-
公开(公告)号：WO2013055141A9
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/KR2012/008300
申请日：2012-10-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: A61L27/02 , C23C16/503 , C23C16/515
Abstract: 생체재료로 이용되는 임플란트나 인공관절 등의 인공대체물과 그 시술에 쓰이는 여러 부속품들의 골형성과 골유착 성능을 향상시키기 위한 생체용 재료의 표면개질 장치 및 표면개질 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 생체용 재료의 표면개질 장치는 내부가 진공 상태를 유지하는 진공조, 진공조에 결합되어 생체활성 물질의 플라즈마 이온을 발생하는 마그네트론 증착원, 진공조 내에서 마그네트론 증착원에 대향하는 위치에 설치되어 시료가 장착되는 시료장착대, 마그네트론 증착원에 펄스직류 전력을 공급하여, 마그네트론 증착원으로부터 스퍼터링되는 생체활성 물질의 플라즈마 이온들을 발생시키는 펄스직류 전원부, 및 시료장착대에 음(-)의 고전압 펄스를 공급하여, 마그네트론 증착원으로부터 형성되는 생체활성 물질의 플라즈마 이온들을 이온주입시키는 고전압 펄스 전원부를 포함한다.
-
公开(公告)号：WO2014046332A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2012/008662
申请日：2012-10-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3485 , H01J37/3405 , H01J37/3467
Abstract: 기판상에 금속박막을 증착하는 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 기판상에 금속박막을 증착하는 방법은 진공챔버 내부에 위치한 기판 장착대에 기판을 장착하는 단계, 진공펌프를 이용하여 상기 진공챔버 내부를 진공시키는 단계, 상기 진공챔버 내에 사용할 가스를 인입하여 내부의 압력을 일정한 압력으로 유지하는 단계, 및 상기 진공챔버에 장착된 마그네트론 스퍼터링 증착원에 양극성 펄스직류 전원장치에서 발생된 양극성 펄스직류를 인가하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种在衬底上沉积薄金属膜的方法。 根据本发明的在基板上沉积金属薄膜的方法包括以下步骤：将基板安装在位于真空室内部的基板安装台上; 使用真空泵对真空室进行抽真空; 通过将真空室内的气体注入真空室来保持真空室的内部压力恒定; 以及将在双极脉冲直流发电机处产生的双极脉冲直流电应用到安装在真空室上的磁控溅射沉积源。
-
公开(公告)号：WO2013035983A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/KR2012/006211
申请日：2012-08-03
IPC: H01J37/317 , H01J37/20 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3405 , H01L21/2236
Abstract: 상온에서 고체 상태로 존재하는 원소의 이온을 낮은 공정 압력에서 시료의 표면에 효율적으로 이온주입할 수 있는 플라즈마 이온주입 장치 및 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온주입 장치는 내부가 진공 상태를 유지하는 진공조, 진공조에 결합되어 진공조 내부에 펄스 플라즈마를 발생하는 마그네트론 증착원, 진공조 내에서 마그네트론 증착원에 대향하는 위치에 설치되어 시료가 장착되는 전도성 시료 장착대, 및 입력되는 펄스 직류전력와 RF전력을 결합하여 마그네트론 증착원에 RF전력과 펄스 직류전력이 중첩된 RF-DC 결합전력을 공급하는 RF-DC 결합부를 포함한다.
