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公开(公告)号：KR1020180011662A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：KR1020160094336
申请日：2016-07-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B32B37/24 , C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/56 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C16/52 , B32B9/00 , B32B9/04
CPC classification number: B32B37/24 , B32B9/007 , B32B9/045 , B32B2037/246 , B32B2307/7242 , C23C14/0652 , C23C14/08 , C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/52 , C23C16/56
Abstract: 그래핀계배리어필름의제조방법으로서, 금속촉매층상에제1 화학기상증착공정을수행하여예비그래핀층을형성하는단계; 해당예비그래핀층에제2 화학기상증착공정을수행하여해당예비그래핀층을그래핀층으로변환시키는단계; 해당그래핀층상에고분자보호막을형성하는단계; 해당그래핀층의일면으로부터금속촉매층을제거하는단계; 및해당금속촉매층이제거된그래핀층을대상기판에전사시켜그래핀계배리어필름을형성하는단계; 를포함하는그래핀계배리어필름의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 1。一种石墨烯阻挡膜的制造方法，其特征在于，包括：在金属催化剂层上进行第一化学气相沉积工艺以形成预截平层; 在所述前体石蜡层上执行第二化学气相沉积工艺以将所述前体石墨层转变为石墨烯层; 在石墨烯层上形成聚合物保护膜; 从石墨烯层的一侧除去金属催化剂层; 然后将去除了金属催化剂层的石墨烯层转移到目标衬底上以形成石墨烯阻挡膜; 提供基于阻隔膜。
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公开(公告)号：KR101851171B1
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：KR1020160094336
申请日：2016-07-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B32B37/24 , C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/56 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C16/52 , B32B9/00 , B32B9/04
Abstract: 그래핀계배리어필름의제조방법으로서, 금속촉매층상에제1 화학기상증착공정을수행하여예비그래핀층을형성하는단계; 해당예비그래핀층에제2 화학기상증착공정을수행하여해당예비그래핀층을그래핀층으로변환시키는단계; 해당그래핀층상에고분자보호막을형성하는단계; 해당그래핀층의일면으로부터금속촉매층을제거하는단계; 및해당금속촉매층이제거된그래핀층을대상기판에전사시켜그래핀계배리어필름을형성하는단계; 를포함하는그래핀계배리어필름의제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR101842062B1
公开(公告)日：2018-03-26
申请号：KR1020160099101
申请日：2016-08-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B21/064 , B01J19/121 , B01J23/745 , B01J37/347 , B01J2219/12
Abstract: 붕소-금속촉매복합체를반응챔버에주입하는단계; 반응챔버에질소전구체를주입하는단계; 붕소-금속촉매복합체에이산화탄소레이저또는자유전자레이저를조사하여기체상태의붕소-금속촉매복합체의분해생성물을생성하는단계; 및기체상태의붕소-금속촉매복합체의분해생성물과상기질소전구체가반응하여질화붕소나노튜브를형성하는단계; 를포함하는질화붕소나노튜브의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 将硼 - 金属催化剂配合物注入反应室中; 将氮前体注入反应室; 通过用二氧化碳激光器或自由电子激光照射硼 - 金属催化剂络合物来产生气态硼 - 金属催化剂络合物的分解产物; 并且气态硼 - 金属催化剂络合物与氮前体的分解产物反应形成氮化硼纳米管; 一种制造氮化硼纳米管的方法，包括以下步骤：
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公开(公告)号：KR101867905B1
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR1020160150965
申请日：2016-11-14
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 반응챔버; 반응챔버내에위치하는음극전극봉; 음극전극봉과아크방전을일으키는양극전극봉으로서, 붕소섬유및 금속층을포함하는양극전극봉; 및반응챔버내에버퍼가스및 질소공급가스를주입하는가스주입구;를포함하는질화붕소나노튜브제조장치가제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020180015502A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：KR1020160099101
申请日：2016-08-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B21/064 , B01J19/121 , B01J23/745 , B01J37/347 , B01J2219/12 , B82Y30/00 , C23C14/16 , C23C14/30 , C23C16/0263 , C23C16/342
Abstract: 붕소-금속촉매복합체를반응챔버에주입하는단계; 반응챔버에질소전구체를주입하는단계; 붕소-금속촉매복합체에이산화탄소레이저또는자유전자레이저를조사하여기체상태의붕소-금속촉매복합체의분해생성물을생성하는단계; 및기체상태의붕소-금속촉매복합체의분해생성물과상기질소전구체가반응하여질화붕소나노튜브를형성하는단계; 를포함하는질화붕소나노튜브의제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR1020180053874A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：KR1020160150965
申请日：2016-11-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/22 , C01B21/064 , C01P2004/13 , C23C14/0036 , C23C14/0057 , C23C14/0647 , C23C14/325 , C23C14/58 , C23C28/32 , C23C28/34
Abstract: 반응챔버; 반응챔버내에위치하는음극전극봉; 음극전극봉과아크방전을일으키는양극전극봉으로서, 붕소섬유및 금속층을포함하는양극전극봉; 및반응챔버내에버퍼가스및 질소공급가스를주입하는가스주입구;를포함하는질화붕소나노튜브제조장치가제공된다.
