公开(公告)号：KR101530703B1

公开(公告)日：2015-06-22

申请号：KR1020130121591

申请日：2013-10-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  김영환 ,  강길범 ,  최민호

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 상변화메모리소자및 이의제조방법이제공되고, 본발명의일 구현예에서상변화메모리소자는기판, 상기기판위에위치하는하부전극, GeBiSbTe, GeBiSnTe, GeBiSeTe, InBiSbTe, InBiSnTe, 또는 InBiSeTe 중어느하나이상을포함하는 4원소계상변화물질층, 그리고상기 4원소계상변화물질층위에위치하는상부전극을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150042654A

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：KR1020130121591

申请日：2013-10-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  김영환 ,  강길범 ,  최민호

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 상변화메모리소자및 이의제조방법이제공되고, 본발명의일 구현예에서상변화메모리소자는기판, 상기기판위에위치하는하부전극, GeBiSbTe, GeBiSnTe, GeBiSeTe, InBiSbTe, InBiSnTe, 또는 InBiSeTe 중어느하나이상을포함하는 4원소계상변화물질층, 그리고상기 4원소계상변화물질층위에위치하는상부전극을포함할수 있다.

Abstract translation: 提供一种相变存储器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施例，相变存储器件包括衬底，位于衬底上的底电极，包含GeBiSbTe，GeBiSnTe，GeBiSeTe，InBiSbTe，InBiSnTe或InBiSeTe的基于4元素的相变材料层 ，以及位于基于4元素的相变材料层上的顶部电极。

公开(公告)号：KR102118734B1

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：KR1020180107352

申请日：2018-09-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 전영민 ,  김용태 ,  김춘근 ,  김영환 ,  최민호 ,  권세현

IPC: C01B19/00 ,  H01L45/00