Abstract translation: 提供了一种用于等离子体离子注入的装置和方法，其能够在低处理压力下有效地将在室温下以固态存在的原料的离子注入样品表面。 根据本发明的一个实施例的等离子体离子注入装置包括：保持真空状态的真空室; 耦合到所述真空室并在所述真空室内产生脉冲等离子体的磁控溅射源; 导电样品台安装在与磁控管溅射源相对的真空室内的位置，样品就座在其上; 以及组合输入的脉冲DC功率和RF功率并将其提供给磁控溅射源的组合的RF-DC功率，即重叠的RF功率和脉冲DC功率的RF-DC耦合器。
-
公开(公告)号：KR101466975B1
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130076213
申请日：2013-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/324 , H01L21/326 , H01L27/1277
Abstract: 본 발명은 결정화도가 향상된 박막의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 박막에 관한 것이다. 보다 상세하게는 결정화 촉매 금속 원소와 자기장을 동시에 적용함으로써 결정화도가 향상된 박막을 제조하는 방법 및 이에 의하여 제조된 박막에 관한 것이다. 본 발명은 결정화 촉매 금속을 이용하여 비정질 박막을 결정화하는 방법에 있어서 비정질 박막의 열처리시 자기장을 동시에 인가하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 본 발명에 의하면, 열처리시 자기장을 인가함으로써 열처리시 자기장을 인가하지 않은 경우와 비교하여 결정화도가 높은 박막을 제조할 수 있다. 또한 결정화 촉매 금속 원소의 잔류량을 현저히 줄일 수 있다. 또한, 결정화 촉매 금속 원소의 이온 주입 조건을 조절함으로써 박막의 결정 사이즈를 조절할 수 있다. 또한 열처리 온도를 낮출 수 있으므로 플렉서블 기판(Flexible substrate)을 사용하는 경우에도 적용이 가능하다. 또한 열처리 온도가 낮고 열처리 시간도 단축할 수 있으므로 생산 비용을 줄일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有改善的结晶度的薄膜的方法和由该薄膜制造的薄膜，更具体地说，涉及通过施加结晶催化剂金属元素和磁场制造具有改善的结晶度的薄膜的方法 以及由其制造的薄膜。 根据本发明提供的使用结晶催化剂金属的非晶态薄膜的结晶方法，当进行非晶薄膜的热处理时，同时施加磁场。 根据本发明，通过在热处理期间施加磁场，与不施加磁场的情况相比，可以制造具有更高结晶度的薄膜。 此外，结晶催化剂金属元素的剩余量可以显着降低。 此外，可以通过调节结晶催化剂金属元素的离子注入的条件来调节薄膜的晶体尺寸。 此外，由于可以降低热处理温度，所以该方法可以应用于使用柔性基板的情况。 另外，由于热处理温度低，能够降低热处理时间，所以能够降低制造成本。
-
公开(公告)号：KR1020130128733A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120052688
申请日：2012-05-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: The present invention relates to ion injection and sputtering in order to provide a method and a device for injecting plasma ions and sputtering to simultaneously or gradually perform ion injection and sputtering processes for the top of materials inside a vacuum chamber without exposing them to the outside by using a conductive sample mount to mount samples and magnetron deposition sources mounted with sputtering targets inside the vacuum chamber. [Reference numerals] (30) RF power device;(40) DC power device;(90) Gas flow control device;(94) Gas storage device;(96) High voltage pulse power device;(98) Vacuum pump
Abstract translation: 本发明涉及离子注入和溅射，以提供一种用于等离子体离子注入和溅射的方法和装置，以同时或逐渐地对真空室内的材料的顶部进行离子注入和溅射处理，而不会使其暴露于外部 使用导电样品架将样品和安装有溅射靶的磁控管沉积源安装在真空室内。 （30）射频功率器件;（40）直流电源装置;（90）气体流量控制装置;（94）储气装置;（96）高压脉冲功率器件;（98）真空泵
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101267459B1
公开(公告)日：2013-05-31
申请号：KR1020110091468
申请日：2011-09-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/265 , C23C14/48 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3405 , H01L21/2236
Abstract: 상온에서고체상태로존재하는원소의이온을낮은공정압력에서시료의표면에효율적으로이온주입할수 있는플라즈마이온주입장치및 방법을제공한다. 본발명의실시예에따른플라즈마이온주입장치는내부가진공상태를유지하는진공조, 진공조에결합되어진공조내부에펄스플라즈마를발생하는마그네트론증착원, 진공조내에서마그네트론증착원에대향하는위치에설치되어시료가장착되는전도성시료장착대, 및입력되는펄스직류전력와 RF전력을결합하여마그네트론증착원에 RF전력과펄스직류전력이중첩된 RF-DC 결합전력을공급하는 RF-DC 결합부를포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020130039483A
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：KR1020110104070
申请日：2011-10-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: A61L27/28 , A61L27/02 , C23C16/503 , C23C16/515
CPC classification number: C23C14/205 , C23C14/345 , C23C14/358 , H01J37/3405 , H01J37/3467
Abstract: PURPOSE: An apparatus for surface modification of biological materials and a method therefor are provided to improve osteogenesis and synostosis performances of a prosthesis in an operation, by carrying out plasma ion injection of solid bioactive materials to the prosthesis and various parts used in the operation. CONSTITUTION: An apparatus for surface modification of biological materials comprises a vacuum tank(1) of which the inside is maintained to be vacuum; a magnetron vapor deposition source(6) for generating plasma ions of a biological material-single material of an element or compound material of elements; a sample mounting table(7) for mounting a sample, provided at the location facing the magnetron vapor deposition source inside the vacuum tank; and a pulsed direct current power unit(5) for supplying pulsed direct current power to the magnetron vapor deposition source so as to generate plasma ions of a biological material sputtered from the magnetron vapor deposition source.
