公开(公告)号：KR102080421B1

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：KR1020187018098

申请日：2016-11-28

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 발터안드레아스 ,  주헨트룬크크리슈토프 ,  벡크토마스 ,  슈타인베르거게르하르트 ,  베라홀거 ,  브루너하이코 ,  뤽브로트슈펜

IPC: C23C18/44 ,  C23C18/16 ,  H05K3/18

公开(公告)号：KR1020170129793A

公开(公告)日：2017-11-27

申请号：KR1020177027776

申请日：2016-03-18

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 주헨트룬크크리슈토프 ,  슈바르츠크리슈티안

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/16

CPC classification number: H01L21/32053 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/1655 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/38 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838

Abstract: 본발명은실리콘기판의활성화를위한활성화조성물에관한것으로, 팔라듐이온의소스, 불소이온의소스및 적어도 2종의방향족산들을포함하는수용액이다. 본발명은또한그 사용방법및 선택적으로이러한처리된기판의후속금속화를위한방법에관한것이다. 방법은반도체및 태양전지제조에채용될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及用于活化硅衬底的活化组合物，其是包含钯离子源，氟离子源和至少两种芳族酸的水溶液。 本发明还涉及其使用方法以及任选地用于随后对这种处理过的基材进行金属化的方法。 该方法可用于半导体和太阳能电池制造。

公开(公告)号：KR102070536B1

公开(公告)日：2020-01-29

申请号：KR1020187018109

申请日：2016-11-28

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 발터안드레아스 ,  주헨트룬크크리슈토프 ,  벡크토마스 ,  슈타인베르거게르하르트 ,  베라홀거 ,  브루너하이코 ,  프뢰제베른트

IPC: C23C18/44 ,  C23C18/16 ,  H05K3/18

公开(公告)号：KR102004555B1

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：KR1020137032980

申请日：2012-05-09

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 울리히알브레히트 ,  가이다요제프 ,  주헨트룬크크리슈토프

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

公开(公告)号：KR1020160143667A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：KR1020167027646

申请日：2015-04-07

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 주헨트룬크크리슈토프 ,  그룸트카타리나 ,  크라머율리아

IPC: C23C18/44 ,  C23C18/16 ,  C23C18/54 ,  H05K3/24

CPC classification number: C23C18/44 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/54 ,  H01L21/288 ,  H05K3/187 ,  H05K3/24 ,  H05K3/244 ,  C23C18/1676

Abstract: 본발명은도금조조성물및 기판상의무전해도금에의한팔라듐층의침착방법에관한것이다. 본발명에따른수성산성도금조는팔라듐이온을위한공급원, 환원제, 팔라듐이온을위한질소화착물화제및 하나이상의잔기가친수성잔기이고하나이상의잔기가음성메소메리효과를갖는, 2 개이상의잔기를포함하는방향족화합물로이루어진군으로부터선택되는수용성안정화제를포함한다. 도금조는목적하지않는분해에대한증가된안정성을가지면서, 충분한도금율을유지한다.

Abstract translation: 本发明涉及电镀浴组合物和通过无电镀法沉积到基底上的方法。 根据本发明的酸性电镀浴包含钯离子源，还原剂，钯离子的氮化络合剂和选自包含至少两个残基的芳族化合物的水溶性稳定剂，其中在 至少一个残基是亲水残基，并且至少一个残基具有负的介子效应。 电镀浴具有提高的稳定性，防止不希望的分解，同时保持足够的电镀速率。

公开(公告)号：KR1020140043753A

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：KR1020137032980

申请日：2012-05-09

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 울리히알브레히트 ,  가이다요제프 ,  주헨트룬크크리슈토프

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015

Abstract: 본 발명은 금속 와이어 본딩 응용들을 위한 접촉 영역/배리어 층/제 1 본딩 층 타입의 금속 및 금속 합금 층 시퀀스들에서의 박형 확산 배리어들에 관한 것이다. 확산 배리어는 Co-MP, Co-MB 및 Co-MBP 합금으로부터 선택되고, 여기서 M은 두께가 0.03 내지 0.3 ㎛ 범위인 Mn, Zr, Re, Mo, Ta 및 W으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 제 1 본딩 층은 팔라듐 및 팔라듐 합금으로부터 선택된다.

Abstract translation: 本发明涉及用于金属线接合应用的接触面积/阻挡层/第一接合层类型的金属和金属合金层序列中的薄扩散阻挡层。 扩散阻挡层选自Co-M-P。 Co-M-B和Co-M-B-P合金，其中M选自厚度在0.03至0.3μm范围内的Mn，Zr，Re，Mo，Ta和W。 第一粘合层选自钯和钯合金。