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公开(公告)号：KR1020170022744A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150118130
申请日：2015-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/165 , C23C14/046 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/351 , H01J37/32394 , H01J37/32669 , H01J37/3405 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3467
Abstract: 본발명은, 금속관시료의양쪽개구부가장착되고, 금속관시료내부의진공배기및 사용가스인입에의한압력조절이가능하도록금속관시료내부를외기로부터차단할수 있는장착대; 금속관시료내부에금속관시료와동축으로설치되는스퍼터링타겟용금속관; 금속관시료의외경부에금속관시료와동축으로설치되어금속관시료의축 방향으로펄스자기장이인가되도록하는펄스전자석; 상기펄스전자석에펄스전원을인가하는전자석펄스전원장치; 상기스퍼터링타겟용금속관에음(-)의고전압펄스를상기펄스전자석에서발생하는펄스전원과동기하여인가하는스퍼터링펄스전원장치를포함하는금속관의내벽코팅장치및 방법을제공한다.
Abstract translation: 提供一种用于涂覆金属管内壁的装置和方法。 用于涂覆金属管的内壁的装置包括安装柱，金属管的两个端部开口安装在该柱上，并且构造成将金属管的内部与周围空气阻挡，使得金属管中的压力可由 真空排气和工艺气体的流入，与金属管同轴地安装在金属管内的溅射靶金属管，与金属管同轴地安装在金属管的外周周围的脉冲电磁体，以在金属管中施加脉冲磁场 所述电磁脉冲电源单元被配置为向所述脉冲电磁体施加脉冲功率;以及溅射脉冲电源单元，被配置为使负高压脉冲与施加到所述脉冲电磁体的脉冲功率同步并应用 到溅射靶金属管。
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公开(公告)号：KR101907143B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：KR1020130143014
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은대출력펄스스퍼터링방법을이용하여유리기판표면에다공성의산화규소박막을증착하여입사광의반사율을감소시키고투과율을증가시킴으로써입사광의이용률이향상된반사방지막의제조방법및 그에의하여제조된반사방지막에관한것이다. 본발명은마그네트론스퍼터링을이용하여기판상에반사방지막을증착함에있어서, 증착원에인가되는펄스직류전력의피크전력밀도가 0.1 kW/cm~ 10 kW/cm인것을특징으로한다. 본발명에의하여제조된다공성산화규소박막은박막내에많은기공을포함하고있어박막의굴절률이낮으므로, 입사광의반사율감소및 투과율증대를통하여입사광이용률이향상된반사방지막을구현할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150059432A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130143014
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은대출력펄스스퍼터링방법을이용하여유리기판표면에다공성의산화규소박막을증착하여입사광의반사율을감소시키고투과율을증가시킴으로써입사광의이용률이향상된반사방지막의제조방법및 그에의하여제조된반사방지막에관한것이다. 본발명은마그네트론스퍼터링을이용하여기판상에반사방지막을증착함에있어서, 증착원에인가되는펄스직류전력의피크전력밀도가 0.1 kW/cm~ 10 kW/cm인것을특징으로한다. 본발명에의하여제조된다공성산화규소박막은박막내에많은기공을포함하고있어박막의굴절률이낮으므로, 입사광의반사율감소및 투과율증대를통하여입사광이용률이향상된반사방지막을구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有优异性能的抗反射膜的制造方法，以及由该反射膜制造的防反射膜，以提高入射光的利用率，同时随着反射率的降低和作为多孔的入射光的透射率的增加 氧化硅薄膜通过大输出脉冲溅射法沉积在玻璃基板的表面上。 根据本发明，在通过磁控溅射将抗反射膜沉积在基板上时，施加到沉积源的脉冲直流电力的峰值功率密度为0.1-10kW / cm 2。 根据本发明，多孔氧化硅薄膜在薄膜内部包含大量孔，以减少薄膜的反射率，从而起反射膜的作用，通过反射率的降低改善了入射光的利用率， 入射光透过率的增加。
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公开(公告)号：KR101503000B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130125355
申请日：2013-10-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/265
Abstract: 본 발명은 스트레인이 완화된 실리콘-게르마늄 버퍼층(strain-relaxed SiGe buffer layer) 제조하는 방법 및 이에 의하여 제조된 실리콘-게르마늄 버퍼층에 관한 것이다, 본 발명은 게르마늄(Ge)을 실리콘 웨이퍼에 직접 플라즈마 이온주입하고 후속 열처리 공정을 이용함으로써, 기존의 제작 방법에 비하여 매우 간단한 공정으로 스트레인이 완화된 실리콘-게르마늄 버퍼층을 제조하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造应变松弛Si-Ge缓冲层和由其制成的Si-Ge缓冲层的方法。 与现有的制造方法相比，本发明通过简单的工艺制造应变松弛的Si-Ge缓冲层，其通过在硅晶片中直接注入等离子体离子中的Ge并使用后热处理工艺。
