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1.发明公开그래핀 상 유전박막 증착 활성화를 위한 표면처리 방법, 그에 의한 표면처리된 그래핀 기판 및 표면처리된 그래핀 기판을 포함하는 전자소자 审中-实审一种用于激活石墨烯介电薄膜的沉积的表面处理方法，一种包括经表面处理的石墨烯基板和经表面处理的石墨烯基板的电子装置
公开(公告)号：KR1020170114339A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020160040900
申请日：2016-04-04
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/16 , C01B31/04 , C23C14/12 , C25B3/00 , C23C16/455 , H01L21/3105 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/1606 , C01B32/194 , C23C14/12 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , C25B3/00 , H01L21/0228 , H01L21/31058
Abstract: 본발명은그래핀상 유전박막증착활성화를위한표면처리방법, 그에의한표면처리된그래핀기판및 표면처리된그래핀기판을포함하는전자소자에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른그래핀상 유전박막증착활성화를위한표면처리방법은, 비활성그래핀상에유기물질을형성하여표면처리하는단계; 및상기유기물질상에유전박막을형성하는단계;를포함한다.
Abstract translation: 本发明是pinsang涉及一种包括用于激活的膜沉积的介电表面处理方法的电子装置中，所述石墨烯衬底官能石墨烯衬底和表面处理于此，是根据本发明的遗传的一个实施例pinsang 一种用于激活薄膜沉积的表面处理方法包括：在非活性石墨烯上形成有机材料以形成表面; 并在有机材料上形成电介质薄膜。
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公开(公告)号：KR1020100100510A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020090019437
申请日：2009-03-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/306
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/2004 , G03F7/42 , H01L21/306
Abstract: PURPOSE: An extreme ultraviolet photoresist film with pentacene and a method for forming the same are provided to be used in a semiconductor process with a width of less than 30 nm by forming the photosensitive film for the extreme ultraviolet radiation having the thickness of less than several nm. CONSTITUTION: The pentacene is evaporated in vacuum on the solid sample by using the thermal evaporation(S200). The solid sample deposited with the pentacene is radiated with the extreme ultraviolet(S210). The pentacene on a portion where the ultra violet ray is not radiated is removed by heating the solid sample deposited with the pentacene(S230).
Abstract translation: 目的：提供一种具有并五苯的极紫外光致抗蚀剂膜及其形成方法，用于宽度小于30nm的半导体工艺中，通过形成厚度小于几毫微米的极紫外辐射感光膜 纳米。 构成：使用热蒸发，并五苯在固体样品上真空蒸发（S200）。 用并五苯沉积的固体样品用极紫外辐射（S210）。 通过加热用并五苯沉积的固体样品，除去未辐射紫外线的部分上的并五苯（S230）。
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公开(公告)号：KR101067054B1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：KR1020090019437
申请日：2009-03-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/306
Abstract: 방향성 다중고리 화합물의 하나인 펜타신으로 구성된 극자외선용 감광막 및 그의 형성 방법을 제공한다. 진공 중에서 펜타신을 고체 시료에 증착시키고, 이에 극자외선을 조사하며, 가열을 통해 노광되지 않은 감광막을 제거한다. 최근 미세화되고 있는 반도체 공정에 이용될 수 있다.
펜타신(Pentacene), 감광제, 감광막, 극자외선-
公开(公告)号：KR101018537B1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：KR1020080074644
申请日：2008-07-30
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 게르마늄 나노결정립의 제조방법을 개시한다. 상기 제조방법은 게르마늄 기판상에 이온화된 질소가스를 이용하여 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계; 및 게르마늄 질화물 박막상에 후열처리를 통해 게르마늄 질화물 막으로 둘러싸인 게르마늄 나노결정립을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제조방법에 의해 상온에서 불순물 없는 고순도의 게르마늄 나노결정립을 형성할 수 있다.
게르마늄, 나노결정립, 게르마늄 질화물, 이온화, 질소가스-
公开(公告)号：KR101820234B1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：KR1020160040900
申请日：2016-04-04
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/16 , C01B31/04 , C23C14/12 , C25B3/00 , C23C16/455 , H01L21/3105 , H01L21/02
Abstract: 본발명은그래핀상 유전박막증착활성화를위한표면처리방법, 그에의한표면처리된그래핀기판및 표면처리된그래핀기판을포함하는전자소자에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른그래핀상 유전박막증착활성화를위한표면처리방법은, 비활성그래핀상에유기물질을형성하여표면처리하는단계; 및상기유기물질상에유전박막을형성하는단계;를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090042059A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：KR1020070107939
申请日：2007-10-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70033 , B82Y40/00
Abstract: A patterning method using a polyatomic molecule is provided to perform a minute surface pattering by using an extreme ultraviolet, a soft X ray, and a polyatomic molecule. A molecule layer(102) is formed by absorbing a polyatomic molecule on a surface of a solid. The polyatomic molecule is NH2 or H2O. A pattern is formed by selectively irradiating an extreme ultraviolet or a soft X-ray on a part of the surface of the molecule layer. A silicone substrate on which the molecule layer is formed is positioned inside a chamber of an ultra high vacuum state. A molecule pattern is formed by absorbing a functional molecule to the pattern.
