公开(公告)号：KR1020110001621A

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：KR1020090059213

申请日：2009-06-30

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 지해근 ,  황한나 ,  김영독 ,  황찬국 ,  한진희

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01L21/02527 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A grapheme protective layer and a forming method thereof are provided to prevent the electrical property of a grapheme due to an external factor such as the air and the water by using pentacene as a grapheme protective layer. CONSTITUTION: A pentacene vapor is generated by heating and vaporizing pentacene(S100). The thickness of the pentacene is 1nm~2nm. The pentacene is deposited to the surface of the graphene(S110). The graphene and the pentacene are composed of silicon(Si) or silicon carbide(SiC).

Abstract translation: 目的：提供一种图形保护层及其形成方法，以通过使用并五苯作为刻画保护层来防止由空气和水等外部因素引起的图形的电学性质。 构成：并五苯蒸气通过加热和蒸发并五苯（S100）而产生。 并五苯的厚度为1nm〜2nm。 并五苯沉积到石墨烯的表面（S110）。 石墨烯和并五苯由硅（Si）或碳化硅（SiC）组成。

公开(公告)号：KR101178555B1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：KR1020100037993

申请日：2010-04-23

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 황찬국 ,  지해근 ,  한진희 ,  지승훈 ,  진경환 ,  황한나 ,  김영독

IPC: C01B31/02 ,  H01B1/04

Abstract: 일함수가 조절된 그래핀을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 기본 그래핀(pristine graphene)을 준비하고, 알곤 이온(argon ion)을 가속시키고, 가속된 상기 알곤 이온을 상기 기본 그래핀에 조사하여 상기 기본 그래핀의 일함수(work function) 와 다른 일함수를 갖는 변형 그래핀을 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR101067054B1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020090019437

申请日：2009-03-06

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 지해근 ,  신현준 ,  황한나 ,  황찬국

IPC: H01L21/306

Abstract: 방향성 다중고리 화합물의 하나인 펜타신으로 구성된 극자외선용 감광막 및 그의 형성 방법을 제공한다. 진공 중에서 펜타신을 고체 시료에 증착시키고, 이에 극자외선을 조사하며, 가열을 통해 노광되지 않은 감광막을 제거한다. 최근 미세화되고 있는 반도체 공정에 이용될 수 있다.
펜타신(Pentacene), 감광제, 감광막, 극자외선

公开(公告)号：KR1020110118408A

公开(公告)日：2011-10-31

申请号：KR1020100037993

申请日：2010-04-23

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 황찬국 ,  지해근 ,  한진희 ,  지승훈 ,  진경환 ,  황한나 ,  김영독

IPC: C01B31/02 ,  H01B1/04

CPC classification number: C01B32/194 ,  C01B32/184 ,  H01B1/04

Abstract: 일함수가 조절된 그래핀을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 기본 그래핀(pristine graphene)을 준비하고, 알곤 이온(argon ion)을 가속시키고, 가속된 상기 알곤 이온을 상기 기본 그래핀에 조사하여 상기 기본 그래핀의 일함수(work function) 와 다른 일함수를 갖는 변형 그래핀을 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100100510A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090019437

申请日：2009-03-06

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 지해근 ,  신현준 ,  황한나 ,  황찬국

IPC: H01L21/306

CPC classification number: G03F7/004 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/42 ,  H01L21/306

Abstract: PURPOSE: An extreme ultraviolet photoresist film with pentacene and a method for forming the same are provided to be used in a semiconductor process with a width of less than 30 nm by forming the photosensitive film for the extreme ultraviolet radiation having the thickness of less than several nm. CONSTITUTION: The pentacene is evaporated in vacuum on the solid sample by using the thermal evaporation(S200). The solid sample deposited with the pentacene is radiated with the extreme ultraviolet(S210). The pentacene on a portion where the ultra violet ray is not radiated is removed by heating the solid sample deposited with the pentacene(S230).

Abstract translation: 目的：提供一种具有并五苯的极紫外光致抗蚀剂膜及其形成方法，用于宽度小于30nm的半导体工艺中，通过形成厚度小于几毫微米的极紫外辐射感光膜 纳米。 构成：使用热蒸发，并五苯在固体样品上真空蒸发（S200）。 用并五苯沉积的固体样品用极紫外辐射（S210）。 通过加热用并五苯沉积的固体样品，除去未辐射紫外线的部分上的并五苯（S230）。