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公开(公告)号：KR1020120132524A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020127025084
申请日：2011-03-22
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: C08L63/00 , C08G59/4021 , C08G59/621 , C08J5/24 , C08J2363/00 , C08K3/10 , C08K3/22 , C08K5/5313 , C08K5/5397 , C08K9/02 , H05K1/0326 , H05K1/0353 , H05K1/0366 , H05K1/0373 , H05K2201/012 , H05K2201/0209 , H05K2201/0227 , H05K2201/0263
Abstract: 분자 내에 에폭시 수지와 반응성을 갖는 페놀성 하이드록실기를 평균 1.8개 이상 3개 미만 갖고, 또한, 평균 0.8개 이상의 인 원소를 갖는 인 화합물, 분자 내에 에폭시기를 평균 1.8개 이상 2.6개 미만 갖는 2작용 에폭시 수지, 1분자 내에 에폭시기를 평균 2.8개 이상 포함하는 다작용 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제, 몰리브덴 화합물을 필수 성분으로 하는 프리프레그용 에폭시 수지 조성물로서, 적어도, 인 화합물과, 2작용 에폭시 수지 및 다작용 에폭시 수지, 또는 2작용 에폭시 수지만을 미리 반응시킨 예비반응 에폭시 수지, 2작용 에폭시 수지 또는 다작용 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제, 몰리브덴 화합물을 배합하는 것을 특징으로 하여, 연소시에 유해한 물질을 생성하지 않고, 난연성, 내열성, 열시 강성이 우수하며, 또한, 구멍 위치 정밀도가 우수한 다층 프린트 배선판을 포함하는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는 프리프레그용 에폭시 수지 조성물, 상기 프리프레그용 에폭시 수지 조성물을 이용한 프리프레그, 상기 프리프레그를 이용한 다층 프린트 배선판을 제공하는 것을 과제로 한다.
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公开(公告)号：KR1020110137408A
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：KR1020117029872
申请日：2009-04-30
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H05K3/107 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H05K1/0206 , H05K1/0269 , H05K1/0284 , H05K1/111 , H05K1/162 , H05K3/0032 , H05K3/184 , H05K3/4647 , H05K3/465 , H05K3/4661 , H05K2201/09736 , H05K2201/09845 , H05K2201/2072 , H05K2203/0108 , H05K2203/0565 , H05K2203/161
Abstract: 다층 회로 기판 제조 방법은, 절연 기재의 표면에 팽윤성 수지 필름을 형성하는 필름-형성 단계, 상기 팽윤성 수지 필름의 외표면에 상기 팽윤성 수지 필름의 두께 이상의 깊이를 갖는 회로 홈을 형성하는 회로 홈-형성 단계, 상기 회로 홈의 표면과 상기 팽윤성 수지 필름의 표면 위에 도금 촉매 또는 그 전구체를 피착하는 촉매-피착 단계, 상기 팽윤성 수지 필름을 특정 액체로 팽윤시켜, 팽윤된 수지 필름을 상기 절연 기재 표면으로부터 박리하는 필름-박리 단계, 및 상기 팽윤성 수지 필름의 박리 후 도금 촉매 또는 그 도금 촉매의 전구체로부터 형성된 도금 촉매가 박리되지 않고 잔류하는 영역에만 무전해 도금막을 형성하는 도금 처리 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020100120305A
公开(公告)日：2010-11-15
申请号：KR1020107021143
申请日：2009-04-30
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H05K3/107 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H05K1/0206 , H05K1/0269 , H05K1/0284 , H05K1/111 , H05K1/162 , H05K3/0032 , H05K3/184 , H05K3/4647 , H05K3/465 , H05K3/4661 , H05K2201/09736 , H05K2201/09845 , H05K2201/2072 , H05K2203/0108 , H05K2203/0565 , H05K2203/161
Abstract: 다층 회로 기판 제조 방법은, 절연 기재의 표면에 팽윤성 수지 필름을 형성하는 필름-형성 단계, 상기 팽윤성 수지 필름의 외표면에 상기 팽윤성 수지 필름의 두께 이상의 깊이를 갖는 회로 홈을 형성하는 회로 홈-형성 단계, 상기 회로 홈의 표면과 상기 팽윤성 수지 필름의 표면 위에 도금 촉매 또는 그 전구체를 피착하는 촉매-피착 단계, 상기 팽윤성 수지 필름을 특정 액체로 팽윤시켜, 팽윤된 수지 필름을 상기 절연 기재 표면으로부터 박리하는 필름-박리 단계, 및 상기 팽윤성 수지 필름의 박리 후 도금 촉매 또는 그 도금 촉매의 전구체로부터 형성된 도금 촉매가 박리되지 않고 잔류하는 영역에만 무전해 도금막을 형성하는 도금 처리 단계를 포함한다.