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公开(公告)号：KR101756641B1
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：KR1020160071305
申请日：2016-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/5253 , C01B32/182 , H01L21/02274 , H01L21/56 , H01L29/1606
Abstract: 플라즈마처리된그래핀층을포함하며, 해당플라즈마처리된그래핀층의상면은수소(H), 질소(N), 산소(O), 플루오린(F), 붕소(B), 인(P) 및황(S)으로이루어진그룹에서선택된하나이상을포함하는원소가도핑된것을특징으로하는유기전자소자용보호막이제공된다.
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9.发明公开
公开(公告)号：KR1020170038499A
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020150137941
申请日：2015-09-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/205
Abstract: 본원발명은원격고주파유도결합플라즈마가적용된화학적기상증착방법을이용하여금속촉매표면위에고품질육방질화붕소막 (h-BN, Hexagonal Boron Nitride, White Graphene) 을성장시키는공정기술에대한것으로, 보다구체적으로는금속촉매를가열하여금속촉매표면의그레인크기를증가시키는어닐링단계; 어닐링된 금속촉매를육방질화붕소막제조온도로급속냉각하는금속촉매냉각단계; 육방질화붕소막의전구체를공급하는전구체공급단계; 원격고주파유도결합플라즈마를적용하여금속촉매위에육방질화붕소막을형성하는육방질화붕소막제조단계; 및상기육방질화붕소막을상온으로급속냉각하는육방질화붕소막냉각단계를포함하는것을특징으로하는원격고주파유도결합플라즈마를이용한육방질화붕소막의제조방법에대한것이다. 본원발명은기존의 1,000℃이상의높은온도에서화학기상증착법을적용하여제조되던육방질화붕소막을기존에비하여매우낮은온도인 500 내지 600 ℃에서도고품질로제조할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明作为用于远程感应耦合等离子体的工艺技术是使用化学气相沉积工艺，以在高品质的六方氮化硼膜（的h-BN，六方氮化硼，白石墨烯）生长的金属催化剂的表面，具体而言施加更 加热金属催化剂以增加金属催化剂表面的晶粒尺寸的退火步骤; 将退火后的金属催化剂骤冷至氮化硼硼膜形成温度的金属催化剂冷却工序; 提供硼六叠氮化物膜的前体的前体供应步骤; 通过应用远程高频电感耦合等离子体在金属催化剂上形成六氟化硼膜来制备硼六键氮化硼膜的步骤; 并且本发明涉及使用远程感应耦合等离子体包含六方晶系氮化硼薄膜冷却的六方氮化硼薄膜快速冷却至室温步骤六方氮化硼膜的制造方法。 本发明具有产生六方氮化硼可在温度高于1000℃现有相比于常规优质甚至从500至600℃很低的温度下释放通过应用化学气相沉积工艺制备的膜的优点。
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