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公开(公告)号：WO2022203301A1
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/KR2022/003878
申请日：2022-03-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 전자 장치가 개시된다. 본 개시에 따른 전자 장치는, 통신 회로를 포함하는 통신 인터페이스 및 통신 인터페이스를 통해 외부 장치로부터 수신된 신호의 세기를 식별하고, 식별된 신호의 세기가 임계 값 이상이면, 전자 장치에 대한 권한(authority) 제한을 해제(unlock)하는 프로세서;를 포함하고, 프로세서는, 식별된 신호의 세기가 임계 값 미만이면, 권한 제한을 유지하며, 신호가 수신된 후 전자 장치에 대한 인증이 완료되면, 신호가 수신되기 전에 외부 장치로부터 수신된 적어도 하나의 신호의 세기에 기초하여 임계 값을 조정한다.
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公开(公告)号：WO2017039191A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/KR2016/009057
申请日：2016-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 다양한 실시예에 따르면, 외부 전자 장치가 탈착 가능하게 거치될 수 있도록 구성된 전자 장치에 있어서, 하우징과, 상기 하우징에 포함되고, 외부 전원으로부터 전력을 수신할 수 있도록 구성된 전력 인터페이스와, 상기 전력 인터페이스와 전기적으로 연결되고, 외부로 무선으로 전력을 전송할 수 있도록 구성된 도전성 패턴 및 상기 도전성 패턴 주변에 배치된, 자석에 의해 끌리는 복수의 부재들을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치를 제공할 수 있다. 그 밖에 다양한 실시예들이 가능하다.
Abstract translation: 根据各种示例，提供了一种被配置为使得外部电子设备能够可拆卸地保持在其上的电子设备，包括：外壳; 包含在所述壳体中并且被配置为使得能够从外部电源接收电力的电力接口; 导电图案，电连接到电源接口并且被配置为使电能无线地传输到外部; 以及布置在导电图案的周围并被磁体拉动的多个构件。 此外，各种示例是可能的。
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公开(公告)号：WO2016108537A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/KR2015/014327
申请日：2015-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0362 , G04C3/001 , G04G17/08 , G04G21/02 , G04G21/025 , G06F1/163 , G06F3/0312 , G06F3/0317 , G06F3/0484
Abstract: 다양한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 전자 부품을 포함하는 본체와, 상기 본체의 적어도 일부 영역을 감싸는 방식으로 회전 가능하게 설치되는 회전체와, 상기 회전체의 회전 파라미터를 검출하기 위한 회전 검출 부재 및 상기 검출된 회전 파라미터를 기반으로 상기 전자 장치의 대응 기능을 수행하는 적어도 하나의 프로세서를 포함하는 전자 장치 및 그 제어 방법을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 根据各种实施例，提供了一种电子设备及其控制方法，所述电子设备包括：主体，包括至少一个电子部件; 可旋转地设置的旋转体，使得旋转体包围主体的区域的至少一部分; 旋转检测装置，用于检测旋转体的旋转参数; 以及至少一个处理器，用于基于检测到的旋转参数来执行电子设备的相应功能。
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公开(公告)号：KR1020100041138A
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：KR1020080100173
申请日：2008-10-13
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode(LED) and a method for manufacturing the same are provided to obtain a blue LED structure with high light extracting efficiency by simultaneously inserting a micrometer size inclined sidewall deflector and nanometer size photonic crystals to a GaN-based LED device. CONSTITUTION: A photonic crystal is integrated on the upper side of a support substrate using a laser holography method and a dry-etching method. A GaN-based epi layer is formed on the upper side of the support substrate. An inclined reflector is formed on the sidewall of the GaN-based epi layer by an inductively coupled plasma-reactive ion etching method. The angle of the inclined reflector is in a range of 20 to 40°. A protective layer is formed on the upper side of the GaN-based epi layer by passing through a reflow.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管（LED）及其制造方法，以通过将微米尺寸的倾斜侧壁偏转器和纳米尺寸光子晶体同时插入到GaN基LED器件中来获得具有高光提取效率的蓝色LED结构 。 构成：使用激光全息法和干蚀刻法将光子晶体集成在支撑基板的上侧。 在支撑基板的上侧形成GaN系外延层。 通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻方法在GaN基外延层的侧壁上形成倾斜反射体。 倾斜反射镜的角度在20°〜40°的范围内。 通过回流在GaN基外延层的上侧形成保护层。
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公开(公告)号：KR100884935B1
公开(公告)日：2009-02-23
申请号：KR1020070108854
申请日：2007-10-29
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 한국해양연구원
IPC: G01N33/48
Abstract: A method of integratedly analyzing a microorganism is provided to analyze qualitatively and quantitively that any microorganism adheres to a surface area having any property by analyzing form of a bio-filter and entity distribution of microorganism about the bio-filter chip having the various surface properties. A method of integratedly analyzing a microorganism comprises steps of: (S10) preparing a bio-filter chip including a substrate of which a surface property changes according to a location in the substrate; (S20) exposing the bio-filter chip to environment that microorganisms exist; and (S30) analyzing the microorganisms on the bio-filter chip. The bio-filter chip includes the substrate of which One or more surface properties change one-dimensionally or multi-dimensionally.