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4.发明公开반도체 칩의 실장 방법, 그 방법을 이용하여 얻어진 반도체 장치 및 반도체 칩의 접속 방법, 및, 표면에 배선이 설치된 입체 구조물 및 그 제법 失效安装半导体器件的方法，使用该方法获得的半导体器件，连接半导体器件的方法和三维结构，其布线的表面和其制造方法
公开(公告)号：KR1020130052668A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020137012027
申请日：2010-01-26
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H05K1/11 , G11B5/486 , H01L21/565 , H01L22/12 , H01L23/3121 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/24051 , H01L2224/24137 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/245 , H01L2224/25175 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73267 , H01L2224/82009 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/82931 , H01L2224/82947 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92244 , H01L2225/06524 , H01L2225/06551 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K1/111 , H05K1/117 , H05K1/181 , H05K3/184 , H05K2201/0376 , H05K2201/09472 , Y02P70/611 , Y10T428/1171 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 본 발명의 한 국면은, 반도체 칩(2) 표면의 본딩 패드(2a)와 절연 기재(1)의 표면에 형성된 전극 패드(1a)를 연결하는 경로의 표면에 수지 피막(3)을 형성하는 공정과, 본딩 패드(2a)와 전극 패드(1a)를 접속하기 위한 경로를 따라, 수지 피막(3)의 두께와 동일하거나 또는 두께분 이상의 깊이의 배선홈(4)을 레이저 가공에 의해 형성하는 공정과, 배선홈(4)의 표면에 도금 촉매(5)를 피착시키는 공정과, 수지 피막(3)을 제거하는 공정과, 도금 촉매(5)가 잔류하는 부위에만 무전해 도금막(6)을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 칩의 실장 방법이다. 본 발명의 다른 한 국면은, 표면에 배선이 설치된 입체 구조물로서, 입체 구조물의 표면에, 입체 구조물의 상호 교차하는 인접면 사이에 걸쳐 연장되는 배선용 오목홈이 형성되고, 상기 배선용 오목홈 내에 배선용 도체의 적어도 일부가 매설되어 있는 것을 특징으로 하는 입체 구조물이다.
