公开(公告)号：KR101566068B1

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：KR1020130015479

申请日：2013-02-13

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  김용국 ,  김동진 ,  박용순 ,  홍창기

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 본발명은 CMP 슬러리조성물및 이를이용한연마방법에관한것이다. 상기 CMP 슬러리조성물은금속산화물입자; 디이소시아네이트화합물; 및초순수를포함하며, 상기디이소시아네이트화합물은양이온성디이소시아네이트화합물및 음이온성디이소시아네이트화합물중에서하나이상포함할수 있다.

公开(公告)号：KR101385043B1

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：KR1020110147915

申请日：2011-12-30

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김태영 ,  최영남 ,  홍창기 ,  김동진

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024

Abstract: 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 산화세륨 입자; 연마 성능 증진제; 및 pH 조절제를 포함하고, 상기 산화 세륨 입자는 2차 입자 크기 분포의 반가 폭(w)이 30nm 이하이며, 장반경이 0.6㎛ 이상인 입자 중 장반경이 1㎛ 이상인 입자의 비율이 1% 이하인 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101340551B1

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：KR1020100140041

申请日：2010-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 임건자 ,  전종선 ,  김기욱 ,  홍창기

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 본 발명은 산화규소 및/또는 폴리실리콘 대비 질화규소의 연마속도를 높임으로써, 질화규소를 선택적으로 연마할 수 있는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020120077908A

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：KR1020100140038

申请日：2010-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노종일 ,  전종선 ,  홍창기 ,  박용순 ,  김원래 ,  김동진

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing composition is provided to use two or more kinds of organic acids as a complex agent chelating metal oxide oxidized by an oxidizer, thereby improving chemical mechanical polishing flatness. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing composition comprises 0.01-20.0 weight% of abrasive, 0.01-10.0 weight% of oxidizer, 0.001-10.0 weight% of corrosion inhibitor, 0.1-10.0 weight% of complex agent in which two or kinds of dicarboxylic acids are mixed, and 50-99 weight% of de-ionized water. The complex agent comprises two kinds of dicarboxylic acid of which dissociation constant(pKa) is 4 or less. The complex agent is added by mixing malic acid and malonic acid with the weight ratio of 1:1-0.7:0.3. The composition has pH of 2-6.

Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光组合物，使用两种或多种有机酸作为由氧化剂氧化的螯合金属氧化物的复合剂，从而改善化学机械抛光平整度。 构成：化学机械抛光组合物包含0.01-20.0重量％的研磨剂，0.01-10.0重量％的氧化剂，0.001-10.0重量％的缓蚀剂，0.1-10.0重量％的二种或两种二羧酸为 混合，50-99重量％的去离子水。 复合剂包含解离常数（pKa）为4以下的二种二羧酸。 通过以1:1-0.7:0.3的重量比混合苹果酸和丙二酸来加入络合剂。 组合物的pH为2-6。

公开(公告)号：KR100459101B1

公开(公告)日：2004-12-03

申请号：KR1020020028052

申请日：2002-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성 ,  이종원 ,  윤보언 ,  하상록 ,  박준상 ,  홍창기

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A slurry composition for chemical mechanical polishing of metal wiring is provided to improve a polishing rate and planarization as well as distribution stability and polishing repeatability by adding a propylene diamine tetra acetate(PDTA)-metal complex and carboxyl acid to a slurry composition for polishing nonspecific metal layer using a small quantity of peroxide and inorganic acid. CONSTITUTION: The CMP slurry composition for the metal wiring includes a PDTA-metal complex, carboxyl acid, metal oxide powder and deionized water wherein bonding energy of peroxide, inorganic acid, metal atoms and oxygen atoms is less than that of O and W. The peroxide is 0.5-5 weight percent. The inorganic acid is 0.001-5.0 weight percent. The PDTA-metal complex is 0.001-0.5 weight percent. The carboxyl acid is 0.1-10 weight percent. The metal oxide powder is 0.1-10 weight percent. The rest of the CMP slurry composition is deionized water.

Abstract translation: 目的：通过将丙二胺四乙酸酯（PDTA） - 金属配合物和羧酸加入到用于金属配线的浆料组合物中以提高抛光速率和平面化以及分配稳定性和抛光重复性，提供用于金属配线的化学机械抛光的浆料组合物 使用少量过氧化物和无机酸抛光非特异性金属层。 构成：用于金属布线的CMP浆料组合物包括PDTA-金属络合物，羧酸，金属氧化物粉末和去离子水，其中过氧化物，无机酸，金属原子和氧原子的键能小于O和W. 过氧化物为0.5-5重量％。 无机酸为0.001-5.0重量％。 PDTA-金属络合物为0.001-0.5重量％。 羧酸为0.1-10重量％。 金属氧化物粉末为0.1-10重量％。 CMP浆料组合物的其余部分是去离子水。

公开(公告)号：KR1020030014338A

公开(公告)日：2003-02-17

申请号：KR1020020028052

申请日：2002-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성 ,  이종원 ,  윤보언 ,  하상록 ,  박준상 ,  홍창기