Abstract translation: 目的：提供一种用于生物材料表面改性的设备及其方法，用于通过将固体生物活性材料等离子体离子注入假体和操作中使用的各种部件来改善假体在手术中的成骨和骨化性能。 构成：用于生物材料的表面改性的装置包括其内部保持为真空的真空罐（1）; 用于产生元素或元素复合材料的生物材料单一材料的等离子体离子的磁控管气相沉积源（6）; 用于安装样品的样品安装台（7），设置在所述真空槽内面向所述磁控管蒸镀源的位置; 以及用于向磁控管气相沉积源提供脉冲直流电力以产生从磁控管气相沉积源溅射的生物材料的等离子体离子的脉冲直流电力单元（5）。
-
公开(公告)号：KR1020140038771A
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：KR1020120105293
申请日：2012-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3485 , H01J37/3405 , H01J37/3467
Abstract: A method for depositing a metal thin film on a substrate is disclosed. The method for depositing a metal thin film on a substrate, according to the present invention, comprises the steps of mounting a substrate on a substrate mounting stand located inside a vacuum chamber; vacuuming the inside of the vacuum chamber using a vacuum pump; maintaining the internal pressure of the vacuum chamber to be constant by injecting a gas to be used into the vacuum chamber; and applying a bipolar pulsed direct current generated at a bipolar pulsed direct current generator to a magnetron sputtering deposition source mounted on the vacuum chamber.
Abstract translation: 公开了一种在衬底上沉积金属薄膜的方法。 根据本发明的在基板上沉积金属薄膜的方法包括以下步骤：将基板安装在位于真空室内的基板安装台上; 使用真空泵对真空室的内部进行抽真空; 通过将真空室内的气体注入真空室来保持真空室的内部压力恒定; 以及将在双极脉冲直流发电机处产生的双极脉冲直流电应用到安装在真空室上的磁控溅射沉积源。
-
公开(公告)号：KR1020130125095A
公开(公告)日：2013-11-18
申请号：KR1020120048595
申请日：2012-05-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/324 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/02667 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H01J37/32412 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: Disclosed are an apparatus and method for crystallizing an amorphous semiconductor thin film. The apparatus for crystallizing the amorphous semiconductor thin film according to the present invention includes: a vacuum chamber on which a substrate mounting stand on which a substrate is mounted is arranged and in which a vacuum state is maintained; a crystallization catalyst material deposition source which is connected to the vacuum chamber and injects crystallization catalyst material ions; a semiconductor thin film deposition source which is separated from the crystallization catalyst deposition source and deposits a semiconductor thin film on the substrate; and an inductively coupled plasma generator. [Reference numerals] (S10) Step for mounting a substrate on a substrate mounting stand arranged inside a vacuum chamber where a vacuum state is maintained;(S20) Step for injecting plasma ions of crystallization catalyst materials;(S30) Step for depositing an amorphous conductor thin film on the substrate;(S40) Step for heat-treating the amorphous conductor thin film
Abstract translation: 公开了一种使非晶半导体薄膜结晶的装置和方法。 根据本发明的用于结晶非晶半导体薄膜的装置包括：布置有其上保持有真空状态的其上安装有基板的基板安装台的真空室; 结晶催化剂材料沉积源，其连接到真空室并注入结晶催化剂材料离子; 半导体薄膜沉积源，其与所述结晶催化剂沉积源分离并将半导体薄膜沉积在所述衬底上; 和电感耦合等离子体发生器。 （S10）（S10）将基板安装在保持真空状态的真空室内的基板安装台上的步骤;（S20）结晶催化剂材料的等离子体离子注入工序;（S30）沉积非晶态的步骤 导电薄膜;（S40）非晶导体薄膜的热处理工序
-
公开(公告)号：KR101305382B1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020110104070
申请日：2011-10-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: A61L27/28 , A61L27/02 , C23C16/503 , C23C16/515
CPC classification number: C23C14/205 , C23C14/345 , C23C14/358 , H01J37/3405 , H01J37/3467
Abstract: 생체재료로 이용되는 임플란트나 인공관절 등의 인공대체물과 그 시술에 쓰이는 여러 부속품들의 골형성 또는 골유착 성능을 향상시키기 위한 생체용 재료의 표면개질 장치 및 표면개질 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 생체용 재료의 표면개질 장치는 내부가 진공 상태를 유지하는 진공조, 진공조에 결합되어 생체활성 물질의 플라즈마 이온을 발생하는 마그네트론 증착원, 진공조 내에서 마그네트론 증착원에 대향하는 위치에 설치되어 시료가 장착되는 시료장착대, 마그네트론 증착원에 펄스직류 전력을 공급하여, 마그네트론 증착원으로부터 스퍼터링되는 생체활성 물질의 플라즈마 이온들을 발생시키는 펄스직류 전원부, 및 시료장착대에 음(-)의 고전압 펄스를 공급하여, 마그네트론 증착원으로부터 형성되는 생체활성 물질의 플라즈마 이온들을 이온주입시키는 고전압 펄스 전원부를 포함한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.036 seconds)
