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公开(公告)号：KR101374932B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020070097812
申请日：2007-09-28
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
IPC: G02B5/20
CPC classification number: B29D11/00634 , G02B5/20
Abstract: 본 발명은 확산 제한 식각과정(Diffusion-limited Etch, DLE)을 이용하여 제작된 수평 변환 다공성 실리콘(porous silicon, PSi) 광학 필터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의할 경우 식각 용액(etchant)내의 반응성 이온의 확산을 이용하되, PSi 층의 테이퍼 축 방향으로 공진 주파수가 변하는 것은 관여된 식각 마스크 패턴에 의해 조절될 수다. 이에 의할 경우 테이퍼 된(즉, 점점 가늘어지는,tapered) 식각창(etch window opening)을 이용하여 선형적으로 변하는 광학 대역 통과 필터(band-pass filter)를 제작할 수 있다. 상기한 광학 필터의 파장 가변 범위는 10~100nm 이고 투과 대역폭은 1~10nm에서, 그리고 중심파장은 400~2000nm 사이에서 조절 가능하다.
다공성 실리콘, 확산-제한 식각, tapered etch mask, 광학 대역통과필터-
公开(公告)号：KR100933529B1
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：KR1020090046577
申请日：2009-05-27
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L33/50 , H01L2933/0083
Abstract: 여기원에 의해 여기되어 상기 여기원의 펌프 광자보다 장파장의 발광을 할 수 있는 형광체를 내부에 포함하고 있는 나노구체들이 3차원적으로 밀집하여 배열된 결정구조를 갖는 광자결정 구조체를 포함하되, 상기 결정구조는 적어도 특정 결정 방향에 대해 광밴드갭을 가지고 상기 펌프 광자의 파장이 상기 광밴드갭에 속하는 발광소자가 개시된다.
Abstract translation: 1。一种发光装置，其特征在于，具有纳米球以3D方式致密排列的晶体结构的光子晶体结构，所述纳米球具有被激发源激励而发出波长比所述激发源的泵浦光子长的光的荧光体， 其中所述光子晶体结构具有沿着特定晶体取向的至少一个光子带隙（PBG），并且其中所述泵浦光子的波长与光子带边区域重叠。
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公开(公告)号：KR1020080028292A
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020070095962
申请日：2007-09-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L33/20
Abstract: An III-nitride based light emitting diode structure and a manufacturing method thereof are provided to improve surface extraction efficiency by 2 times by forming monolithically integrated sidewall defectors through a conventional manufacturing process of LED. An LED structure has a Hi-nitride epi layer formed on a support substrate, in which angled mesa deflector is formed in a sidewall of the III-nitride epi layer and sidewall angle is between 20 degrees and 40 degrees. The support substrate is made of any one selected from the group consisting of sapphire, Si, SiC, MgAl2O4, ZnO, and MgO. The epi layer is made of any one selected from the group consisting of GaN, GaP, and GaAs. The epi layer has the structure that p-electrode is formed at the upper side of n- electrode, and the total thickness of the III-nitride thin film including the n-electrode and the p-electrode is in the range of 1 to 10 micrometers.
Abstract translation: 提供了一种III族氮化物基发光二极管结构及其制造方法，其通过LED的常规制造工艺形成单片集成的侧壁去除器来提高表面提取效率2倍。 LED结构具有形成在支撑基板上的高氮化物外延层，其中成角度的台面偏转器形成在III族氮化物外延层的侧壁中，并且侧壁角度在20度和40度之间。 支撑基板由选自由蓝宝石，Si，SiC，MgAl2O4，ZnO和MgO组成的组中的任一种制成。 外延层由选自GaN，GaP和GaAs中的任一种构成。 外延层具有在n电极的上侧形成p电极的结构，并且包括n电极和p电极的III族氮化物薄膜的总厚度在1〜10的范围内 微米。
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公开(公告)号：KR101453104B1
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：KR1020080090705
申请日：2008-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명의 구현예들은 마이크로 자이로 장치에 관한 것으로, 마이크로 스피어 레이저나 마이크로 디스크 레이저 등과 같은 소형화가 용이한 마이크로 레이저를 이용하여 고성능의 새로운 형태의 컴팩트한 마이크로 자이로 장치에 관한 것이다. 상기 자이로 장치는 광펌핑을 위해 펌핑광을 주입하는 펌핑부; 상기 펌핑부로부터 전달된 광으로 광펌핑을 하여 레이저를 발진시키는 하나 이상의 마이크로 스피어 또는 마이크로 디스크; 상기 마이크로 스피어 또는 마이크로 디스크로부터 발진된 광을 수신하여 포토디텍터로 전달하는 출력 커플러; 및 상기 출력 커플러로부터 출력된 광들의 간섭으로 인한 비트 진동수를 산출하여 회전을 측정하는 포토디텍터를 포함하며, 상기 펌핑부 및 출력 커플러는 테이퍼된 광섬유(tapered optical fiber)로 구성된다.
