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公开(公告)号：KR101148410B1
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：KR1020050070485
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 무선랜망 및 광대역 무선 통신망과 통신 가능한 단말기에서 이종망간 핸드오프 결정 장치 및 방법에 관한 것으로서, 상기 무선랜과 송수신하는 신호의 전송속도정보를 이종망간 핸드오프 결정모듈에 제공하는 MAC(Medium Access Control)계층과, 상기 MAC계층으로부터 제공받은 상기 전송속도정보를 이용하여 상기 이종망간 핸드오프 여부를 결정하는 상기 이종망간 핸드오프 결정모듈을 포함하여, 상기 무선랜에 접속된 다른 노드들의 성능을 고려하여 성능 이형현상(Performance Anomaly)을 방지해준다. 또한, 상기 무선랜의 AP(Access Point)와 상기 노드와의 거리에 따른 전송속도의 변화량을 이용하여 상기 노드의 끊김 없는 연결성(Seamless Connectivity)을 보다 확실하게 보장해주는 이점이 있다.
이종망간 핸드오프, 비컨 메시지, 광대역 무선 통신시스템, 무선랜-
公开(公告)号：KR1020090022086A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087146
申请日：2007-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L31/035281 , H01L33/08 , H01L33/20 , Y10S977/70 , Y10S977/762 , Y10S977/84
Abstract: A regioselectively lateral nanowire growth process is provided to improve integration degree of device by selecting desired location when nano device is manufactured and growing nanowire. A regioselectively lateral nanowire growth process comprises steps of: forming the first oxide silicon thin film on a silicon substrate; forming two or more long grooves; removing the remaining first oxide silicon thin film; forming a silicon core surrounded by the second oxide silicon thin film(3); etching perpendicularly a predetermined part of both sides of a silicon core surrounded by the second silicon thin film by patterning and removing it; forming a hollow channel of which the both sides are opened; depositing a catalyst metal layer on one end of the hollow channel; forming a protective film on a top surface of the catalyst metal layer; and growing nanowire in the hollow channel from the catalyst metal layer(7) to the silicon substrate in horizontal direction.
Abstract translation: 提供区域选择性横向纳米线生长工艺，以通过在纳米器件制造和生长纳米线时选择所需位置来提高器件的集成度。 区域选择性横向纳米线生长方法包括以下步骤：在硅衬底上形成第一氧化硅薄膜; 形成两个或多个长槽; 去除剩余的第一氧化硅薄膜; 形成由所述第二氧化硅薄膜（3）包围的硅芯; 通过图案化和除去由第二硅薄膜包围的硅芯的两侧的预定部分垂直蚀刻; 形成两侧打开的中空通道; 在所述中空通道的一端上沉积催化剂金属层; 在催化剂金属层的顶表面上形成保护膜; 并在中空通道中从水平方向从催化剂金属层（7）到硅衬底生长纳米线。
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公开(公告)号：KR100893691B1
公开(公告)日：2009-04-17
申请号：KR1020050049692
申请日：2005-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H04B7/26
Abstract: 무선 랜과 IEEE 802.16 시스템을 동시에 지원하는 단말의 이종망간 핸드오프를 결정하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 단말로부터 핸드오프 요청 메시지가 수신되는지 확인하는 과정과, 상기 단말이 접속될 경우의 상기 무선 랜의 처리율의 변화량을 예측하여 산출하는 과정과, 상기 산출된 무선 랜의 처리율 변화량을 0과 비교하는 과정과, 상기 산출된 무선 랜의 처리율 변화의 크기가 0보다 크거나 같다면, 상기 단말의 핸드오프 요청을 수락하여 핸드오프를 수행하는 과정을 포함하여, 전체적인 네트워크 부하의 균형을 유지할 수 있는 효과가 있다.
수직 핸드오프(Vertical Hand off), 광대역 무선 통신 시스템, 무선 랜, 핸드오프 결정,-
Patent Agency Ranking4.发明授权
公开(公告)号：KR100810983B1
公开(公告)日：2008-03-10
申请号：KR1020060042465
申请日：2006-05-11
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 실리콘 단결정 기판 위에 위치 선택적으로 또는 규칙적으로 배열된 실리콘 또는 화합물 반도체 단결정 나노선을 수직 방향으로 성장시키는 방법, 및 이러한 나노선을 포함하여 이루어지는 실리콘 또는 화합물반도체 동축 수직형 전계효과트랜지스터나 발광-수광 소자와 같은 전자 나노 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 나노선 성장 방법은, 실리콘 기판 위의 원하는 위치에 구덩이를 패터닝하는 단계; 상기 구덩이의 바닥에 금속을 증착하는 단계; 상기 실리콘 기판 위에 소정 두께의 알루미늄 막을 증착하는 단계; 상기 알루미늄 막을 양극산화시킴으로써 상기 원하는 위치에 상기 금속이 노출되도록 원통형 구멍이 형성된 알루미늄 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 원통형 구멍을 통해 수직형 나노선을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
수직형 반도체 나노선, 동축형 전계트랜지스터, 자가조립 성장, 다공성 알루미늄 산화막 마스크-
公开(公告)号：KR1020060128334A
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020050049692
申请日：2005-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H04B7/26
Abstract: An apparatus and a method for determining vertical handoff are provided to maintain balance of the overall network loads. An AP(Access Point) of a wireless LAN checks whether there is a node which will perform handoff to the wireless LAN and an association request message for the node is received(701). When the association request message is received, the AP calculates the overall throughput variation(DeltaTNTC WLAN) when the node is connected(703). The AP compares the overall throughput variation with 0(705). When the overall throughput variation is greater than or the same as 0, the AP allows the node to perform handoff to the wireless LAN so as to be connected(707).