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A slurry composition for chemical mechanical polishing of metal wiring is provided to improve a polishing rate and planarization as well as distribution stability and polishing repeatability by adding a propylene diamine tetra acetate(PDTA)-metal complex and carboxyl acid to a slurry composition for polishing nonspecific metal layer using a small quantity of peroxide and inorganic acid. CONSTITUTION: The CMP slurry composition for the metal wiring includes a PDTA-metal complex, carboxyl acid, metal oxide powder and deionized water wherein bonding energy of peroxide, inorganic acid, metal atoms and oxygen atoms is less than that of O and W. The peroxide is 0.5-5 weight percent. The inorganic acid is 0.001-5.0 weight percent. The PDTA-metal complex is 0.001-0.5 weight percent. The carboxyl acid is 0.1-10 weight percent. The metal oxide powder is 0.1-10 weight percent. The rest of the CMP slurry composition is deionized water.

Abstract translation: 目的：提供金属配线的化学机械抛光用浆料组合物，通过向丙烯二胺四乙酸盐（PDTA） - 金属络合物和羧酸加入到浆料组合物中以提高抛光速率和平面化，以及分布稳定性和抛光重复性 使用少量的过氧化物和无机酸抛光非特异性金属层。 构成：金属布线的CMP浆料组合物包括PDTA-金属络合物，羧酸，金属氧化物粉末和去离子水，其中过氧化物，无机酸，金属原子和氧原子的结合能小于O和W的结合能。 过氧化物为0.5-5重量％。 无机酸为0.001-5.0重量％。 PDTA-金属络合物为0.001-0.5重量％。 羧酸为0.1-10重量％。 金属氧化物粉末为0.1-10重量％。 CMP浆料组合物的其余部分是去离子水。

公开(公告)号：KR101526006B1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：KR1020120158160

申请日：2012-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노종일 ,  강동헌 ,  김태완 ,  정정환 ,  최영남 ,  홍창기

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 본발명의구리연마용 CMP 슬러리조성물은연마입자; 산화제; 착화제; 부식억제제; 및탈이온수를포함하며, 상기착화제는옥살산, 말산, 말론산, 포름산중 1종이상선택된유기산과글리신을포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明的CMP研磨用铜研磨液组合物含有磨粒， 氧化剂; 络合剂; 腐蚀抑制剂; 其中络合剂包含甘氨酸和至少一种选自草酸，苹果酸，丙二酸和甲酸的有机酸。

公开(公告)号：KR101526005B1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：KR1020120158158

申请日：2012-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노종일 ,  김원래 ,  김동진 ,  홍창기

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 본발명의구리연마용 CMP 슬러리조성물은연마입자; 산화제; 아미노산; 부식억제제; 및탈이온수를포함하는구리연마용 CMP 슬러리조성물이며, 상기부식억제제는트리아졸, 벤조트리아졸또는이들의유도체를포함하며,상기아미노산은전체조성물중 10 내지 20 중량% 인것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101469258B1

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：KR1020100139758

申请日：2010-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김태영 ,  김형수 ,  최병호 ,  홍창기

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 산화세륨입자; 연마패드에상기산화세륨입자를흡착시키는흡착제; 상기흡착제의기능을조절하는흡착조절제; 및 pH 조절제를포함하는 CMP 슬러리조성물이개시되어있다. 상기 CMP 슬러리조성물은패턴화된산화막의연마효율및 다이아몬드디스크컨디셔너의수명을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 氧化铈颗粒; 吸附剂，其将氧化铈粒子吸附到研磨垫上; 控制吸附剂功能的吸附调节剂; 还有一种pH调节剂。 CMP浆料组合物可以提高图案化氧化膜的抛光效率和金刚石圆盘调节器的寿命。

公开(公告)号：KR1020140087640A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：KR1020120158160

申请日：2012-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노종일 ,  강동헌 ,  김태완 ,  정정환 ,  최영남 ,  홍창기

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: A CMP slurry composition for polishing copper of the present invention comprises polishing particles; an oxidant; a complexing agent; a corrosion inhibitor; and de-ionized water, wherein the complexing agent is characterized by comprising at least one organic acid selected from an oxalic acid, a malic acid, a malonic acid, and a formic acid, and glycine. The present invention has an effect of providing a CMP slurry composition for polishing copper which can significantly reduce surface defects and can obtain improved polishing speed and polishing flatness when polishing a metal wire, especially a copper wire.

Abstract translation: 本发明的用于抛光铜的CMP浆料组合物包括抛光颗粒; 氧化剂 络合剂 腐蚀抑制剂; 和去离子水，其中络合剂的特征在于包含至少一种选自草酸，苹果酸，丙二酸和甲酸的有机酸和甘氨酸。 本发明具有提供用于抛光铜的CMP浆料组合物的效果，其可以显着降低表面缺陷，并且可以在研磨金属丝，特别是铜线时获得改善的抛光速度和抛光平坦度。