자이로, 마이크로 스피어-
公开(公告)号：KR1020090123817A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：KR1020090046577
申请日：2009-05-27
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L33/50 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A light-emitting device having photonic crystal structure is provided to control the ultraviolet ray emission and to increase luminous efficiency using a photonic crystal structure. CONSTITUTION: The fluorescent substance emits the light of the specified color to outside and emits the light from the excitation source(100). The excitation source excites the fluorescent substance and emits the wavelength metastasizing to the side higher than the emitting wavelength of the excitation source. The excitation source has he substrate(101), the n-type doping semiconductor layer(102), and the active layer(103) and p-type doping semiconductor layer(104). The excitation source has the emitting wavelength less than the blue region. The photonic crystal structure(200) is arranged on the excitation source. The nanosphere(201) equipped with the fluorescent substance is laminated on the photonic crystal structure to multilayer.
Abstract translation: 目的：提供具有光子晶体结构的发光器件，以控制紫外线发射并使用光子晶体结构提高发光效率。 构成：荧光物质将指定颜色的光发射到外部并发射来自激发源（100）的光。 激发源激发荧光物质并将波长发射到高于激发源的发射波长的一侧。 激发源具有衬底（101），n型掺杂半导体层（102）和有源层（103）和p型掺杂半导体层（104）。 激发源的发射波长小于蓝色区域。 光子晶体结构（200）布置在激发源上。 配备有荧光物质的纳米球（201）层叠在光子晶体结构上以形成多层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090036507A
公开(公告)日：2009-04-14
申请号：KR1020080090705
申请日：2008-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: A micro gyro apparatus is provided that the high sensitivity is guaranteed and the composite sensor is operated. A micro gyro apparatus comprises a pumping unit which injects the pumping light for the light pumping; one or more microspheres or micro discs pumping the light and launches laser; an output coupler delivering the light oscillated from microsphere or the micro disc to photo detector; and a photo detector measuring rotation with the bit frequency outputted from the output coupler due to the interference of the lights. The pumping area and output coupler are made of the tapered optical fiber.