Abstract translation: 本发明的一个方面是一种安装半导体芯片的方法，该方法具有：在连接半导体芯片2的表面上的接合焊盘2a的路径的表面上形成树脂涂层3的步骤和形成在半导体芯片2的表面上的电极焊盘1a 绝缘基材1的表面; 通过激光束加工形成沿着连接焊盘2a和电极焊盘1a的路径形成深度等于或大于树脂涂层3的厚度的布线槽4的步骤; 将电镀催化剂5沉积在布线槽4的表面上的步骤; 去除树脂涂层3的步骤; 以及仅在电镀催化剂5保留的部位形成化学镀覆层6的工序。 本发明的另一方面是其中在表面上形成布线的三维结构，其中在三维结构的表面上形成用于布线的凹槽，在相互相交的相邻面之间延伸 三维结构，并且其中布线导体的至少一部分嵌入到凹槽中用于布线。
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公开(公告)号：KR101429839B1
公开(公告)日：2014-08-12
申请号：KR1020127025084
申请日：2011-03-22
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: C08L63/00 , C08G59/4021 , C08G59/621 , C08J5/24 , C08J2363/00 , C08K3/10 , C08K3/22 , C08K5/5313 , C08K5/5397 , C08K9/02 , H05K1/0326 , H05K1/0353 , H05K1/0366 , H05K1/0373 , H05K2201/012 , H05K2201/0209 , H05K2201/0227 , H05K2201/0263
Abstract: 분자 내에 에폭시 수지와 반응성을 갖는 페놀성 하이드록실기를 평균 1.8개 이상 3개 미만 갖고, 또한, 평균 0.8개 이상의 인 원소를 갖는 인 화합물, 분자 내에 에폭시기를 평균 1.8개 이상 2.6개 미만 갖는 2작용 에폭시 수지, 1분자 내에 에폭시기를 평균 2.8개 이상 포함하는 다작용 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제, 몰리브덴 화합물을 필수 성분으로 하는 프리프레그용 에폭시 수지 조성물로서, 적어도, 인 화합물과, 2작용 에폭시 수지 및 다작용 에폭시 수지, 또는 2작용 에폭시 수지만을 미리 반응시킨 예비반응 에폭시 수지, 2작용 에폭시 수지 또는 다작용 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제, 몰리브덴 화합물을 배합하는 것을 특징으로 하여, 연소시에 유해한 물질을 생성하지 않고, 난연성, 내열성, 열시 강성이 우수하며, 또한, 구멍 위치 정밀도가 우수한 다층 프린트 배선판을 포함하는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는 프리프레그용 에폭시 수지 조성물, 상기 프리프레그용 에폭시 수지 조성물을 이용한 프리프레그, 상기 프리프레그를 이용한 다층 프린트 배선판을 제공하는 것을 과제로 한다.
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Patent Agency Ranking6.发明公开반도체 칩의 실장 방법, 그 방법을 이용하여 얻어진 반도체 장치 및 반도체 칩의 접속 방법, 및, 표면에 배선이 설치된 입체 구조물 및 그 제법 无效安装半导体芯片的方法，连接半导体器件的方法以及使用该方法获得的半导体芯片及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130091794A
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：KR1020137020259
申请日：2010-01-26
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H05K1/11 , G11B5/486 , H01L21/565 , H01L22/12 , H01L23/3121 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/24051 , H01L2224/24137 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/245 , H01L2224/25175 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73267 , H01L2224/82009 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/82931 , H01L2224/82947 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92244 , H01L2225/06524 , H01L2225/06551 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K1/111 , H05K1/117 , H05K1/181 , H05K3/184 , H05K2201/0376 , H05K2201/09472 , Y02P70/611 , Y10T428/1171 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 본 발명의 한 국면은, 반도체 칩(2) 표면의 본딩 패드(2a)와 절연 기재(1)의 표면에 형성된 전극 패드(1a)를 연결하는 경로의 표면에 수지 피막(3)을 형성하는 공정과, 본딩 패드(2a)와 전극 패드(1a)를 접속하기 위한 경로를 따라, 수지 피막(3)의 두께와 동일하거나 또는 두께분 이상의 깊이의 배선홈(4)을 레이저 가공에 의해 형성하는 공정과, 배선홈(4)의 표면에 도금 촉매(5)를 피착시키는 공정과, 수지 피막(3)을 제거하는 공정과, 도금 촉매(5)가 잔류하는 부위에만 무전해 도금막(6)을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 칩의 실장 방법이다. 본 발명의 다른 한 국면은, 표면에 배선이 설치된 입체 구조물로서, 입체 구조물의 표면에, 입체 구조물의 상호 교차하는 인접면 사이에 걸쳐 연장되는 배선용 오목홈이 형성되고, 상기 배선용 오목홈 내에 배선용 도체의 적어도 일부가 매설되어 있는 것을 특징으로 하는 입체 구조물이다.
