公开(公告)号：KR101934568B1

公开(公告)日：2019-01-02

申请号：KR1020160158342

申请日：2016-11-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 전영민 ,  전영인 ,  이석

IPC: C01B31/04

公开(公告)号：KR101984246B1

公开(公告)日：2019-05-30

申请号：KR1020170120464

申请日：2017-09-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 전영민 ,  전영인 ,  문병혁 ,  서민아 ,  이택진 ,  김재헌 ,  변영태 ,  이석

IPC: H01S3/11

公开(公告)号：KR101708751B1

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：KR1020150135400

申请日：2015-09-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 전영민 ,  김영희 ,  전영인 ,  서민아 ,  이택진 ,  우덕하

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28

Abstract: 본발명은이차원물질(two dimensional material) 상에할로겐원소또는산소로플라즈마흡착하는단계; 및상기이차원물질상에수소로플라즈마처리를하여상기수소가상기할로겐원소또는상기산소와결합하여화합물을만들어상기이차원물질의표면으로부터상기할로겐원소또는상기산소를탈착하는단계;를포함하는이차원물질의전자구조조절법을제공한다.

公开(公告)号：KR101958928B1

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：KR1020170113361

申请日：2017-09-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 전영인 ,  변영태 ,  김용태 ,  전영민

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

公开(公告)号：KR20180059135A

公开(公告)日：2018-06-04

申请号：KR20160158342

申请日：2016-11-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 전영민 ,  전영인 ,  이석

IPC: C01B31/04

CPC classification number: B01D67/0062 ,  B01D71/021 ,  B01D2323/34 ,  C01B32/194 ,  C01B2204/04

Abstract: 본발명의일 측면은반응기내를포함한산화가가능한임의의장소에다층그래핀(multilayer graphene)을배치하는제1 단계, 다층그래핀의표면을산화양을줄여무작위모양의분산된형태로산화시키는제2 단계, 상기의분산되어산화된부분들의탄소원자들을환원식각(reductive etching)하는제3 단계, 상기의다층그래핀을관통하는나노기공이형성될때까지상기일련의제2과제3 단계를반복수행하는제4 단계를포함하는나노다공성다층그래핀막의제조방법을제공하는것이다.

公开(公告)号：KR102148862B1

公开(公告)日：2020-08-27

申请号：KR1020180143754

申请日：2018-11-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 전영민 ,  서민아 ,  전영인

IPC: G01J1/02 ,  G01N21/3581

公开(公告)号：KR101900413B1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：KR1020170052311

申请日：2017-04-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 전영민 ,  문병혁 ,  전영인 ,  서민아 ,  김재헌 ,  유용상 ,  이택진 ,  이석

IPC: H01S3/115 ,  H01S3/08 ,  H01S3/11

CPC classification number: H01S3/1112 ,  H01S3/08027 ,  H01S3/08036 ,  H01S3/08054 ,  H01S3/092 ,  H01S3/0941 ,  H01S3/10061 ,  H01S3/107 ,  H01S3/1075 ,  H01S3/11 ,  H01S3/1103 ,  H01S3/1109 ,  H01S3/115 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1623 ,  H01S3/1625 ,  H01S3/1636 ,  H01S3/1643 ,  H01S2301/08 ,  H01S3/1106

Abstract: 본발명은단일펄스레이저장치로서, 양쪽끝에배치되고일정수준이상의반사율을가지는제1 미러및 제2 미러; 일정각도로회전되어수동모드록킹상태로레이저광을발진시키는이득매질; 상기발진된레이저광 중특정편광을가지는광이출력되도록하는선형편광기; 상기발진된레이저광의펄스폭을조정하는에탈론; 및 Q-스위칭및 단일펄스스위칭을수행하는전기광학변조기를포함한다.