Abstract translation: 提供了一种保证高灵敏度并且复合传感器被操作的微型陀螺设备。 微陀螺仪装置包括：泵送单元，其将泵浦光注入用于光泵送; 一个或多个微球或微圆盘泵送光并发射激光; 输出耦合器将从微球或微盘振荡的光传递到光电检测器; 以及由于光的干扰而从输出耦合器输出的比特频率来测量旋转的光电检测器。 泵浦区域和输出耦合器由锥形光纤制成。
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公开(公告)号：KR100780233B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060043477
申请日：2006-05-15
Applicant: 삼성전기주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: 본 발명은 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자(light emitting device)에 관한 것이다. 기판 및 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 활성층 및 전극층을 포함하는 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 기판 및 상기 반도체층 사이에 요철 구조로 형성된 제 1패턴; 및 상기 제 1패턴의 요철 구조 상에 형성된 요철 구조의 제 2패턴;을 포함하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자를 제공하여 광 추출 효율을 크게 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100041138A
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：KR1020080100173
申请日：2008-10-13
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode(LED) and a method for manufacturing the same are provided to obtain a blue LED structure with high light extracting efficiency by simultaneously inserting a micrometer size inclined sidewall deflector and nanometer size photonic crystals to a GaN-based LED device. CONSTITUTION: A photonic crystal is integrated on the upper side of a support substrate using a laser holography method and a dry-etching method. A GaN-based epi layer is formed on the upper side of the support substrate. An inclined reflector is formed on the sidewall of the GaN-based epi layer by an inductively coupled plasma-reactive ion etching method. The angle of the inclined reflector is in a range of 20 to 40°. A protective layer is formed on the upper side of the GaN-based epi layer by passing through a reflow.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管（LED）及其制造方法，以通过将微米尺寸的倾斜侧壁偏转器和纳米尺寸光子晶体同时插入到GaN基LED器件中来获得具有高光提取效率的蓝色LED结构 。 构成：使用激光全息法和干蚀刻法将光子晶体集成在支撑基板的上侧。 在支撑基板的上侧形成GaN系外延层。 通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻方法在GaN基外延层的侧壁上形成倾斜反射体。 倾斜反射镜的角度在20°〜40°的范围内。 通过回流在GaN基外延层的上侧形成保护层。
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公开(公告)号：KR1020090032500A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR1020070097812
申请日：2007-09-28
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
IPC: G02B5/20
CPC classification number: B29D11/00634 , G02B5/20
Abstract: A method of manufacturing a horizontal conversion porous silicone optical filter by a spreading limited etching process and a filter structure thereof are provided to use a tapered window during an etching process through spreading control to manufacture an optical band pass filter. An etching mask is formed before anodizing etching. In a PSi etching water tub, the anodizing etching is performed. The etching mask comprises a tapered etching window. Width of the tapered etching window gradually decreases toward the other end from one end along with an axis of the etching window. A resonant frequency changes in a tapered axis direction in the manufacture optical filter.
Abstract translation: 提供通过扩展限制蚀刻工艺制造水平转换多孔硅酮光学滤光器的方法及其滤光器结构，以便在蚀刻工艺期间通过扩展控制来使用锥形窗口来制造光学带通滤光器。 在阳极氧化蚀刻之前形成蚀刻掩模。 在PSi蚀刻水桶中进行阳极氧化蚀刻。 蚀刻掩模包括锥形蚀刻窗口。 锥形蚀刻窗口的宽度随着蚀刻窗口的轴线从一端向另一端逐渐减小。 制造光学滤波器的谐振频率在锥形轴方向上变化。
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公开(公告)号：KR1020070110688A
公开(公告)日：2007-11-20
申请号：KR1020060043477
申请日：2006-05-15
Applicant: 삼성전기주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: A semiconductor light emitting device having a multi pattern structure is provided to improve extraction efficiency of the light generated from a light emitting layer in a light emitting device by forming a light emitting layer with a light emitting layer on a substrate having a multi pattern structure in which a second pattern is formed on the surface of a first pattern. A semiconductor light emitting device includes a substrate(31), a semiconductor layer(34) formed on the substrate, an active layer(35) and an electrode layer(37,38). A first pattern having an uneven structure is formed between the substrate and the semiconductor layer. A second pattern having an uneven structure is formed on the uneven structure of the first pattern. The second pattern can be formed between the uneven structures of the first pattern. The uneven structure can include at least one of an angled unevenness and a curved unevenness.
Abstract translation: 提供具有多图案结构的半导体发光器件，以通过在具有多图案结构的衬底上形成具有发光层的发光层来提高由发光器件中的发光层产生的光的提取效率 在第一图案的表面上形成第二图案。 半导体发光器件包括衬底（31），形成在衬底上的半导体层（34），有源层（35）和电极层（37,38）。 在衬底和半导体层之间形成具有不均匀结构的第一图案。 在第一图案的不平坦结构上形成具有不均匀结构的第二图案。 可以在第一图案的不均匀结构之间形成第二图案。 不均匀结构可以包括成角度的凹凸和弯曲的凹凸中的至少一个。
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