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公开(公告)号：KR1020090022086A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087146
申请日：2007-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L31/035281 , H01L33/08 , H01L33/20 , Y10S977/70 , Y10S977/762 , Y10S977/84
Abstract: A regioselectively lateral nanowire growth process is provided to improve integration degree of device by selecting desired location when nano device is manufactured and growing nanowire. A regioselectively lateral nanowire growth process comprises steps of: forming the first oxide silicon thin film on a silicon substrate; forming two or more long grooves; removing the remaining first oxide silicon thin film; forming a silicon core surrounded by the second oxide silicon thin film(3); etching perpendicularly a predetermined part of both sides of a silicon core surrounded by the second silicon thin film by patterning and removing it; forming a hollow channel of which the both sides are opened; depositing a catalyst metal layer on one end of the hollow channel; forming a protective film on a top surface of the catalyst metal layer; and growing nanowire in the hollow channel from the catalyst metal layer(7) to the silicon substrate in horizontal direction.
Abstract translation: 提供区域选择性横向纳米线生长工艺，以通过在纳米器件制造和生长纳米线时选择所需位置来提高器件的集成度。 区域选择性横向纳米线生长方法包括以下步骤：在硅衬底上形成第一氧化硅薄膜; 形成两个或多个长槽; 去除剩余的第一氧化硅薄膜; 形成由所述第二氧化硅薄膜（3）包围的硅芯; 通过图案化和除去由第二硅薄膜包围的硅芯的两侧的预定部分垂直蚀刻; 形成两侧打开的中空通道; 在所述中空通道的一端上沉积催化剂金属层; 在催化剂金属层的顶表面上形成保护膜; 并在中空通道中从水平方向从催化剂金属层（7）到硅衬底生长纳米线。
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公开(公告)号：KR101345456B1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：KR1020070087146
申请日：2007-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L31/035281 , H01L33/08 , H01L33/20 , Y10S977/70 , Y10S977/762 , Y10S977/84
Abstract: 본발명은위치선택적수평형나노와이어의성장방법, 그에의해형성된나노와이어및 이를포함하는나노소자에관한것으로, 더욱상세하게는소자제작시 원하는위치를선택하여기판과수평방향으로일정한길이와직경을갖는나노와이어를성장시킴으로써, 소자의집적도를향상시킬수 있는위치선택적수평형나노와이어의성장방법, 그에의해형성된나노와이어및 이를포함하는나노소자에관한것이다.
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3.发明公开
公开(公告)号：KR1020070109462A
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020060042465
申请日：2006-05-11
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L21/02603 , H01L21/02178 , H01L21/02554 , H01L21/823437
Abstract: A method for growing nanowires is provided to solve both the limitation of conventional vertical transistor manufacture techniques and the limitation of nanowire integration by vertically growing silicon or compound semiconductor nanowires at desired positions on a silicon substrate. A method for growing nanowires includes the steps of: patterning indents at desired positions(101) on a silicon substrate(105); depositing a metal on the bottoms of the indents; depositing an aluminum layer with predetermined thickness on the silicon substrate; subjecting the aluminum layer to anodizing to form an aluminum oxide layer(104) in which cylindrical holes are formed to expose the metal at the desired positions; and growing vertical nanowires through the cylindrical holes.
Abstract translation: 提供了一种用于生长纳米线的方法，以解决常规垂直晶体管制造技术的局限性以及通过在硅衬底上的期望位置垂直生长硅或化合物半导体纳米线来限制纳米线整合。 用于生长纳米线的方法包括以下步骤：在硅衬底（105）上的期望位置（101）上构图凹痕; 在金属底部沉积金属; 在硅衬底上沉积预定厚度的铝层; 对铝层进行阳极氧化以形成氧化铝层（104），其中形成圆柱形孔以将金属暴露在所需位置; 并通过圆柱形孔生长垂直的纳米线。
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4.发明授权
公开(公告)号：KR100810983B1
公开(公告)日：2008-03-10
申请号：KR1020060042465
申请日：2006-05-11
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 실리콘 단결정 기판 위에 위치 선택적으로 또는 규칙적으로 배열된 실리콘 또는 화합물 반도체 단결정 나노선을 수직 방향으로 성장시키는 방법, 및 이러한 나노선을 포함하여 이루어지는 실리콘 또는 화합물반도체 동축 수직형 전계효과트랜지스터나 발광-수광 소자와 같은 전자 나노 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 나노선 성장 방법은, 실리콘 기판 위의 원하는 위치에 구덩이를 패터닝하는 단계; 상기 구덩이의 바닥에 금속을 증착하는 단계; 상기 실리콘 기판 위에 소정 두께의 알루미늄 막을 증착하는 단계; 상기 알루미늄 막을 양극산화시킴으로써 상기 원하는 위치에 상기 금속이 노출되도록 원통형 구멍이 형성된 알루미늄 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 원통형 구멍을 통해 수직형 나노선을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
수직형 반도체 나노선, 동축형 전계트랜지스터, 자가조립 성장, 다공성 알루미늄 산화막 마스크
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