Abstract translation: 提供使用多原子分子的图案化方法，通过使用极紫外线，软X射线和多原子分子来执行微小表面图案。 通过吸收固体表面上的多原子分子形成分子层（102）。 多原子分子是NH2或H2O。 通过在分子层的表面的一部分上选择性地照射极紫外线或软X射线来形成图案。 形成有分子层的有机硅基板位于超高真空状态的室内。 通过将功能分子吸收到图案形成分子图案。
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公开(公告)号：KR100888886B1
公开(公告)日：2009-03-17
申请号：KR1020070097459
申请日：2007-09-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2008 , B82Y40/00 , G03F7/70841
Abstract: A patterning method using monatomic molecule is provided to realize the surface patterning elaborate and minute by using the extreme ultraviolet radiation with short wave length. The monatomic molecule is absorbed to the surface of the solid and forms the molecule layer. The contaminant layer is formed on the surface of the formed molecule layer. The extreme ultraviolet radiation or the soft X-ray(Soft X-ray) is selectively irradiated onto the surface of the formed contaminant layer and the pattern is formed. The silicon substrate in which the contaminant layer is formed is positioned within the chamber with the ultra-high vacuum state, the extreme ultraviolet radiation or the soft X-ray is irradiated.
Abstract translation: 提供使用单原子分子的图案化方法，通过使用具有短波长的极紫外线辐射来实现表面图案的精细化和细微化。 单原子分子被吸收到固体的表面并形成分子层。 污染物层形成在形成的分子层的表面上。 将极紫外线或软X射线（软X射线）选择性地照射到形成的污染物层的表面上，形成图案。 其中形成污染物层的硅衬底位于具有超高真空状态的室内，照射极紫外线或软X射线。
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公开(公告)号：KR1020100013119A
公开(公告)日：2010-02-09
申请号：KR1020080074644
申请日：2008-07-30
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: B22F1/0018 , B22F9/28 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a germanium nano crystalline is provided to secure the structural stability by forming a germanium nitride barrier in nano units around the germanium nano crystalline. CONSTITUTION: A manufacturing method of a germanium nano crystalline(500) comprises the steps of: forming a germanium nitride thin film by a ionized nitrogen gas on a germanium board(100); and forming the germanium nano crystalline surrounded by the germanium nitride film through post-heating the germanium nitride thin film. The ionized nitrogen gas is obtained by direct current ion gun in the form of a hot filament. The ionized nitrogen gas is usually in the N2+ status. The step of forming germanium nitride thin film operates in the room temperature. The step forming germanium nitride thin film operates in the pressure of 0.5×10-6-10×10-6 torr.
Abstract translation: 目的：提供锗纳米晶体的制造方法，以通过在纳米晶体周围形成纳米单元的氮化锗屏障来确保结构稳定性。 构成：锗纳米晶体（500）的制造方法包括以下步骤：在锗板（100）上通过电离氮气形成氮化锗薄膜; 以及通过对所述氮化锗薄膜进行后加热来形成由所述氮化锗膜包围的锗纳米晶体。 电离氮气是以热丝形式的直流离子枪获得的。 电离氮气通常处于N2 +状态。 形成氮化锗薄膜的步骤在室温下工作。 台阶形成氮化锗薄膜的工作压力为0.5×10-6-10×10-6乇。
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公开(公告)号：KR100921932B1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020070107939
申请日：2007-10-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 다원자분자를 이용한 패터닝방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 극자외선 또는 소프트 엑스레이를 사용하여 EUV에 의한 다원자분자막의 변화 (질화(nitridation),산화(oxidation) 등)를 유도하고 실리콘기판의 표면에 패턴을 형성시킴으로써 -NH
2 , -OH 등의 작용기를 이용하여 미세한 수준에서 정밀도가 높은 패턴을 형성시킬 수 있는 기술이 개시된다.
리소그래피, EUV, 패터닝, 흡착, NH₃H₂O, 다원자분자-
公开(公告)号：KR100659280B1
公开(公告)日：2006-12-19
申请号：KR1020050113856
申请日：2005-11-26
Applicant: 학교법인 포항공과대학교 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
Abstract: A method for manufacturing a nano crystalline-silicon in a silicon-based nano structure is provided to control the size and density of a nano silicon nitride by employing a post-thermal process with respect to the nano silicon nitride at nitrogen gas atmosphere. Nitrogen gas is injected into a chamber of a vacuum state and then ionized therein. Nano silicon nitride is formed on a surface of a silicon substrate by using a sample current that is generated by the ionized nitrogen ion gas. The ionized nitrogen ion gas is generated by using a DC(Direct Current) ion gun of a hot-filament type. Nano crystalline-silicon is formed in the nano silicon nitride through a post-thermal process at nitrogen gas atmosphere.
Abstract translation: 提供一种用于在硅基纳米结构中制造纳米晶硅的方法，以通过在氮气气氛下对纳米氮化硅采用后热处理来控制纳米氮化硅的尺寸和密度。 将氮气注入真空状态的室中，然后在其中电离。 通过使用由电离氮离子气体产生的样品电流在硅基板的表面上形成纳米氮化硅。 离子化的氮离子气体通过使用热丝类型的DC（直流）离子枪而产生。 在氮气气氛下通过后热工艺在纳米氮化硅中形成纳米结晶硅。
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