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公开(公告)号：KR1019950011362A
公开(公告)日：1995-05-15
申请号：KR1019930021082
申请日：1993-10-12
IPC: C04B18/06
CPC classification number: C04B18/027 , Y02W30/92 , Y02W30/94 , C04B14/04 , C04B14/22 , C04B14/28 , C04B18/021 , C04B18/023 , C04B18/08 , C04B18/146
Abstract: 프라이 애쉬 50~60 중량%, 점토 20~40 중량%, 장석 20~30 중량%의 혼합물과 이 혼합물의 전체 중량에 대한 5~10 중량%의 발포제를 혼합하는 공정, 상기 혼합물을 조립기에 연속 공급하면서 사용된 분말 재료의 25~30 중량%의 물을 분사하여 구형 골재를 성형하는 공정, 이 구형 골재를 1280℃ 이하의 온도에서 1시간 동안 소결하는 공정과의 결합을 특징으로 하는 플라이 애쉬 점토 및 함유 경량 골재의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 경량 골재에는 흄드 실리카 및 파유리를 더 펌가하여 그 소결 온도를 1100℃이하로 낮출 수 있으며, 아울러 발포제로서 CaCO
3 를 사용할 수 있게 되므로 공해 가스인 SO
3 의 발생을 피할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019950011361A
公开(公告)日：1995-05-15
申请号：KR1019930021081
申请日：1993-10-12
IPC: C04B18/06
Abstract: 본 발명에는 프라이 애쉬 80~95 중량%와 시멘트 5~20 중량%를 혼합하는 공정, 상기 혼합물을 조립기에 연속 공급하면서 분사되는 물의 중량을 기준으로 1~10 중량%의 알칼리 활성화제를 함유한 물을 사용된 분말 재료의 25~30 중량%의 양으로 분사하여 구형 골재를 성형하는 공정과, 이 구형 골재를 100℃ 이하의 온도 및 포화 수증기압 하에서 24 시간 이하 동안 양생하는 공정과, 상기 양생된 구형 골재를 건조시키는 공정의 결합을 특징으로 하는 플라이 애쉬 함유 경량 골재의 제조 방법이 개시된다.
이 방법에 따라 제조된 골재는 비중 1.2 이하의 경량 골재로서, 매우 둥근 형태를 가지고 있으므로, 콘크리트 제조시 모래의 양을 감소시켜 주고, 비빔시 작업성을 향상시켜 준다.-
公开(公告)号：KR1019920005096B1
公开(公告)日：1992-06-26
申请号：KR1019890014954
申请日：1989-10-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/00
Abstract: The cordialite ceramic material of low thermal expansion rate has the composition of (2-x)MgO xAO 2Al2O3 (5-y)SiO2 yGeO2. (where A is Sr or Ca, x is 0.2
Abstract translation: 低热膨胀率的堇青石陶瓷材料具有（2-x）MgO xAO 2Al2O3（5-y）SiO2 yGeO2的组成。 （其中A是Sr或Ca，x是0.2 <= x <= 0.5，y是0.2 <= y <= 0.5）。 混合原料是西兰高岭土，满洲滑石和一些添加剂。 陶瓷体在1400-1450℃烧结，用于汽车的催化剂回路或热交换器或熔融金属过滤器的辐射板。
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公开(公告)号：KR1020090116587A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：KR1020080064112
申请日：2008-07-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/31 , H01L21/336 , H01L27/108 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02194 , H01L21/02266 , H01L28/40 , H01L29/4908
Abstract: PURPOSE: A composite dielectric thin film, a capacitor and a field effect transistor using the same, and each fabrication method thereof are provided to manufacture a complex dielectrics thin film under a room temperature by distributing a crystalline filter or amorphous filler uniformly. CONSTITUTION: In a composite dielectric thin film, a capacitor and a field effect transistor using the same, and each fabrication method thereof, a amorphous dielectric matrix(10) is deposited under a room temperature less than 200 °C. The amorphous dielectric matrix includes amorphous material and a nano-crystalline material partly. The crystalline or the amorphous filler are distributed within the amorphous dielectric matrix. The filler is at least one selected from groups compose of MgO, Al2O3, SiO2, and LaAlO3. The complex dielectrics thin film is deposited under the room temperature, and a dielectric target and a filler target are sputtered in the same chamber under the room temperature less than 200 °C.
Abstract translation: 目的：提供一种复合电介质薄膜，电容器和使用其的场效应晶体管及其制造方法，以均匀地分布结晶滤波器或无定形填料，在室温下制造复合电介质薄膜。 构成：在复合电介质薄膜中，使用其的电容器和场效应晶体管及其各自的制造方法，在低于200℃的室温下沉积非晶介质基体（10）。 非晶介质矩阵部分包括无定形材料和纳米晶体材料。 晶体或无定形填料分布在非晶介质基质内。 填料是选自MgO，Al2O3，SiO2和LaAlO3组成的组中的至少一种。 在室温下沉积复合电介质薄膜，并在室温小于200℃的同一室内溅射介电靶和填料靶。
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公开(公告)号：KR1019900001409B1
公开(公告)日：1990-03-09
申请号：KR1019870012578
申请日：1987-11-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/18
Abstract: The piezo-electric material is prepared by mixing 0-0.05 wt.% Pb (Cd1/2 W1/2) O3 and 0.4-0.6 wt.% PbTiO3 with 0.4 - 0.6 wt.% PbZrO3, calcining the mixture at 750-950 deg.c, pulverizing and moulding under 1000 kg/cm2, and sintering at 1000 -1100 deg.C.
Abstract translation: 通过将0-0.05重量％的Pb（Cd1 / 2W1 / 2）O3和0.4-0.6重量％的PbTiO3与0.4-0.6重量％的PbZrO3混合来制备压电材料，在750-950度煅烧该混合物 在1000kg / cm2下粉碎成型，在1000-111℃烧结。
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