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公开(公告)号：KR101286867B1
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：KR1020107021143
申请日：2009-04-30
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H05K3/107 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H05K1/0206 , H05K1/0269 , H05K1/0284 , H05K1/111 , H05K1/162 , H05K3/0032 , H05K3/184 , H05K3/4647 , H05K3/465 , H05K3/4661 , H05K2201/09736 , H05K2201/09845 , H05K2201/2072 , H05K2203/0108 , H05K2203/0565 , H05K2203/161
Abstract: 다층 회로 기판 제조 방법은, 절연 기재의 표면에 팽윤성 수지 필름을 형성하는 필름-형성 단계, 상기 팽윤성 수지 필름의 외표면에 상기 팽윤성 수지 필름의 두께 이상의 깊이를 갖는 회로 홈을 형성하는 회로 홈-형성 단계, 상기 회로 홈의 표면과 상기 팽윤성 수지 필름의 표면 위에 도금 촉매 또는 그 전구체를 피착하는 촉매-피착 단계, 상기 팽윤성 수지 필름을 특정 액체로 팽윤시켜, 팽윤된 수지 필름을 상기 절연 기재 표면으로부터 박리하는 필름-박리 단계, 및 상기 팽윤성 수지 필름의 박리 후 도금 촉매 또는 그 도금 촉매의 전구체로부터 형성된 도금 촉매가 박리되지 않고 잔류하는 영역에만 무전해 도금막을 형성하는 도금 처리 단계를 포함한다.
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8.发明授权반도체 칩의 실장 방법, 그 방법을 이용하여 얻어진 반도체 장치 및 반도체 칩의 접속 방법, 및, 표면에 배선이 설치된 입체 구조물 및 그 제법 失效安装半导体芯片的方法，连接半导体器件的方法以及使用该方法获得的半导体芯片及其制造方法
公开(公告)号：KR101284376B1
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020117016257
申请日：2010-01-26
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H05K1/11 , G11B5/486 , H01L21/565 , H01L22/12 , H01L23/3121 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/24051 , H01L2224/24137 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/245 , H01L2224/25175 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73267 , H01L2224/82009 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/82931 , H01L2224/82947 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92244 , H01L2225/06524 , H01L2225/06551 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K1/111 , H05K1/117 , H05K1/181 , H05K3/184 , H05K2201/0376 , H05K2201/09472 , Y02P70/611 , Y10T428/1171 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 본 발명의 한 국면은, 반도체 칩(2) 표면의 본딩 패드(2a)와 절연 기재(1)의 표면에 형성된 전극 패드(1a)를 연결하는 경로의 표면에 수지 피막(3)을 형성하는 공정과, 본딩 패드(2a)와 전극 패드(1a)를 접속하기 위한 경로를 따라, 수지 피막(3)의 두께와 동일하거나 또는 두께분 이상의 깊이의 배선홈(4)을 레이저 가공에 의해 형성하는 공정과, 배선홈(4)의 표면에 도금 촉매(5)를 피착시키는 공정과, 수지 피막(3)을 제거하는 공정과, 도금 촉매(5)가 잔류하는 부위에만 무전해 도금막(6)을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 칩의 실장 방법이다. 본 발명의 다른 한 국면은, 표면에 배선이 설치된 입체 구조물로서, 입체 구조물의 표면에, 입체 구조물의 상호 교차하는 인접면 사이에 걸쳐 연장되는 배선용 오목홈이 형성되고, 상기 배선용 오목홈 내에 배선용 도체의 적어도 일부가 매설되어 있는 것을 특징으로 하는 입체 구조물이다.
