-
公开(公告)号：KR100602973B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020030076161
申请日：2003-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/34
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2304/04
Abstract: 본 발명은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판, 기판 상에 형성되는 n형 클래딩층, n형 클래딩층 상에 형성되는 n형 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층, n형 SCH층 상에 형성되며 사전설정된 파장 대역의 광을 발생시키기 위한 다층양자우물, 다층양자우물 상에 형성되며 광을 구속하기 위한 p형 SCH층, p형 SCH층 상에 형성되며 광의 손실을 방지하기 위한 p형 클래딩층, p형 클래딩층 상에 형성되며 옴접촉을 조절하기 위한 오믹층, 및 광을 발생시키기 위한 전류를 다층양자우물로 주입하기 위한 전극을 포함하며, n형 클래딩층은 광의 손실을 방지하고, n형 SCH층은 광을 구속하며, 다층양자우물은 사전설정된 적층 주기로 교번하여 형성된 다수의 압축 스트레인 우물층 및 다수의 긴장 스트레인 장벽층에 의해 스트레인 보상되는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.
레이저 다이오드, 스트레인 보상 다층양자우물, 압축 스트레인 우물층, 긴장 스트레인 장벽층, 에피 구조-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040083753A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：KR1020030018348
申请日：2003-03-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser diode having an asymmetric SCH(Separate-Confinement Hetero) structure and a fabricating method thereof are provided to improve a thermal characteristic and an optical characteristic by reducing internal loss due to inserting a p-InP layer. CONSTITUTION: An n-type cladding layer(220) is formed on a substrate. An n-type second SCH layer(218) is formed on the n-type cladding layer. The first n-type SCH layer(210) is formed on the second SCH layer. An active layer(212) is formed on the first n-type SCH layer. The first p-type SCH layer(208) is formed on the active layer. The first insertion layer(206) is formed on the p-type first SCH layer. A p-type second SCH layer(204) is formed on the first insertion layer. A p-type cladding layer(202) is formed on the p-type second SCH layer.
Abstract translation: 目的：提供具有不对称SCH（分离限制异质）结构的半导体激光二极管及其制造方法，通过减少由于插入p-InP层引起的内部损耗来改善热特性和光学特性。 构成：在基板上形成n型包覆层（220）。 在n型包覆层上形成n型第二SCH层（218）。 第一n型SCH层（210）形成在第二SCH层上。 在第一n型SCH层上形成有源层（212）。 第一p型SCH层（208）形成在有源层上。 第一插入层（206）形成在p型第一SCH层上。 在第一插入层上形成p型第二SCH层（204）。 p型覆层（202）形成在p型第二SCH层上。
-
公开(公告)号：KR1020050041121A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：KR1020030076161
申请日：2003-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/34
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2304/04
Abstract: 본 발명은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 다수의 압축 스트레인 우물층과 다수의 긴장 스트레인 장벽층으로 이루어진 스트레인 보상 다층양자우물을 갖는 에피 구조를 이용함으로써, 다층양자우물에서의 오제 재결합 발생 확률을 감소시키고, 다층양자우물의 온도 안정성을 더욱 향상시켜 양자 효율을 증가시키며, 최대 광출력 및 단일모드 광출력을 증가시킬 수 있는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020040098798A
公开(公告)日：2004-11-26
申请号：KR1020030031065
申请日：2003-05-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/06
Abstract: PURPOSE: A super luminescent diode using a quantum dot as an active layer is provided to emit light with a region of a new wavelength by simultaneously satisfying a broad wavelength bandwidth of an LED(light emitting diode) and a high optical output of a laser diode. CONSTITUTION: A substrate(21) is prepared. The first cladding layer(22) is formed on the substrate to restrict emitted light. The first super lattice layer(23) is formed on the first cladding layer to control the arrangement of quantum dots. An active layer(24) of a quantum dot is formed on the first super lattice layer to emit the light with a predetermined wavelength. The second super lattice layer(25) is formed on the active layer to control the arrangement of the quantum dots. The second cladding layer(26) is formed on the second super lattice layer to restrict the light emitted from the active layer. An ohmic layer(27) is formed on the second cladding layer to control an ohmic contact.
Abstract translation: 目的：提供一种使用量子点作为有源层的超发光二极管，通过同时满足LED（发光二极管）的宽波长带宽和激光二极管的高光输出来发射具有新波长区域的光 。 构成：制备基材（21）。 第一包层（22）形成在基板上以限制发射的光。 第一超晶格层（23）形成在第一覆层上以控制量子点的排列。 量子点的有源层（24）形成在第一超晶格层上以发射具有预定波长的光。 第二超晶格层（25）形成在有源层上以控制量子点的排列。 第二覆层（26）形成在第二超晶格层上，以限制从有源层发射的光。 在第二覆层上形成欧姆层（27）以控制欧姆接触。
-
5.发明公开
公开(公告)号：KR1020030058419A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010088868
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A method is provided which increase light output of a laser diode using a heavily doped p-InP insertion layer in an InP-based laser diode technique. CONSTITUTION: According to the method for forming an InGaAsP/InGaAs laser diode structure based on InP, a heavily doped p-InP layer is inserted, and the above p-InP layer is adjacent to a quantum well. The heavily doped p-InP layer is used in a ridge type laser diode, a large area laser diode, a taper type laser diode and a superluminescent laser diode. While inserting the heavily doped p-InP layer, Be and Zn are used as a p-doping impurity.
Abstract translation: 目的：提供一种使用InP基激光二极管技术中使用重掺杂p-InP插入层增加激光二极管的光输出的方法。 构成：根据用于形成基于InP的InGaAsP / InGaAs激光二极管结构的方法，插入重掺杂的p-InP层，并且上述p-InP层与量子阱相邻。 重掺杂的p-InP层用于脊型激光二极管，大面积激光二极管，锥形激光二极管和超发光激光二极管。 当插入重掺杂的p-InP层时，使用Be和Zn作为p掺杂杂质。
-
公开(公告)号：KR100545625B1
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1020030018348
申请日：2003-03-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: 본 발명은 비대칭 SCH(Separate-Confinement Heterostructure) 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는 InP를 기반으로 하여 InP-InGaAs-InGaAsP로 구성되어 있다. 반도체 레이저 다이오드는 p-클래딩층, p 형 제 1 및 제 2 SCH층들, 이러한 p 형 제 1 및 제 2 SCH층들 사이에 삽입되는 p-InP 삽입층, 레이저 빔을 방출하며 다수의 장벽층 및 다수의 우물층을 구비하는 활성층, n 형 제 1 및 제 2 SCH층들, n 형 제 1 SCH층 내에서 n 형 제 2 SCH층과의 경계면에 삽입되는 InGaAsP 삽입층, n-클래딩층을 포함하고 있다. 반도체 레이저 다이오드 제조 방법은 기판 상에 n-클래딩층을 형성하는 단계, n-클래딩층 상에 n 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 2 SCH층 상에 n 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 1 SCH층 상에 활성층을 형성하는 단계, 활성층 상에 p 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 1 SCH층 상에 p-InP 삽입층을 형성하는 단계, p-InP 삽입층 상에 p 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 2 SCH층 상에 p-클래딩층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, n 형 제 1 SCH층의 형성시, InGaAsP 삽입층이 n 형 제 1 SCH층 내에 삽입된다.
레이저 다이오드, 대칭 SCH 구조, 비대칭 SCH 구조, 누설전류, 내부손실
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.019 seconds)
