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公开(公告)号：KR100866015B1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：KR1020070051074
申请日：2007-05-25
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08G61/121 , C08G61/12 , G03F7/004 , G03F7/0045
Abstract: A hard mask composition having the anti-reflection property useful in the lithographic process of the shorter wavelength is provided to realize excellent optical property, and mechanical property and etching selectivity, to be coated by using the spin-on coating technique and to ensure the minimum remain acid content. A hard mask composition having the anti-reflection property comprises the polymer containing the aromatic ring indicated as the chemical formula 1. In the equation, N is the range of 1
Abstract translation: 提供具有在较短波长的光刻工艺中有用的抗反射性能的硬掩模组合物，以通过使用旋涂技术来涂覆以获得优异的光学性能，机械性能和蚀刻选择性，并确保最小化 保持酸含量。 具有抗反射性的硬掩模组合物包含含有化学式1表示的芳环的聚合物。在该等式中，N是1≤n<190的范围。 R1选自氢，-OH，C1-10烷基，C6-10芳基，烯丙基和卤素原子。 R2选自氨基（-NH 2），烷氧基（-OR，其中R为C 1-10烷基或C 6-10芳基）和二烷基氨基（-NRR'，其中R和R'为 相应的C 1-10烷基或C 6-10芳基）。 R3选自化学式1或化学式2。
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公开(公告)号：KR1020080107208A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：KR1020070055241
申请日：2007-06-05
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/202
Abstract: An antireflective hard mask composition, and a method for patterning the material on a substrate by using the composition are provided to minimize the reflection between a resist and a back layer, to increase etching selectivity in case of lithography and to improve the resistance against multiple etching. An antireflective hard mask composition comprises a polymer containing an aromatic ring represented by the formula 1, or its mixture with a polymer containing an aromatic ring represented by the formula 2; and an organic solvent, wherein 1
Abstract translation: 提供了一种抗反射硬掩模组合物，以及通过使用该组合物对基材上的材料进行图案化的方法，以使抗蚀剂和背层之间的反射最小化，从而在光刻的情况下提高蚀刻选择性并提高耐蚀刻性 。 抗反射硬掩模组合物包含含有由式1表示的芳环的聚合物，或其与含有由式2表示的芳环的聚合物的混合物; 和有机溶剂，其中1 <= m <= 190; 1 <= N <= 190; 2 <= M + N <= 190; R1是H，OH，C1-C10烷基，C6-C10芳基，烯丙基或卤素原子; R2和R3独立地是指定的官能团; 和1 <= x <= 190。
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公开(公告)号：KR101156488B1
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020080131135
申请日：2008-12-22
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체 및 상기 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 층 형성용 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
(R1 은 C1~C4의 알킬 치환 또는 비치환된 알킬렌;
R2, R3, R7 및 R8은 서로 독립적으로 수소, 하이드록시, C1~C10의 직쇄, 분지쇄 또는 사이클릭 알킬, 알콕시 또는 C6~C20의 아릴 또는 이들의 혼합물;
R4, R5 및 R6는 서로 독립적으로 수소, 하이드록시, C1~C4의 알킬 에테르, 페닐디알킬렌 에테르 또는 이들의 혼합물;
R9은 알킬렌, 페닐디알킬렌, 하이드록시페닐알킬렌 또는 이들의 혼합물;
x,y는 A부분 내의 두 반복단위의 비율로서 0이상 1이하이며 x+y=1임; n은 1 내지 200의 정수이고 m은 1 내지 200의 정수임)
하드마스크 층, 에칭 선택비, 반사방지-
Patent Agency Ranking4.发明公开
公开(公告)号：KR1020090067767A
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：KR1020070135531
申请日：2007-12-21
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/36 , G03F7/0045 , G03F7/039 , G03F7/0757
Abstract: A bottom anti-reflective coating composition and a method for making a patterned material form on a substrate are provided to minimize the reflectivity between a resist and back layer in performing lithography technique. A bottom anti-reflective coating composition comprises a compound of the chemical formula 3. In the chemical formula 3, Q- is anion and contains one on the chemical formula 4. The composition also contains: a polymer containing an aromatic ring of the chemical formula 1; a compound of the chemical formula 3; and an organic solvent. In the chemical formula 1, 1
Abstract translation: 提供底部抗反射涂料组合物和在基材上形成图案化材料形式的方法，以在进行光刻技术时使抗蚀剂和背层之间的反射率最小化。 底部抗反射涂料组合物包含化学式3的化合物。在化学式3中，Q-是阴离子，并含有化学式4的化合物。该组合物还包含：含有化学式芳族环的聚合物 1; 化学式3的化合物; 和有机溶剂。 在化学式1中，1 <= n <190; R1是化学式2的结构之一; R2，R4和R5是氢或甲基; R3是-H，-CH3和-C2H5或-C（CH3）3。
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公开(公告)号：KR100819162B1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020070040035
申请日：2007-04-24
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/004
Abstract: A hard mask composition having anti-reflective property is provided to minimize reflection between a resist layer and a backside layer, to realize excellent optical and mechanical properties and high etching selectivity during a lithographic process. A hard mask composition having anti-reflective property comprises: (a) an aromatic ring-containing polymer including at least one compound represented by the following formula 1 or 2; and (b) an organic solvent. In formula 1, n ranges from 1 to 190; R1 is a specific fused aromatic ring radical; R2 is an ethylene radical containing an aromatic ring or not; and each of X and Y represents H or OH. In formula 2, each of m and n is equal to or greater than 1 and less than 190 and m+n is equal to or greater than 3 and equal to or less than 190; each of R1 and R2 represents a specific fused aromatic ring radical; each of R3 and R4 represents an ethylene radical containing an aromatic ring or not; and each of X, Y and Z represents H or OH.