Abstract translation: 提供了一种综合分析微生物的方法，以定性和定量的方式分析任何微生物通过分析生物过滤器的形式和具有各种表面性质的生物过滤芯片的微生物实体分布的形式粘附到具有任何性质的表面区域。 综合分析微生物的方法包括以下步骤：（S10）制备生物过滤芯片，其包括根据衬底中的位置而具有表面性质变化的衬底; （S20）将生物过滤芯片暴露于存在微生物的环境中; 和（S30）分析生物滤芯上的微生物。 生物过滤芯片包括其一个或多个表面性质一维或多维地改变的基底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080028292A
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020070095962
申请日：2007-09-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L33/20
Abstract: An III-nitride based light emitting diode structure and a manufacturing method thereof are provided to improve surface extraction efficiency by 2 times by forming monolithically integrated sidewall defectors through a conventional manufacturing process of LED. An LED structure has a Hi-nitride epi layer formed on a support substrate, in which angled mesa deflector is formed in a sidewall of the III-nitride epi layer and sidewall angle is between 20 degrees and 40 degrees. The support substrate is made of any one selected from the group consisting of sapphire, Si, SiC, MgAl2O4, ZnO, and MgO. The epi layer is made of any one selected from the group consisting of GaN, GaP, and GaAs. The epi layer has the structure that p-electrode is formed at the upper side of n- electrode, and the total thickness of the III-nitride thin film including the n-electrode and the p-electrode is in the range of 1 to 10 micrometers.
Abstract translation: 提供了一种III族氮化物基发光二极管结构及其制造方法，其通过LED的常规制造工艺形成单片集成的侧壁去除器来提高表面提取效率2倍。 LED结构具有形成在支撑基板上的高氮化物外延层，其中成角度的台面偏转器形成在III族氮化物外延层的侧壁中，并且侧壁角度在20度和40度之间。 支撑基板由选自由蓝宝石，Si，SiC，MgAl2O4，ZnO和MgO组成的组中的任一种制成。 外延层由选自GaN，GaP和GaAs中的任一种构成。 外延层具有在n电极的上侧形成p电极的结构，并且包括n电极和p电极的III族氮化物薄膜的总厚度在1〜10的范围内 微米。
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公开(公告)号：KR102244219B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：KR1020140130121
申请日：2014-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본발명의실시형태에따른메모리장치는, 기판의상면에수직하는방향으로연장되는채널영역, 상기채널영역에인접하도록상기기판상에적층되어적어도하나의접지선택트랜지스터, 적어도하나의스트링선택트랜지스터, 및복수의메모리셀 트랜지스터를제공하는복수의게이트전극층, 상기기판의상면에수직하는방향으로연장되어상기복수의게이트전극층을복수의단위셀 영역으로분할하는복수의분리영역, 및각각의상기단위셀 영역내에서, 상기복수의게이트전극층중에서적어도하나의접지선택트랜지스터및 적어도하나의스트링선택트랜지스터를제공하는게이트전극층각각을복수개로분할하는적어도하나의분리절연막을포함한다.
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公开(公告)号：KR102003529B1
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：KR1020120091920
申请日：2012-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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公开(公告)号：KR1020170086957A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020160006639
申请日：2016-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06Q20/16 , G06Q20/32 , G06Q20/34 , G06Q20/38 , G06Q20/40 , H04L12/66 , H04W4/00
Abstract: 본발명의다양한실시예들은전자장치에관한것으로전자장치는 MST 모듈; 디스플레이; 무선통신모듈; 및프로세서를포함하고, 상기프로세서는: 상기전자장치의위치를확인하고; 결제에대한요청을확인하고; 상기요청에반응하여상기위치에대응하는결제송출방식을결정하고; 및상기 MST 모듈을이용하여, 상기결제송출방식에따라상기결제와관련된결제정보의데이터세트또는송출주기를달리하여외부전자장치로송출하도록설정된것을특징으로할 수있다. 이외에도, 명세서를통해파악될수 있는다른실시예들이가능하다.
Abstract translation: 本发明的各种实施例涉及一种电子设备，该电子设备包括：MST模块; 显示; 无线通信模块; 处理器，所述处理器包括：处理器，可操作用于：定位所述电子设备; 确认付款请求; 响应于该请求确定与该位置相对应的支付交付方法; 并且根据结算发送方法，通过使用MST模块将与结算有关的结算信息的数据集或发送周期发送到外部电子设备。 另外，可以通过说明书理解其他实施例。
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