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公开(公告)号：KR1019980016629A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960036296
申请日：1996-08-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/205
Abstract: 이 발명은 펄스신호로써 압전밸브를 제어하여 가스의 분사량을 제어하는 것에 관한 것으로 반도체소자의 금속 에칭공정 등과 같이 플라즈마를 이용하는 공정에 적용가능하다. 이 발명은, 종래의 플라즈마 에칭 공정에서는 고온 또는 고에너지 이온 방사가 필요했지만, 활성가스의 분사량을 제어할 수 있으며 낮은 공정온도에서도 반응실 내의 활성가스 분압을 낮추어 높은 에칭률과 높은 선택비를 얻을 수 있어, 종래의 유도결합 플라즈마 장치에 분사되는 활성가스의 분사량을 제어할 수 있는 가스변조분사 장치아디. 가스의 분사량을 정밀 제어할 수 있어 최적의 공정조건을 만들 수 있고, 반도체 공정에서 에칭이 끝난 후 잔류량의 제거를 위해 일정 시간 다시 에칭하는 오버 에칭 공정으로의 응용 또한 가능하다.
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公开(公告)号：KR1019960032634A
公开(公告)日：1996-09-17
申请号：KR1019950002234
申请日：1995-02-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 자외선램프가 장착된 유도결합 플라즈마 구리식각장치에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발aud은 낮은 온도에서도 구리의 삭각율을 높일 수 있으며 대면적의 웨이퍼에도 효과적으로 사용할 수 있도록 유도 결합 플라즈마 장치에 자외선 방지수단을 장착한 구리식각장치 및 전기 장치를 이용하여 구리를 식각하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 구리삭각장치는 공정챔버 내에 유전체창, 안테나 및 라디오파 차단모가 형성되고 할로겐가스와 구리의 반응생성물을 탈착하여 웨이퍼의 구리를 식각하는 유도결합 플라즈마 구리식각장치에 있어서, 웨이퍼에 자외선을 방사하기위한 자외선램프; 전기한 유전체창을 자외선투과가 가능하도록 구성한 투사 유전체창; 및, 전기한 자외선램프에서 방사된 빛의 최대량을 웨이퍼에 입사시키기 위한 평행광용 자외선거울로 구성된 자외선 방사수단이 장착된 것을 특징으로 하며, 본 발명의 구리식각방법은 할로겐가스와 구리의 반응생성물을 탈착하여 웨이퍼의 구리를 식각하는 유도 결합 플라즈마에 의한 구리식각시, 전기 구리식각장치의 자외선 방사수단에 의해 자외선을 입사하여 반응생성물의 탈착에 필요한 에너지를 인가하는 과정을 포함한다.
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公开(公告)号：KR100149772B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950002234
申请日：1995-02-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 자외선램프가 장착된 유도결합 플라즈마 구리식각장치에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 낮은 온도에서의 구리의 식각율을 높일 수 있으며 대면적의 웨이퍼에도 효과적으로 사용할 수 있도록 유도결합 플라즈마 장치에 자외선 방사수단을 장착한 구리식각장치 및 전기 장치를 이용하여 구리를 식각하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 구리식각장치는 공정쳄버 내에 유전체창, 안테나 및 라디오파 차단모가 형성되고 할로겐가스와 구리의 반응생성물을 탈착하여 웨이퍼의 구리를 식각하는 유도결합 플라즈마 구리식각장치에 있어서, 웨이퍼에 자외선을 방사하기 위한 자외선램프 ; 전기한 유전체창을 자외선투과가 가능하도록 구성한 투사유전체창 ; 전기한 유전체창을 자외선투과가 가능하도록 구성한 투사유전체창 ; 및, 전기한 자외선램프에서 방사된 빛의 최대량을 웨이퍼에 입사시키기 위한 평행광용 자외선거울로 구성된 자외선 방사수단이 장착된 것을 특징으로 하며, 본 발명의 구리식각방법은 할로겐가스와 구리의 반응생성물을 탈착하여 웨이퍼의 구리를 식각하는 유도결합 플라즈마에 의한 구리식각시, 전기 구리식각장치의 자외선 방사수단에 의해 자외선을 입사하여 반응생성물의 탈착에 필요한 에너지를 인가하는 과정을 포함한다.
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