Abstract translation: 一个方面中，一种形成半导体芯片（2）的表面键合焊盘（2a）的形成的本发明的基板1的表面上的步骤和连接所述电极垫（1a）中的路径的表面上的绝缘性树脂薄膜3 并且由键合焊盘（2a）和电极焊盘（1a）的形成的工序，沿着路径具有的厚度等于或大于所述树脂涂层（3）的厚度的深度的布线用槽4，用于连接的激光加工 除去树脂皮膜3的工序和仅在镀敷催化剂5的残留部分除去无电解电镀皮膜6的工序 在半导体芯片上形成半导体芯片。 另一个本发明的方面是，作为三维结构布线被设置在表面上，所述三维结构的表面上，跨过相邻的平面相交的三维结构延伸的布线槽被形成，和布线导体，在所述布线槽 至少部分嵌入三维结构中。
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公开(公告)号：KR101183376B1
公开(公告)日：2012-09-14
申请号：KR1020117029871
申请日：2009-04-30
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H05K3/107 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H05K1/0206 , H05K1/0269 , H05K1/0284 , H05K1/111 , H05K1/162 , H05K3/0032 , H05K3/184 , H05K3/4647 , H05K3/465 , H05K3/4661 , H05K2201/09736 , H05K2201/09845 , H05K2201/2072 , H05K2203/0108 , H05K2203/0565 , H05K2203/161
Abstract: 다층 회로 기판 제조 방법은, 절연 기재의 표면에 팽윤성 수지 필름을 형성하는 필름-형성 단계, 상기 팽윤성 수지 필름의 외표면에 상기 팽윤성 수지 필름의 두께 이상의 깊이를 갖는 회로 홈을 형성하는 회로 홈-형성 단계, 상기 회로 홈의 표면과 상기 팽윤성 수지 필름의 표면 위에 도금 촉매 또는 그 전구체를 피착하는 촉매-피착 단계, 상기 팽윤성 수지 필름을 특정 액체로 팽윤시켜, 팽윤된 수지 필름을 상기 절연 기재 표면으로부터 박리하는 필름-박리 단계, 및 상기 팽윤성 수지 필름의 박리 후 도금 촉매 또는 그 도금 촉매의 전구체로부터 형성된 도금 촉매가 박리되지 않고 잔류하는 영역에만 무전해 도금막을 형성하는 도금 처리 단계를 포함한다.
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10.发明公开
公开(公告)号：KR1020100044231A
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：KR1020107003936
申请日：2008-06-30
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H05K1/0373 , C08G59/4014 , C08J5/24 , C08J2363/00 , C08J2371/12 , C08K5/0025 , C08K5/0066 , C08K5/03 , C08K5/06 , C08K5/315 , C08K5/3417 , C08L63/00 , C08L71/12 , C08L79/04 , C09D163/00 , H05K1/0353 , H05K2201/012 , Y10T428/24917 , Y10T428/24994 , Y10T428/31529 , C08L2666/14 , C08L2666/22
Abstract: Disclosed is an epoxy resin composition essentially containing an epoxy compound, a low-molecular-weight phenol-modified polyphenylene ether and a cyanate compound. This epoxy resin composition is excellent in dielectric characteristics and exhibits high heat resistance, while maintaining flame retardancy. Specifically disclosed is an epoxy resin composition which is a thermosetting resin composition composed of a resin varnish containing an epoxy compound (A) having a number average molecular weight of not more than 1000 and containing at least two epoxy groups in a molecule without containing a halogen atom, a polyphenylene ether (B) having a number average molecular weight of not more than 5000, a cyanate ester compound (C), a curing catalyst (D) and a halogen flame retardant (E). This epoxy resin composition is characterized in that the components (A)-(C) are dissolved in the resin varnish, while the component (E) is not dissolved but dispersed in the resin varnish.
Abstract translation: 公开了基本上含有环氧化合物，低分子量酚改性聚苯醚和氰酸酯化合物的环氧树脂组合物。 该环氧树脂组合物的介电特性优异，耐热性高，同时保持阻燃性。 具体公开了一种环氧树脂组合物，其是由包含数均分子量不大于1000的环氧化合物（A）和不含卤素的分子中至少两个环氧基团的树脂清漆组成的热固性树脂组合物 原子，数均分子量不大于5000的聚苯醚（B），氰酸酯化合物（C），固化催化剂（D）和卤素阻燃剂（E）。 该环氧树脂组合物的特征在于，组分（A） - （C）溶解在树脂清漆中，而组分（E）不溶解但分散在树脂清漆中。
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