가 얻어지도록 상기 본체부와 헤드부의 위치관계를 규정하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种高度可靠的光学模块电路板，其相对于外部应力具有足够的机械强度。 根据本发明的光学模块电路板（8）包括具有多层结构的柔性印刷电路（46），其中包含导电金属互连的层夹在绝缘层之间，其中柔性印刷电路包括主 具有多层结构的第一主体部分（46a），安装有电子部件的第一表面以及与第一表面相对的第二表面;颈部（46c），具有多层结构并从主体部分的一端延伸; 以及头部（46b），该头部（46b）位于从主体部分的一端延伸的颈部的远端，具有多层结构，并且安装有光学操作元件和旁路电容器。 特别地，颈部（46c）限定主体部分（46a）和头部（46b）之间的位置关系，以便为电路板（8）提供足够的机械强度。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1019960018636A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019950039328

申请日：1995-11-02

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사와다소사쿠 ,  사카모토료지 ,  쿠라시마히로미 ,  타카기다이스케 ,  오오에사토시 ,  세키구치타케시 ,  시가노부오

IPC: G02B6/42

Abstract: 본 발명은 외부로부터 인가되는 스트레스에 대해서 충분한 기계적강도를 가진, 고신뢰성의 광모듈용 회로기판을 제공하는 것을 목적으로 하고, 그 구성에 있어서 도전성의 금속배선을 포함하는 층을 절연층사이에 삽입한 적층구조를 적어도 가진 가요성프린트회로를 구비하고, 이 가요성프린트회로는 상기 적층구조를 구비한 동시에, 전자부품이 실장되는 제1면과, 이 제1면에 대향한 제2면을 가진 본체부와, 상기 적층구조를 구비한 동시에 상기 본체부의 일단부로부터 뻗은 넥부와, 상기 본체부의 일단부로부터 뻗은 넥부의 선단부에 위치하고, 상기 적층구조를 구비한 동시에, 광동작소자와 바이패스콘덴서가 탑재된 헤드부를 구비한다. 특히, 상기 넥부는, 당해 회로기판이 충분한 기계적강도가 얻어지도록 상기 본체부와 헤드부의 위치관계를 규정하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.

公开(公告)号：KR1019960014985A

公开(公告)日：1996-05-22

申请号：KR1019950038563

申请日：1995-10-31

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 쿠라시마히로미 ,  타카하시히사토 ,  키타야마켕이치 ,  사카모토료지 ,  사와다소사쿠 ,  세키구치타케시 ,  토나이이치로 ,  시가노부오

IPC: G02B6/42

Abstract: 본 발명은, 간단한 작업으로 하우징내에 수용하는 슬리브의 정렬정밀도를 향상시키는 구조를 구비한 광모듈을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 슬리브(5),(6)를 유지하는 슬리브유지체(7)와, 상기 슬리브(5),(6)를 수용하는 캐비티를 가지는 하우징(4)의 각각에, 상기 슬리브(5),(6)의 위치를 규정하기 위한 특수한 구조를 형성하고 있고, 특히, 하우징(4)에는 슬리브(5),(6)의 고정위치를 규정하는 기준면931a),(32a),(37a),(38a)을 가진 지지부(31),(32)가 형성되어 있고, 슬리브유지체(7)에는 슬리브(5),(6)를 상기 기준면(31a),(32a),(37a),(38a)에 압압해서 닿게 하기 위한 탄성부(25)가 각각 형성되어 있는 것이 그 특징이다.