Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing an optofluidic element in which a metallic sphere gap nano structures are accumulated is provided to reduce costs and time for a process and simplify a process condition by using a self-assembly phenomenon of colloid. CONSTITUTION: A method for manufacturing an optofluidic element in which a metallic sphere gap nano structures are accumulated comprises next steps. Colloid particle layer of a single story, in which colloid particles are regularly arranged, is formed on the top of a polymer thin film, thereby being dipped into the polymer thin film. The colloid particles dipped into the polymer thin film are eliminated so that a spherical pore structure of a nano meter scale is formed on the polymer thin film. A metallic thin film is deposited so that a metallic thin film in the inside of a gap and the metallic thin film on the top of the polymer thin film are discontinuously formed. A patterned metallic structure is manufactured by using an UV-crosslinkable polymer. Minute flexible fluidic elements are integrated in the patterned metallic structure. [Reference numerals] (AA) Colloid particle; (BB) Impregnation; (CC) Eliminating colloid particle; (DD) Polymer; (EE) Depositing metal thin film
Abstract:
본 발명은 단분산 입자를 마스크로 활용한 자성 금속 점 정렬 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화를 요하는 금속박막 위에 구형의 단분산 입자를 배열하는 단계; 코팅된 단일막 또는 이중막을 반응성 이온 식각 조건을 조절하여 고분자 입자의 크기를 조절하는 단계; 고분자 마스크를 이용하여 아르곤 이온 식각 또는 금속을 증착하는 단계; 및 금속 패턴으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 금속 점 정렬의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 종래 광식각 공정으로는 구현하기 어려운 100nm 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있으며, 미리 원하는 성질의 자성금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 마스크의 크기 및 모양 조절함에 따라서 원하는 금속패턴의 제조가 가능하다. 또한 본 발명에 의한 나노 패턴은 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 반도체 메모리의 기억소자를 위한 마스크, 촉매의 패턴화된 기저 물질, 바이오센서 등의 생물소자, 반사 방지막 및 광소자 등으로 응용이 가능하다.
Abstract:
본 발명은 광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 다차원 나노패턴 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 광가교가 가능한 콜로이드 입자를 기판에 도포한 후 콜로이드 입자에 선택적으로 광가교를 시키고 가열한 후 기판을 식각하여 선택적으로 나노패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 나노패턴 형성방법은 광가교 가능한 콜로이드 입자를 기판에 자가배열 시키는 단계, 광가교 가능한 콜로이드가 배열된 기판 위에 마스크를 구비하고 선택적으로 광을 조사한 후 기판을 가열하여 가교되지 않은 콜로이드 입자를 변형시키는 단계, 콜로이드 입자를 변형시킨 후 기판을 식각한 다음 고분자 콜로이드 입자를 제거하는 단계를 포함하도록 하여 기판에 선택적인 부분에만 나노패턴을 형성할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 다차원 나노패턴 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 광가교가 가능한 콜로이드 입자를 기판에 도포한 후 콜로이드 입자에 선택적으로 광가교를 시키고 가열한 후 기판을 식각하여 선택적으로 나노패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 나노패턴 형성방법은 광가교 가능한 콜로이드 입자를 기판에 자가배열 시키는 단계, 광가교 가능한 콜로이드가 배열된 기판 위에 마스크를 구비하고 선택적으로 광을 조사한 후 기판을 가열하여 가교되지 않은 콜로이드 입자를 변형시키는 단계, 콜로이드 입자를 변형시킨 후 기판을 식각한 다음 고분자 콜로이드 입자를 제거하는 단계를 포함하도록 하여 기판에 선택적인 부분에만 나노패턴을 형성할 수 있다.
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PURPOSE: A producing method of a spherical micro-pore and a metal structure is provided to produce the spherical micro-pore with the patterned large area without using a vacuum device. CONSTITUTION: A producing method of a spherical micro-pore and a metal structure comprises the following steps: forming a single layered or multi layered colloidal particle film on a polymer film; forming an impregnated structure of a colloidal particle by heating the structure from the previous step; selectively removing colloid form the impregnated structure; and selectively alloying metal to the impregnated colloidal particle. The colloidal particle is a spherical particle in the size of 1nanometers~100micrometers. A polymer material forming the polymer film is a thermoplastic resin formed with a polymer selected from the group consisting of a styrene polymer, an acryl polymer, and an epoxy polymer.
Abstract:
본 발명은 단분산 입자를 마스크로 활용한 자성 금속 점 정렬 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화를 요하는 금속박막 위에 구형의 단분산 입자를 배열하는 단계; 코팅된 단일막 또는 이중막을 반응성 이온 식각 조건을 조절하여 고분자 입자의 크기를 조절하는 단계; 고분자 마스크를 이용하여 아르곤 이온 식각 또는 금속을 증착하는 단계; 및 금속 패턴으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 금속 점 정렬의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 종래 광식각 공정으로는 구현하기 어려운 100nm 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있으며, 미리 원하는 성질의 자성금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 마스크의 크기 및 모양 조절함에 따라서 원하는 금속패턴의 제조가 가능하다. 또한 본 발명에 의한 나노 패턴은 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 반도체 메모리의 기억소자를 위한 마스크, 촉매의 패턴화된 기저 물질, 바이오센서 등의 생물소자, 반사 방지막 및 광소자 등으로 응용이 가능하다.
Abstract:
본 발명의 제 1측면에 따른 방법은 연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 상기 양각의 스탬프를 원하는 고분자 박막위에 올려두고, 상기 고분자 박막의 유리전이 온도이상에서 일정시간 방치하는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 고분자 박막으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법을 제공한다. 또한, 제 2측면에 따른 본 발명은 연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 소정 기판위에 형성된 폴리머전구체의 코팅층에 상기 양각의 스탬프가 놓이도록 하고, 상기 코팅층을 경화시키는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 경화된 상기 코팅층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법을 제공한다
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating a patterned polymer thin film of a nanometer level is provided to rapidly and inexpensively form a polymer pattern in a desired position by performing a self-assembly process and a soft lithography process. CONSTITUTION: Particles of a predetermined size are filled in a pattern formed in a soft polymer mold to fabricate an embossed stamp. While the embossed stamp is placed on a polymer thin film, the embossed stamp is left at a glass transition temperature of the polymer thin film for a predetermined interval of time. The embossed stamp is separated from the polymer thin film.