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公开(公告)号：WO2014046332A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2012/008662
申请日：2012-10-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3485 , H01J37/3405 , H01J37/3467
Abstract: 기판상에 금속박막을 증착하는 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 기판상에 금속박막을 증착하는 방법은 진공챔버 내부에 위치한 기판 장착대에 기판을 장착하는 단계, 진공펌프를 이용하여 상기 진공챔버 내부를 진공시키는 단계, 상기 진공챔버 내에 사용할 가스를 인입하여 내부의 압력을 일정한 압력으로 유지하는 단계, 및 상기 진공챔버에 장착된 마그네트론 스퍼터링 증착원에 양극성 펄스직류 전원장치에서 발생된 양극성 펄스직류를 인가하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种在衬底上沉积薄金属膜的方法。 根据本发明的在基板上沉积金属薄膜的方法包括以下步骤：将基板安装在位于真空室内部的基板安装台上; 使用真空泵对真空室进行抽真空; 通过将真空室内的气体注入真空室来保持真空室的内部压力恒定; 以及将在双极脉冲直流发电机处产生的双极脉冲直流电应用到安装在真空室上的磁控溅射沉积源。
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公开(公告)号：KR101466975B1
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130076213
申请日：2013-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/324 , H01L21/326 , H01L27/1277
Abstract: 본 발명은 결정화도가 향상된 박막의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 박막에 관한 것이다. 보다 상세하게는 결정화 촉매 금속 원소와 자기장을 동시에 적용함으로써 결정화도가 향상된 박막을 제조하는 방법 및 이에 의하여 제조된 박막에 관한 것이다. 본 발명은 결정화 촉매 금속을 이용하여 비정질 박막을 결정화하는 방법에 있어서 비정질 박막의 열처리시 자기장을 동시에 인가하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 본 발명에 의하면, 열처리시 자기장을 인가함으로써 열처리시 자기장을 인가하지 않은 경우와 비교하여 결정화도가 높은 박막을 제조할 수 있다. 또한 결정화 촉매 금속 원소의 잔류량을 현저히 줄일 수 있다. 또한, 결정화 촉매 금속 원소의 이온 주입 조건을 조절함으로써 박막의 결정 사이즈를 조절할 수 있다. 또한 열처리 온도를 낮출 수 있으므로 플렉서블 기판(Flexible substrate)을 사용하는 경우에도 적용이 가능하다. 또한 열처리 온도가 낮고 열처리 시간도 단축할 수 있으므로 생산 비용을 줄일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有改善的结晶度的薄膜的方法和由该薄膜制造的薄膜，更具体地说，涉及通过施加结晶催化剂金属元素和磁场制造具有改善的结晶度的薄膜的方法 以及由其制造的薄膜。 根据本发明提供的使用结晶催化剂金属的非晶态薄膜的结晶方法，当进行非晶薄膜的热处理时，同时施加磁场。 根据本发明，通过在热处理期间施加磁场，与不施加磁场的情况相比，可以制造具有更高结晶度的薄膜。 此外，结晶催化剂金属元素的剩余量可以显着降低。 此外，可以通过调节结晶催化剂金属元素的离子注入的条件来调节薄膜的晶体尺寸。 此外，由于可以降低热处理温度，所以该方法可以应用于使用柔性基板的情况。 另外，由于热处理温度低，能够降低热处理时间，所以能够降低制造成本。
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公开(公告)号：KR1020150021776A
公开(公告)日：2015-03-03
申请号：KR1020130099157
申请日：2013-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/358 , G02B1/115
Abstract: 광투과율이 우수한 반사방지막의 제조방법 및 그에 의하여 제조된 반사방지막에 관한 것이다. 본 발명은 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 기판상에 반사방지막을 형성하는 함에 있어서, 진공조 내부의 가스 공정 압력이 20 ~ 200 mTorr 이고, 상기 반사방지막은 다공성 박막인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 20~ 200 mTorr의 높은 공정압력에서 마그네트론 증착원을 이용한 반응성 증착으로 다공성 박막을 증착하게 되면, 박막의 기공 형성에 의해 유리 기판의 반사율이 감소하고 투과율이 증가할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 반사방지막을 비정질 실리콘 태양전지에 적용하면 에너지 변환효율을 증가시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 다층 반사방지막 방법 또는 글랜싱 앵글 증착 방법이 아닌, 하나의 진공조 내에서 높은 공정 압력 조건에서 다공성 산화규소 박막을 유리 기판에 증착할 수 있기 때문에, 한층 간단한 방법으로 별도의 과정 없이 비정질 실리콘 박막 태양전지의 유리 기판에 반사방지막을 제작할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过该方法制造的具有优异透光性的抗反射膜和抗反射膜的制造方法。 通过使用磁控溅射法在基板上形成防反射膜。 真空室中的工艺气体压力为20-200mTorr，防反射膜为多孔薄膜。 根据本发明，如果在20-200mTorr的高工艺压力下通过使用磁控管沉积源的反应沉积法沉积多孔薄膜，则玻璃基板的反射率可以降低，透光率可以是 由薄膜的孔形成增加。 此外，当将本发明的抗反射膜应用于硅太阳能电池时，可以提高能量转换效率。 此外，根据本发明，不使用多层防反射膜法或扫视角淀积法，在玻璃基板上，在高压处理条件下，可以在玻璃基板上沉积多孔氧化硅膜 真空室，因此无需额外的工艺，可以在非晶硅薄膜太阳能电池的玻璃基板上制造防反射膜。
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公开(公告)号：KR1020140038771A
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：KR1020120105293
申请日：2012-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3485 , H01J37/3405 , H01J37/3467
Abstract: A method for depositing a metal thin film on a substrate is disclosed. The method for depositing a metal thin film on a substrate, according to the present invention, comprises the steps of mounting a substrate on a substrate mounting stand located inside a vacuum chamber; vacuuming the inside of the vacuum chamber using a vacuum pump; maintaining the internal pressure of the vacuum chamber to be constant by injecting a gas to be used into the vacuum chamber; and applying a bipolar pulsed direct current generated at a bipolar pulsed direct current generator to a magnetron sputtering deposition source mounted on the vacuum chamber.
Abstract translation: 公开了一种在衬底上沉积金属薄膜的方法。 根据本发明的在基板上沉积金属薄膜的方法包括以下步骤：将基板安装在位于真空室内的基板安装台上; 使用真空泵对真空室的内部进行抽真空; 通过将真空室内的气体注入真空室来保持真空室的内部压力恒定; 以及将在双极脉冲直流发电机处产生的双极脉冲直流电应用到安装在真空室上的磁控溅射沉积源。
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