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公开(公告)号:KR102080421B1
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:KR1020187018098
申请日:2016-11-28
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor: 발터안드레아스 , 주헨트룬크크리슈토프 , 벡크토마스 , 슈타인베르거게르하르트 , 베라홀거 , 브루너하이코 , 뤽브로트슈펜
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公开(公告)号:KR1020170138520A
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:KR1020177033366
申请日:2016-04-20
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본발명은전자적용을위한인쇄회로기판, IC 기판, 반도체및 유리소자의제조에서의구리및 구리합금침착을위한수성산성도금배쓰에관한것이다. 본발명에따른도금배쓰는적어도하나의구리이온의공급원, 적어도하나의산 및적어도하나의구아니딘화합물을포함한다. 도금배쓰는리세스된구조의구리도금및 구리필러범프구조의빌드-업에특히유용하다.
Abstract translation: 本发明涉及在制造用于电子应用的印刷电路板,IC基板,半导体和玻璃元件中用于铜和铜合金沉积的酸性水浴槽。 根据本发明的电镀浴包含至少一种铜离子源,至少一种酸和至少一种胍化合物。 电镀对凹槽镀铜和铜填充物凸点结构的建立特别有用。
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