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公开(公告)号：KR101899621B1
公开(公告)日：2018-09-17
申请号：KR1020137033919
申请日：2012-05-07
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C25D3/38
CPC classification number: C25D3/38 , C25D5/34 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/76898 , H05K3/187 , H05K3/423 , H05K2203/0733
Abstract: 기판이, 티올기를갖는헤테로시클릭코어, 및스페이서에의해상기헤테로시클릭코어에부착된아미노기를포함하는레벨러첨가제와접촉되는도금욕에서의구리도금방법이개시된다. 상기방법은인쇄회로판, IC 기판및 반도체기판의제조에있어서홈 구조들을충전하는데특히적합하다.
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公开(公告)号：KR101536029B1
公开(公告)日：2015-07-10
申请号：KR1020107019751
申请日：2009-04-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 특히, 블라인드마이크로비아 (BMV) 및트렌치에서매우균일한구리성막물을형성시키기위해, 구리의전해성막을위한수성산욕이제공되고, 상기욕은적어도 1 종의구리이온공급원, 적어도 1 종의산 이온공급원, 적어도 1 종의광택제화합물및 적어도 1 종의레벨러화합물을함유하고, 적어도 1 종의레벨러화합물은합성적으로생성된비기능화된펩티드및 합성적으로생성된기능화된펩티드및 합성적으로생성된기능화된아미노산을포함하는그룹으로부터선택된다.
Abstract translation: 水性酸浴至少包含铜离子源，至少一种酸离子源，至少一种增亮化合物和至少一种包含未官能化肽的水平化合物，或合成产生的和官能化的氨基酸和肽。 包括用于在工件上电解铜沉积工艺的独立权利要求，包括提供用于电解沉积铜和至少阳极的水性酸浴，所述阳极与所述工件和所述阳极接触所述含水酸浴，并产生 工件和阳极之间的电流流动，铜沉积在工件上。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020140119123A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020147022888
申请日：2012-11-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본 발명은, 2가 황을 포함하는 유기 화합물을 포함하지 않는 수성 구리 전해질로부터 제 1 구리 층이 성막되는 무광 구리 코팅의 성막 방법에 관한 것이다. 그 후에, 제 2 구리 층이, 제 1 및 제 2 수용성 황 함유 첨가물을 포함하는 수성 구리 전해질로부터 제 1 구리 층 상에 성막되고, 제 1 수용성 황 함유 화합물은 알킬 술폰산 유도체이고 제 2 수용성 황 함유 첨가물은 방향족 술폰산 유도체이다. 본 방법은, 장식 용도를 위한 균일하고 조정가능한 무광 외관을 갖는 구리 층들을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020150088307A
公开(公告)日：2015-07-31
申请号：KR1020157016894
申请日：2013-11-12
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 브루너하이코 , 뢸프스베른트 , 비트착아그니에시카 , 콜만라르스 , 만올리비에 , 오데크리슈티안 , 방게르터티모 , 페로안젤로 , 키르브스안드레아스 , 슈뫼켈안드레 , 로데디르크 , 악커만슈테파니
IPC: C25D3/38 , C25D3/58 , H01L21/288
CPC classification number: C25D3/38 , C25D3/58 , C25D5/02 , H01L21/2885 , H01L21/76898
Abstract: 본발명은전자응용들을위한인쇄회로판, IC 기판, 반도성및 유리디바이스들의제조에서의구리및 구리합금성막을위한수성산성도금욕들에관한것이다. 본발명에따른도금욕은구리이온들, 적어도하나의산, 및양 말단에아미노잔기들을포함하고유기결합할로겐을함유하지않는우레일렌폴리머를포함한다. 그도금욕은, 홈구조들을구리로충전하고필러범프구조들의빌드업에특히유용하다.
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公开(公告)号：KR1020140033447A
公开(公告)日：2014-03-18
申请号：KR1020137033919
申请日：2012-05-07
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C25D3/38
CPC classification number: C25D3/38 , C25D5/34 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/76898 , H05K3/187 , H05K3/423 , H05K2203/0733
Abstract: 기판이, 티올기를 갖는 헤테로시클릭 코어, 및 스페이서에 의해 상기 헤테로시클릭 코어에 부착된 아미노기를 포함하는 레벨러 첨가제와 접촉되는 도금욕에서의 구리 도금 방법이 개시된다. 상기 방법은 인쇄 회로판, IC 기판 및 반도체 기판의 제조에 있어서 홈 구조들을 충전하는데 특히 적합하다.
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公开(公告)号：KR1020100135736A
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020107019751
申请日：2009-04-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 특히, 블라인드 마이크로 비아 (BMV) 및 트렌치에서 매우 균일한 구리 성막물을 형성시키기 위해, 구리의 전해 성막을 위한 수성 산욕이 제공되고, 상기 욕은 적어도 1 종의 구리 이온 공급원, 적어도 1 종의 산 이온 공급원, 적어도 1 종의 광택제 화합물 및 적어도 1 종의 레벨러 화합물을 함유하고, 적어도 1 종의 레벨러 화합물은 합성적으로 생성된 비기능화된 펩티드 및 합성적으로 생성된 기능화된 펩티드 및 합성적으로 생성된 기능화된 아미노산을 포함하는 그룹으로부터 선택된다.
Abstract translation: 水性酸浴至少包含铜离子源，至少一种酸离子源，至少一种增亮化合物和至少一种包含未官能化肽的水平化合物，或合成产生的和官能化的氨基酸和肽。 包括用于在工件上电解铜沉积工艺的独立权利要求，包括提供用于电解沉积铜和至少阳极的水性酸浴，所述阳极与所述工件和所述阳极接触所述含水酸浴，并产生 工件和阳极之间的电流流动，铜沉积在工件上。
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