-
公开(公告)号：KR101926042B1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：KR1020170088867
申请日：2017-07-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/30 , C23C16/06
Abstract: 개시된 파우더 코팅 방법은, 반응 챔버 내에 파우더를 장입하는 단계, 상기 반응 챔버 내에 소스 가스를 제공하여 원자층 증착을 통해 상기 파우더의 표면에 코팅층을 형성하는 단계 및 상기 파우더의 표면에 코팅층을 형성하기 위한 반응이 진행될 때, 상기 반응 챔버 외부에서 발생된 진동을, 상기 반응 챔버에 제공하는 단계를 포함한다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101801787B1
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020150179316
申请日：2015-12-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은열전소재를제조하는방법으로서, 열전파우더를준비하는단계; 상기열전파우더를금속산화물로코팅하는단계; 상기금속산화물로코팅된열전파우더를가압성형하여열전소재를형성하는단계; 상기열전소재를소결하는단계; 및상기열전소재를열처리하는단계를포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020170071235A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020150179316
申请日：2015-12-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은열전소재를제조하는방법으로서, 열전파우더를준비하는단계; 상기열전파우더를금속산화물로코팅하는단계; 상기금속산화물로코팅된열전파우더를가압성형하여열전소재를형성하는단계; 상기열전소재를소결하는단계; 및상기열전소재를열처리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造热电材料的方法，包括以下步骤：制备热电粉末; 用金属氧化物涂覆热电粉末; 通过压制涂覆有金属氧化物的热电粉末形成热电材料; 烧结热电材料; 并热处理热电材料。
-
公开(公告)号：KR101134568B1
公开(公告)日：2012-04-13
申请号：KR1020100036773
申请日：2010-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L21/205
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판위에 단결정 카드늄텔루라이드 (CdTe) 박막을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명에 따른 제조 방법은 1) 실리콘 기판 위에 자연산화막을 제거하는 단계; 2) 자연산화막이 제거된 상기 실리콘 기판위에 이종 화합물의 완충층을 두께를 조절하여 증착하는 단계; 3) 상기의 완충층 위에 CdTe 단결정을 성장하는 단계를 포함하는, 우수한 물성을 가지는 단결정의 CdTe 단결정 웨이퍼를 저가의 실리콘 기판위에 제조하는 방법을 제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020110117362A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020100036773
申请日：2010-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L21/205
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판위에 단결정 카드늄텔루라이드 (CdTe) 박막을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명에 따른 제조 방법은 1) 실리콘 기판 위에 자연산화막을 제거하는 단계; 2) 자연산화막이 제거된 상기 실리콘 기판위에 이종 화합물의 완충층을 두께를 조절하여 증착하는 단계; 3) 상기의 완충층 위에 CdTe 단결정을 성장하는 단계를 포함하는, 우수한 물성을 가지는 단결정의 CdTe 단결정 웨이퍼를 저가의 실리콘 기판위에 제조하는 방법을 제공한다.
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.017 seconds)
