Abstract:
본 발명은 고유 특성을 갖는 물리적 복제 방지(Physical Unclonable Function)용 디바이스에 관한 것으로, 본 발명에 따른 물리적 복제 방지용 디바이스는 자기조립 구조에 대응하는 나노 패턴을 포함을 포함한다. 본 발명에 따른 물리적 복제 방지용 디바이스는 비결정론적(non-deterministic) 특성을 갖는 블록공중합체 자발적 상 분리 거동에 의해 형성되는 자기조립 구조에 근간한 PUF 패턴을 가짐에 따라, 복제 불가능한 고유 특성을 가질 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a block copolymer film is provided to manufacture a block copolymer film in which a nano area is arranged to be perpendicular to a surface even on a non-flat substrate, because of mechanical flexibility and elongation, etc which are inherent properties of a graphene film. CONSTITUTION: A manufacturing method of a block copolymer film comprises: a step of laminating the graphene oxide film on a substrate; a step of manufacturing a graphene film by reducing the laminated graphene oxide film; a step of laminating a block copolymer on the graphene film, and self-assembling the block copolymer. The lamination of the graphene oxide film is conducted by spin-casting the graphene oxide solution on the substrate. The reduction of the graphene oxide film is conducted by heat treatment or chemical treatment.
Abstract:
본 발명은 블록공중합체의 나노구조와 일치하지 않는 형태의 표면패턴상에 형성되는 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 블록공중합체의 주기와 일치하지 않는 주기를 가지는 패턴으로 패턴화된 기판에서 상에 블록공중합체 박막을 형성한 뒤 열처리하여 제조한 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 패턴화된 기판상에서 블록공중합체의 나노구조체를 제조하되, 패턴의 주기를 블록공중합체의 주기와 일치시키는 과정을 거치지 않는 간소화된 공정으로 나노구조체를 제조할 수 있고, 블록공중합체의 각 블록의 상대적인 조성비 및 분율에 따라 또는 패턴의 주기에 따라 다양한 구조의 나노구조체를 구현할 수 있으며, 나노구조체의 정렬도를 임의로 제어할 수 있어, 나노와이어, 나노닷 어레이와 같은 나노스케일의 구조를 용이하게 제작할 수 있고, 다양한 용도로 실제 산업에 응용할 수 있다. 패턴, 자기조립, 블록 공중합체, 나노구조
Abstract:
2차원 전사층을 이용한 나노구조체 제조방법으로, 기판상에 2차원 전사층을 적층하는 단계; 상기 적층된 2차원 전사층상에 주형 필름을 적층한 후, 이를 패터닝하여 나노주형을 제조하는 단계; 및 상기 형성된 나노주형에 나노물질을 적층하여, 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법이 제공된다.
Abstract:
PURPOSE: A nanostructure of block copolymer having patterned structure is provided to control organic photo resister pattern and to manufacture the nanostructure of desired form. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nanostructure of block copolymer using an organic photoresist pattern comprises: a step of forming neutral layer on a substrate; a step of forming the organic photoresist pattern using lithography; a step of forming block copolymer thin film on the patterned substrate; and a step of performing thermal treatment on the block copolymer to form a self-assembled nanostructure.
Abstract:
본발명은 a) 블록공중합체와결점용융제를혼합하여혼합물을제조하는단계; b) 상기혼합물을기판상에도포하여박막을형성하는단계; 및 c) 상기박막을어닐링하여자기조립하는단계;를포함하는결점용융을이용한자기조립나노패턴형성방법으로상기결점은χN이 10.5 이하인결점용융을이용한자기조립나노패턴형성방법에관한것이다.
Abstract:
A method for manufacturing a mixed block copolymer thin film, a method for manufacturing a mixed block copolymer template, and the mixed block copolymer thin film and template manufactured thereby are provided. The method for manufacturing a mixed block copolymer thin film according to the present invention comprises: a step for making mixed liquid by mixing a first block copolymer which is self-assembled with high molecular weight and long length of chain and a second block copolymer which is symmetric and which has lower molecular weight and shorter length than the first block copolymer low molecular weight; a step of forming a block copolymer thin film by laminating the mixed liquid; and a step for self-assembling by heat treating the block copolymer thin film. [Reference numerals] (AA) Existing technique;(BB) Present invention
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a nanostructure is provided to easily form the nanostructure which is successively arranged on a substrate using a block copolymer and to improve the productivity of the nanostructure and a polarizing plate. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nanostructure comprises the following steps: forming a photoresist pattern on a substrate(110) including a neutral layer; forming a sacrificial structure including a first sacrificial block and a second sacrificial block using a first thin film including a first block copolymer; eliminating the first sacrificial block from the sacrificial structure; forming a chemical pattern(122) by oxidizing the neutral layer using the second sacrificial block as a mask; removing the second sacrificial block and the photoresist pattern from the substrate including the chemical pattern; and forming the nanostructure which is extensively arranged on the substrate using a second thin film including the second block copolymer.
Abstract:
본 발명은 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, (a) 산화물 기판을 형성하는 단계, (b) 상기 산화물 표면에 블록공중합체 박막을 형성시키는 단계 및 (c) 상기 블록공중합체를 열처리하여 자기조립 나노구조체를 형성시키는 단계를 포함하는, 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르며, 다양한 종류의 산화물 기판 상에 블록공중합체 나노구조를 포함하는 나노구조체를 제공하는 효과가 있으며, 나노구조체 제조시에 사용된 블록공중합체를 구성하는 각 블록의 상대적인 조성비에 따라 블록공중합체의 자기조립 나노구조의 형태가 달라지므로, 이렇게 여러가지 형태로 나타내는 나노구조를 이용하여 다양한 용도로 상기 나노구조체를 용이하게 활용할 수 있다. 산화물, 전도성 산화물, 유기단분자, 고분자, 블록공중합체
Abstract:
본발명은 a) 블록공중합체와결점용융제를혼합하여혼합물을제조하는단계; b) 상기혼합물을기판상에도포하여박막을형성하는단계; 및 c) 상기박막을어닐링하여자기조립하는단계;를포함하는결점용융을이용한자기조립나노패턴형성방법으로상기결점은χN이 10.5 이하인결점용융을이용한자기조립나노패턴형성방법에관한것이다.