Abstract translation: 提供具有抗反射性能的硬掩模组合物以使抗蚀剂层和背面层之间的反射最小化，以在光刻工艺期间实现优异的光学和机械性能以及高蚀刻选择性。 具有抗反射性的硬掩模组合物包括：（a）含有至少一种由下式1或2表示的化合物的含芳环的聚合物; 和（b）有机溶剂。 在式1中，n的范围为1至190; R1是特定的稠合芳环基团; R2是含有芳环的亚乙基; 并且X和Y各自表示H或OH。 在式2中，m和n中的每一个等于或大于1且小于190，m + n等于或大于3并且等于或小于190; R1和R2各自表示特定的稠合芳环基团; R 3和R 4各自表示含有芳环的亚乙基; X，Y和Z各自表示H或OH。
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公开(公告)号：KR1020100072660A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131135
申请日：2008-12-22
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08G61/02 , C08G61/00 , C08L65/00 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0047
Abstract: PURPOSE: A composition for forming a hard-mask layer and a manufacturing method of a patterned material using thereof are provided to improve the anti-reflection property applied to a short wavelength area and to apply a coating spin-on method. CONSTITUTION: A composition for forming a hard-mask layer contains a copolymer marked with chemical formula 1. In chemical formula 1, R1 is a substituted or non-substituted alkylene of C1~C4. R2, R3, R7, and R8 are hydrogen, a hydroxyl group, a straight, branched, or cyclic alkyl group of C1~C10, an alkoxy group, or an aryl group of C6~C20. R4, R5, and R6 are the hydrogen, the hydroxyl group, an alkyl ether group of C1~C4, a phenyl dialkylene ether group, or their combination.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成硬掩模层的组合物及其使用的图案化材料的制造方法，以提高施加于短波长区域的抗反射性，并施加涂布旋涂法。 构成：用于形成硬掩模层的组合物包含标记有化学式1的共聚物。在化学式1中，R 1是C 1 -C 4的取代或未取代的亚烷基。 R 2，R 3，R 7和R 8是C 1〜C 10，烷氧基或C 6〜C 20的芳基的氢，羟基，直链，支链或环状烷基。 R4，R5和R6是氢，羟基，C1〜C4的烷基醚基，苯基二亚烷基醚基或它们的组合。
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7.发明授权
公开(公告)号：KR100959190B1
公开(公告)日：2010-05-24
申请号：KR1020070135531
申请日：2007-12-21
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11
Abstract: 본 발명은 열로서 가교되고 광에 의해 발생하는 산에 의해 탈 가교가 이루어지는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥반사방지막 조성물에 관한 것이다.
상기 바닥반사방지막 조성물은 짧은 파장 영역(예를 들어, 157, 193, 248nm)에서 강한 흡수를 갖는 단위구조를 포함하는 방향족 고리 함유 중합체를 포함하고, 상기 열로서 가교되고 광에 의해 발생하는 산에 의해 탈 가교가 이루어지는 화합물은 방향족 고리 함유 중합체와 가교반응을 일으키며, 노광에 의해 탈 가교됨으로써 포토리쏘그라픽 공정상의 현상액에 의해 용해가 가능한 성질을 지닌다.
따라서 본 발명은 포토리쏘그라픽 공정에서 포토레지스트의 현상 공정에서 포토레지스트와 함께 용해가 이루어짐으로써 공정이 단순화되고 포토레지스트막의 형성두께를 감소시킬 뿐만 아니라 포토리쏘그래픽 공정 마진을 높일 수 있는 바닥반사방지막을 형성할 수 있는 것이다.
포토리쏘그래픽, 바닥 반사방지막(BARC), 가교제, 방향족 고리-
公开(公告)号：KR100888611B1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：KR1020070055241
申请日：2007-06-05
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 리쏘그래픽 공정에 유용한 반사방지 특성을 갖는 하드마스크 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 조성물은 매우 우수한 광학적 특성, 기계적 특성 및 에칭 선택비 특성을 제공하며, 동시에 스핀-온 도포 기법을 이용하여 도포 가능한 특성을 제공한다. 유리하게도, 본 발명의 조성물은 보다 짧은 파장 리쏘그래픽 공정에 유용하고 최소 잔류 산 함량을 보유한다.
리쏘그래픽, 반사방지성, 하드마스크, 방향족 고리
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