公开(公告)号：KR1019980016629A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019960036296

申请日：1996-08-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 서상훈 ,  최강식 ,  권명석 ,  김정형 ,  윤석민 ,  장홍영 ,  한철희 ,  이정용

IPC: H01L21/205

Abstract: 이 발명은 펄스신호로써 압전밸브를 제어하여 가스의 분사량을 제어하는 것에 관한 것으로 반도체소자의 금속 에칭공정 등과 같이 플라즈마를 이용하는 공정에 적용가능하다. 이 발명은, 종래의 플라즈마 에칭 공정에서는 고온 또는 고에너지 이온 방사가 필요했지만, 활성가스의 분사량을 제어할 수 있으며 낮은 공정온도에서도 반응실 내의 활성가스 분압을 낮추어 높은 에칭률과 높은 선택비를 얻을 수 있어, 종래의 유도결합 플라즈마 장치에 분사되는 활성가스의 분사량을 제어할 수 있는 가스변조분사 장치아디. 가스의 분사량을 정밀 제어할 수 있어 최적의 공정조건을 만들 수 있고, 반도체 공정에서 에칭이 끝난 후 잔류량의 제거를 위해 일정 시간 다시 에칭하는 오버 에칭 공정으로의 응용 또한 가능하다.