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公开(公告)号：KR101536029B1
公开(公告)日：2015-07-10
申请号：KR1020107019751
申请日：2009-04-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 특히, 블라인드마이크로비아 (BMV) 및트렌치에서매우균일한구리성막물을형성시키기위해, 구리의전해성막을위한수성산욕이제공되고, 상기욕은적어도 1 종의구리이온공급원, 적어도 1 종의산 이온공급원, 적어도 1 종의광택제화합물및 적어도 1 종의레벨러화합물을함유하고, 적어도 1 종의레벨러화합물은합성적으로생성된비기능화된펩티드및 합성적으로생성된기능화된펩티드및 합성적으로생성된기능화된아미노산을포함하는그룹으로부터선택된다.
Abstract translation: 水性酸浴至少包含铜离子源，至少一种酸离子源，至少一种增亮化合物和至少一种包含未官能化肽的水平化合物，或合成产生的和官能化的氨基酸和肽。 包括用于在工件上电解铜沉积工艺的独立权利要求，包括提供用于电解沉积铜和至少阳极的水性酸浴，所述阳极与所述工件和所述阳极接触所述含水酸浴，并产生 工件和阳极之间的电流流动，铜沉积在工件上。
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公开(公告)号：KR1020110070987A
公开(公告)日：2011-06-27
申请号：KR1020117008919
申请日：2009-10-07
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/3473 , C25D3/32 , C25D5/022 , C25D5/48 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05027 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/1134 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K3/064 , H05K3/3452 , H05K2203/043 , H05K2203/054 , H05K3/34 , H01L21/48 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: i) 적어도 하나의 접촉 영역을 포함하는 전기 회로 소자를 갖춘 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계,
ii) 기판의 표면에 배치되어 적어도 하나의 접촉 영역을 노출하도록 패턴화된 땜납 마스크 층을 형성하는 단계,
iii) 땜납 마스크 층 및 적어도 하나의 접촉 영역을 포함하는 전체 기판 영역과 기판의 표면 상에 도전성 층을 제공하기에 적합한 용액을 접촉시키는 단계,
iv) 도전성 층 상에 주석 또는 주석 합금을 함유하는 땜납 용착물 층을 전해도금하는 단계, 및
v) 적어도 하나의 접촉 영역 상에서 땜납 용착물 층을 남겨두고 땜납 마스크 층 영역으로부터 땜납 용착물 층과 도전성 층 양자를 제거하기에 충분하도록 주석 또는 주석 합금을 포함하는 땜납 용착물 층과 도전성 층의 소정량을 에칭시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 땜납 용착물을 형성하는 방법이 기재되어 있다.Abstract translation: 描述了在衬底上形成焊料沉积物的方法，包括以下步骤：i）提供包括表面承载电路的衬底，其包括至少一个接触区域，ii）形成放置在衬底表面上的焊料掩模层，以及 图案化以暴露所述至少一个接触区域，iii）使包括焊料掩模层和至少一个接触区域的整个基板区域与适于在基板表面上提供导电层的溶液接触，iv）电镀焊料沉积层 在导电层上含有锡或锡合金，以及v）蚀刻一定量的包含锡或锡合金的焊料沉积层，该锡或锡合金足以从焊料掩模层区域去除焊料沉积层，留下至少一个焊料层 接触面积
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公开(公告)号：KR1020100135736A
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020107019751
申请日：2009-04-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 특히, 블라인드 마이크로 비아 (BMV) 및 트렌치에서 매우 균일한 구리 성막물을 형성시키기 위해, 구리의 전해 성막을 위한 수성 산욕이 제공되고, 상기 욕은 적어도 1 종의 구리 이온 공급원, 적어도 1 종의 산 이온 공급원, 적어도 1 종의 광택제 화합물 및 적어도 1 종의 레벨러 화합물을 함유하고, 적어도 1 종의 레벨러 화합물은 합성적으로 생성된 비기능화된 펩티드 및 합성적으로 생성된 기능화된 펩티드 및 합성적으로 생성된 기능화된 아미노산을 포함하는 그룹으로부터 선택된다.
Abstract translation: 水性酸浴至少包含铜离子源，至少一种酸离子源，至少一种增亮化合物和至少一种包含未官能化肽的水平化合物，或合成产生的和官能化的氨基酸和肽。 包括用于在工件上电解铜沉积工艺的独立权利要求，包括提供用于电解沉积铜和至少阳极的水性酸浴，所述阳极与所述工件和所述阳极接触所述含水酸浴，并产生 工件和阳极之间的电流流动，铜沉积在工件上。
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