公开(公告)号：KR1020110001621A

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：KR1020090059213

申请日：2009-06-30

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 지해근 ,  황한나 ,  김영독 ,  황찬국 ,  한진희

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01L21/02527 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A grapheme protective layer and a forming method thereof are provided to prevent the electrical property of a grapheme due to an external factor such as the air and the water by using pentacene as a grapheme protective layer. CONSTITUTION: A pentacene vapor is generated by heating and vaporizing pentacene(S100). The thickness of the pentacene is 1nm~2nm. The pentacene is deposited to the surface of the graphene(S110). The graphene and the pentacene are composed of silicon(Si) or silicon carbide(SiC).

Abstract translation: 目的：提供一种图形保护层及其形成方法，以通过使用并五苯作为刻画保护层来防止由空气和水等外部因素引起的图形的电学性质。 构成：并五苯蒸气通过加热和蒸发并五苯（S100）而产生。 并五苯的厚度为1nm〜2nm。 并五苯沉积到石墨烯的表面（S110）。 石墨烯和并五苯由硅（Si）或碳化硅（SiC）组成。

公开(公告)号：KR1020110118408A

公开(公告)日：2011-10-31

申请号：KR1020100037993

申请日：2010-04-23

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 황찬국 ,  지해근 ,  한진희 ,  지승훈 ,  진경환 ,  황한나 ,  김영독

IPC: C01B31/02 ,  H01B1/04

CPC classification number: C01B32/194 ,  C01B32/184 ,  H01B1/04

Abstract: 일함수가 조절된 그래핀을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 기본 그래핀(pristine graphene)을 준비하고, 알곤 이온(argon ion)을 가속시키고, 가속된 상기 알곤 이온을 상기 기본 그래핀에 조사하여 상기 기본 그래핀의 일함수(work function) 와 다른 일함수를 갖는 변형 그래핀을 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR101178555B1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：KR1020100037993

申请日：2010-04-23

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 황찬국 ,  지해근 ,  한진희 ,  지승훈 ,  진경환 ,  황한나 ,  김영독

IPC: C01B31/02 ,  H01B1/04

Abstract: 일함수가 조절된 그래핀을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 기본 그래핀(pristine graphene)을 준비하고, 알곤 이온(argon ion)을 가속시키고, 가속된 상기 알곤 이온을 상기 기본 그래핀에 조사하여 상기 기본 그래핀의 일함수(work function) 와 다른 일함수를 갖는 변형 그래핀을 형성하는 것을 포함한다.