公开(公告)号：KR100668642B1

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020050007276

申请日：2005-01-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양승만 ,  김사라 ,  최대근 ,  장세규 ,  신성철 ,  정종률

IPC: H01L21/306 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 단분산 입자를 마스크로 활용한 자성 금속 점 정렬 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화를 요하는 금속박막 위에 구형의 단분산 입자를 배열하는 단계; 코팅된 단일막 또는 이중막을 반응성 이온 식각 조건을 조절하여 고분자 입자의 크기를 조절하는 단계; 고분자 마스크를 이용하여 아르곤 이온 식각 또는 금속을 증착하는 단계; 및 금속 패턴으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 금속 점 정렬의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래 광식각 공정으로는 구현하기 어려운 100nm 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있으며, 미리 원하는 성질의 자성금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 마스크의 크기 및 모양 조절함에 따라서 원하는 금속패턴의 제조가 가능하다.
또한 본 발명에 의한 나노 패턴은 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 반도체 메모리의 기억소자를 위한 마스크, 촉매의 패턴화된 기저 물질, 바이오센서 등의 생물소자, 반사 방지막 및 광소자 등으로 응용이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020060086513A

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：KR1020050007276

申请日：2005-01-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양승만 ,  김사라 ,  최대근 ,  장세규 ,  신성철 ,  정종률

IPC: H01L21/306 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0014 ,  G11C11/161

Abstract: 본 발명은 단분산 입자를 마스크로 활용한 자성 금속 점 정렬 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화를 요하는 금속박막 위에 구형의 단분산 입자를 배열하는 단계; 코팅된 단일막 또는 이중막을 반응성 이온 식각 조건을 조절하여 고분자 입자의 크기를 조절하는 단계; 고분자 마스크를 이용하여 아르곤 이온 식각 또는 금속을 증착하는 단계; 및 금속 패턴으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 금속 점 정렬의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래 광식각 공정으로는 구현하기 어려운 100nm 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있으며, 미리 원하는 성질의 자성금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 마스크의 크기 및 모양 조절함에 따라서 원하는 금속패턴의 제조가 가능하다.
또한 본 발명에 의한 나노 패턴은 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 반도체 메모리의 기억소자를 위한 마스크, 촉매의 패턴화된 기저 물질, 바이오센서 등의 생물소자, 반사 방지막 및 광소자 등으로 응용이 가능하다.

公开(公告)号：KR100534650B1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：KR1020030004638

申请日：2003-01-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양승만 ,  이기라 ,  박용학 ,  김사라

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0005 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/60 ,  G02B6/1225

Abstract: 본 발명의 제 1측면에 의한 제조방법은 판형 콜로이드 결정 사이에 광중합용 단량체 용액을 충진하는 단계; 마스크를 이용하여 콜로이드 결정사이에서 선택적인 광중합반응을 수행하는 단계를 포함하는 패턴화된 콜로이드 결정의 제조방법을 포함한다.
또한 제 2측면에 의한 본 발명은 판형 콜로이드 결정 사이에 광중합용 제 1단량체 용액을 충진하는 단계; 마스크를 이용하여 콜로이드 결정사이에서 선택적인 제 1차 광중합반응을 수행하는 단계; 및 상기 제 1차 패턴화된 콜로이드 결정사이에 상기 단량체와는 다른 단량체를 함유하는 광중합용 제 2단량체 용액을 충진하고, 추가적인 마스크를 이용하여 상기 제 1차 패턴화된 콜로이드 결정사이에서 적어도 1회 이상의 추가적인 광중합반응을 수행하는 단계를 포함하는 패턴화된 콜로이드 결정의 제조방법을 포함한다.
상기 제조방법에 의하면 콜로이드 결정의 방향이 같고 굴절률의 차이만 상이한 영역에 대하여 마이크로미터 수준의 크기로 제어가 가능하며, 반복적 패턴을 저렴하면서도 쉽게 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040067506A

公开(公告)日：2004-07-30

申请号：KR1020030004638

申请日：2003-01-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양승만 ,  이기라 ,  박용학 ,  김사라

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0005 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/60 ,  G02B6/1225

Abstract: PURPOSE: Provided is a method for preparing patterned colloid crystals, which uses selective polymerization of a polymer to form colloid crystals of a micro-patterned thin film type having a uniform thickness. CONSTITUTION: The method for preparing patterned colloid crystals comprises the steps of: filling a monomer solution for photopolymerization in the gaps of plate-like colloid crystals(1); and carrying out selective photopolymerization in the gaps of the colloid crystals by using a mask(2). Particularly, the monomer for photopolymerization is an acrylate monomer. Further, the colloid crystal is selected from the group consisting of SiO2, TiO2, ZnS, ZnO2, Fe3O4 and a mixture thereof. The method optionally further comprises at least one additional step of selective photopolymerization using an additional monomer and an additional mask.

Abstract translation: 目的：提供一种制备图案化胶体晶体的方法，其使用聚合物的选择性聚合形成具有均匀厚度的微图案化薄膜型胶体晶体。 构成：制备图案胶体晶体的方法包括以下步骤：在板状胶体晶体（1）的间隙中填充用于光聚合的单体溶液; 并通过使用掩模（2）在胶体晶体的间隙中进行选择性光聚合。 特别地，用于光聚合的单体是丙烯酸酯单体。 此外，胶体晶体选自SiO 2，TiO 2，ZnS，ZnO 2，Fe 3 O 4及其混合物。 该方法任选地还包括使用另外的单体和附加掩模的至少一个选择性光聚合的附加步骤。