Abstract:
본 발명은 단분산 입자를 마스크로 활용한 자성 금속 점 정렬 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화를 요하는 금속박막 위에 구형의 단분산 입자를 배열하는 단계; 코팅된 단일막 또는 이중막을 반응성 이온 식각 조건을 조절하여 고분자 입자의 크기를 조절하는 단계; 고분자 마스크를 이용하여 아르곤 이온 식각 또는 금속을 증착하는 단계; 및 금속 패턴으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 금속 점 정렬의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 종래 광식각 공정으로는 구현하기 어려운 100nm 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있으며, 미리 원하는 성질의 자성금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 마스크의 크기 및 모양 조절함에 따라서 원하는 금속패턴의 제조가 가능하다. 또한 본 발명에 의한 나노 패턴은 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 반도체 메모리의 기억소자를 위한 마스크, 촉매의 패턴화된 기저 물질, 바이오센서 등의 생물소자, 반사 방지막 및 광소자 등으로 응용이 가능하다.
Abstract:
본 발명의 제 1측면에 따른 방법은 연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 상기 양각의 스탬프를 원하는 고분자 박막위에 올려두고, 상기 고분자 박막의 유리전이 온도이상에서 일정시간 방치하는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 고분자 박막으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법을 제공한다. 또한, 제 2측면에 따른 본 발명은 연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 소정 기판위에 형성된 폴리머전구체의 코팅층에 상기 양각의 스탬프가 놓이도록 하고, 상기 코팅층을 경화시키는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 경화된 상기 코팅층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법을 제공한다
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating a patterned polymer thin film of a nanometer level is provided to rapidly and inexpensively form a polymer pattern in a desired position by performing a self-assembly process and a soft lithography process. CONSTITUTION: Particles of a predetermined size are filled in a pattern formed in a soft polymer mold to fabricate an embossed stamp. While the embossed stamp is placed on a polymer thin film, the embossed stamp is left at a glass transition temperature of the polymer thin film for a predetermined interval of time. The embossed stamp is separated from the polymer thin film.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming a regular embossed pattern useful for fabricating a microelectric device and an optical device is provided to freely select usable particles and perform different functions according to a pattern type by previously selecting and disposing particles of a desired property. CONSTITUTION: The first polymer layer of ductility is formed on the upper surface of a master patterned to be an embossed type and is hardened to form an intagliated pattern. The first polymer layer having the intagliated pattern is separated from the master to fill the pattern with the first particles. The second layer of viscosity is formed on the upper surface of the first polymer layer having the pattern and attaches the embossed pattern made of the predetermined particles to the surface of the second polymer layer. The second polymer layer is separated from the first polymer layer and a groove formed in the second polymer layer is filled with the second particles.
Abstract:
본 발명은 패턴 복제에 사용되는 몰드 제조용 불화 유기규소 화합물, 그를 이용하여 제조된 패턴 복제용 유기-무기 혼성 몰드, 그 몰드를 이용한 패턴 복제 방법 및 그 방법에 의하여 복제된 패턴에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 이형제 처리와 같은 표면처리를 필요로 하지 않는 동시에 일정 수준 이상의 강도를 가지므로써, 나노 임프린트 공정 및 소프트 식각(soft lithography) 패터닝 공정에서 모두 사용가능한 새로운 몰드 제조용 불화 유기규소 화합물, 그를 이용하여 제조된 패턴 복제용 유기-무기 혼성 몰드, 그 몰드를 이용한 패턴 복제 방법 및 그 방법에 의하여 복제된 패턴에 관한 것이다. 불화 유기규소, 유기-무기, 혼성, 몰드, 패턴, 복제
Abstract:
PURPOSE: Provided is a binder-added inorganic gel electrolyte for a sealed type lead storage battery, which is excellent in structural strength, charging capacity, and lifetime property. CONSTITUTION: The binder-added inorganic gel electrolyte is produced by mixing and dispersing silica in sulfuric acid solution at more than 2000rpm and then adding 0.001-1%(based on the weight of the electrolyte) of polyvinyl alcohol as a binder to the silica-sulfuric acid solution dispersion, wherein the polyvinyl alcohol has a molecular weight of more than 10000.
Abstract:
양각 패턴과 음각 패턴된 형성된 기판에 금속을 증착시키는 단계; 및 상기 증착된 금속에 열처리와 함께 압력을 인가하여 상기 금속을 상기 양각 또는 음각 패턴에 선택적으로 재배열하여, 상기 양각 및 음각 패턴에 대응하는 양각 또는 음각 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 금속은 상기 음각 패턴 전체를 채우지 않도록 증착되는 것을 특징으로 하는 금속 나노구조체 제조방법이 제공된다.
Abstract:
본 발명은 패턴화를 요하는 금속박막 위에 규칙적인 다공성 고분자 패턴을 형성하는 단계; 마스크용 금속을 상기 형성된 홀에 선택적으로 증착하는 단계; 선택적으로 고분자층을 제거하는 단계; 및 상기 패턴화를 요하는 금속박막을 식각하는 단계를 포함하는 금속점 정렬의 형성방법을 제공한다. 상기 구성에 의하면, 종래 광식각 공정으로는 구현하기 힘든 백나노미터 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있다. 또한 미리 원하는 성질의 자성 금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 사용되는 마스크 금속의 성질에 따라 종횡비가 큰 금속패턴을 형성하는 것이 가능하다.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming a magnetic metal point alignment is provided to freely select a magnetic metal and form a metal pattern having a high aspect ratio according to the property of used mask metal by forming metal patterns of various sizes and shapes by a simple method and by previously depositing magnetic metal of a desired property. CONSTITUTION: A regular porous polymer pattern is formed on a metal thin film that needs to be patterned. Mask metal is selectively deposited in a hole. The polymer layer is selectively eliminated. The metal thin film that needs to be patterned is etched.