Abstract translation: 提供了用于确定垂直切换的装置和方法，以保持整个网络负载的平衡。 无线LAN的AP（接入点）检查是否存在将执行到无线LAN的切换的节点，并且接收到用于节点的关联请求消息（701）。 当接收到关联请求消息时，AP计算节点连接时的总吞吐量变化（DeltaTNTC WLAN）（703）。 AP将总体吞吐量变化与0（705）进行比较。 当总吞吐量变化大于或等于0时，AP允许节点执行到无线局域网的切换以便被连接（707）。
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公开(公告)号：KR101345456B1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：KR1020070087146
申请日：2007-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L31/035281 , H01L33/08 , H01L33/20 , Y10S977/70 , Y10S977/762 , Y10S977/84
Abstract: 본발명은위치선택적수평형나노와이어의성장방법, 그에의해형성된나노와이어및 이를포함하는나노소자에관한것으로, 더욱상세하게는소자제작시 원하는위치를선택하여기판과수평방향으로일정한길이와직경을갖는나노와이어를성장시킴으로써, 소자의집적도를향상시킬수 있는위치선택적수평형나노와이어의성장방법, 그에의해형성된나노와이어및 이를포함하는나노소자에관한것이다.
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020070109462A
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020060042465
申请日：2006-05-11
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L21/02603 , H01L21/02178 , H01L21/02554 , H01L21/823437
Abstract: A method for growing nanowires is provided to solve both the limitation of conventional vertical transistor manufacture techniques and the limitation of nanowire integration by vertically growing silicon or compound semiconductor nanowires at desired positions on a silicon substrate. A method for growing nanowires includes the steps of: patterning indents at desired positions(101) on a silicon substrate(105); depositing a metal on the bottoms of the indents; depositing an aluminum layer with predetermined thickness on the silicon substrate; subjecting the aluminum layer to anodizing to form an aluminum oxide layer(104) in which cylindrical holes are formed to expose the metal at the desired positions; and growing vertical nanowires through the cylindrical holes.
Abstract translation: 提供了一种用于生长纳米线的方法，以解决常规垂直晶体管制造技术的局限性以及通过在硅衬底上的期望位置垂直生长硅或化合物半导体纳米线来限制纳米线整合。 用于生长纳米线的方法包括以下步骤：在硅衬底（105）上的期望位置（101）上构图凹痕; 在金属底部沉积金属; 在硅衬底上沉积预定厚度的铝层; 对铝层进行阳极氧化以形成氧化铝层（104），其中形成圆柱形孔以将金属暴露在所需位置; 并通过圆柱形孔生长垂直的纳米线。
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公开(公告)号：KR1020070016205A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：KR1020050070485
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H04W36/0066 , H04L1/004 , H04W36/18 , H04W84/12
Abstract: 무선랜망 및 광대역 무선 통신망과 통신 가능한 단말기에서 이종망간 핸드오프 결정 장치 및 방법에 관한 것으로서, 상기 무선랜과 송수신하는 신호의 전송속도정보를 이종망간 핸드오프 결정모듈에 제공하는 MAC(Medium Access Control)계층과, 상기 MAC계층으로부터 제공받은 상기 전송속도정보를 이용하여 상기 이종망간 핸드오프 여부를 결정하는 상기 이종망간 핸드오프 결정모듈을 포함하여, 상기 무선랜에 접속된 다른 노드들의 성능을 고려하여 성능 이형현상(Performance Anomaly)을 방지해준다. 또한, 상기 무선랜의 AP(Access Point)와 상기 노드와의 거리에 따른 전송속도의 변화량을 이용하여 상기 노드의 끊김 없는 연결성(Seamless Connectivity)을 보다 확실하게 보장해주는 이점이 있다.
이종망간 핸드오프, 비컨 메시지, 광대역 무선 통신시스템, 무선랜
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