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公开(公告)号：KR1020150021776A
公开(公告)日：2015-03-03
申请号：KR1020130099157
申请日：2013-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/358 , G02B1/115
Abstract: 광투과율이 우수한 반사방지막의 제조방법 및 그에 의하여 제조된 반사방지막에 관한 것이다. 본 발명은 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 기판상에 반사방지막을 형성하는 함에 있어서, 진공조 내부의 가스 공정 압력이 20 ~ 200 mTorr 이고, 상기 반사방지막은 다공성 박막인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 20~ 200 mTorr의 높은 공정압력에서 마그네트론 증착원을 이용한 반응성 증착으로 다공성 박막을 증착하게 되면, 박막의 기공 형성에 의해 유리 기판의 반사율이 감소하고 투과율이 증가할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 반사방지막을 비정질 실리콘 태양전지에 적용하면 에너지 변환효율을 증가시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 다층 반사방지막 방법 또는 글랜싱 앵글 증착 방법이 아닌, 하나의 진공조 내에서 높은 공정 압력 조건에서 다공성 산화규소 박막을 유리 기판에 증착할 수 있기 때문에, 한층 간단한 방법으로 별도의 과정 없이 비정질 실리콘 박막 태양전지의 유리 기판에 반사방지막을 제작할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过该方法制造的具有优异透光性的抗反射膜和抗反射膜的制造方法。 通过使用磁控溅射法在基板上形成防反射膜。 真空室中的工艺气体压力为20-200mTorr，防反射膜为多孔薄膜。 根据本发明，如果在20-200mTorr的高工艺压力下通过使用磁控管沉积源的反应沉积法沉积多孔薄膜，则玻璃基板的反射率可以降低，透光率可以是 由薄膜的孔形成增加。 此外，当将本发明的抗反射膜应用于硅太阳能电池时，可以提高能量转换效率。 此外，根据本发明，不使用多层防反射膜法或扫视角淀积法，在玻璃基板上，在高压处理条件下，可以在玻璃基板上沉积多孔氧化硅膜 真空室，因此无需额外的工艺，可以在非晶硅薄膜太阳能电池的玻璃基板上制造防反射膜。
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公开(公告)号：KR1020170096806A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：KR1020160018526
申请日：2016-02-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/58 , C23C14/14 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23C16/06 , C23C16/26 , C23C16/56
Abstract: 본발명은탄화귀금속박막을형성한후, 산소플라즈마를이용하여박막내 탄소원자를선택적으로제거하는산소플라즈마디얼로잉(O2 plasma de-alloying) 공정을통해다공성귀금속박막의제조방법에관한것으로서, 본발명에의하면, 다공성의귀금속박막구조를제작하는전 과정이건식공정으로만이루어짐으로써, 종래전기화학적분해법또는선택적용해법등 습식공정을사용하는경우에비해청결한공정이가능하고높은재현특성으로인해다공성박막의응용분야인촉매, 센서, 연료전지전극, 에너지저장장치등의다양한분야에이용될수 있으며, 대량생산이가능하다는장점을갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及通过划船制备多孔贵金属薄膜（O 2等离子体脱合金化）工艺用氧等离子体径向以选择性地通过使用碳化物贵金属薄膜，氧等离子体，在形成后除去在碳源那些薄膜的方法 根据本发明，由于整个过程yigeonsik过程euroman，常规的电化学分解或诸如可用的和高纯度的过程再现特性选择溶液与使用湿法工艺由yirueojim以产生多孔膜的孔隙率的贵金属薄膜结构的情况相比 催化剂的应用，而在传感器的不同区域使用，例如燃料电池用电极，能量存储装置具有大规模生产的优点是可能的。
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公开(公告)号：KR1020170021540A
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：KR1020150116045
申请日：2015-08-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은그래핀을기판상에전사(transfer)시키는과정없이탄화금속막을이용하여그래핀을제조하는방법에관한것으로, 그래핀을성장시키고자하는대상물상에, 탄화금속막을형성하여제1 구조체를준비하는단계와제1 구조체를열처리함으로써, 상기탄화금속막양측표면에그래핀을형성하여제2 구조체를형성하는단계와탄화금속막과그 상부표면에성장된그래핀을제거하는단계를구비하는탄화금속막을이용하여그래핀을제조하는방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明是使用薄膜金属碳化物是一种方法，而不传输（传送）销在基板上制造的销，就在目标对象到图像生长所述销和椅子的过程中，形成的涂层的金属碳化物第一结构部件 通过对金属碳化物膜进行热处理，在金属碳化物膜的两个表面上形成石墨烯，并且去除生长在金属碳化物膜及其上表面上的石墨烯，从而形成第二结构 本发明提供使用金属碳化物膜制造石墨烯的方法。
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