금속 구형 공극 나노구조가 집적된 광자유체소자의 제조 방법
    1.
    发明授权
    금속 구형 공극 나노구조가 집적된 광자유체소자의 제조 방법 失效
    用金纳米晶体结合的光致发光等离子体传感器的制造方法

    公开(公告)号:KR101207968B1

    公开(公告)日:2012-12-04

    申请号:KR1020110130395

    申请日:2011-12-07

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an optofluidic element in which a metallic sphere gap nano structures are accumulated is provided to reduce costs and time for a process and simplify a process condition by using a self-assembly phenomenon of colloid. CONSTITUTION: A method for manufacturing an optofluidic element in which a metallic sphere gap nano structures are accumulated comprises next steps. Colloid particle layer of a single story, in which colloid particles are regularly arranged, is formed on the top of a polymer thin film, thereby being dipped into the polymer thin film. The colloid particles dipped into the polymer thin film are eliminated so that a spherical pore structure of a nano meter scale is formed on the polymer thin film. A metallic thin film is deposited so that a metallic thin film in the inside of a gap and the metallic thin film on the top of the polymer thin film are discontinuously formed. A patterned metallic structure is manufactured by using an UV-crosslinkable polymer. Minute flexible fluidic elements are integrated in the patterned metallic structure. [Reference numerals] (AA) Colloid particle; (BB) Impregnation; (CC) Eliminating colloid particle; (DD) Polymer; (EE) Depositing metal thin film

    Abstract translation: 目的:提供一种制造其中积聚有金属球隙纳米结构的光流体元件的方法,以减少工艺的成本和时间,并通过使用胶体的自组装现象来简化工艺条件。 构成:用于制造其中积聚金属球隙纳米结构的光流体元件的方法包括以下步骤。 在聚合物薄膜的顶部形成单层胶体粒子规则排列的单层胶体颗粒层,从而浸入聚合物薄膜中。 去除浸入聚合物薄膜中的胶体颗粒,使得在聚合物薄膜上形成纳米级的球形孔结构。 沉积金属薄膜,使间隙内的金属薄膜和聚合物薄膜顶部的金属薄膜不连续地形成。 通过使用可UV交联的聚合物制造图案化的金属结构。 分钟柔性流体元件集成在图案化金属结构中。 (AA)胶体颗粒; (BB)浸渍; (CC)消除胶体颗粒; (DD)聚合物; (EE)沉积金属薄膜

    단분산 입자를 마스크로 이용하는 자성금속 점 정렬형성방법
    2.
    发明公开
    단분산 입자를 마스크로 이용하는 자성금속 점 정렬형성방법 失效
    使用胶体光刻的金属颗粒阵列的制造方法

    公开(公告)号:KR1020060086513A

    公开(公告)日:2006-08-01

    申请号:KR1020050007276

    申请日:2005-01-26

    CPC classification number: B82B3/0014 G11C11/161

    Abstract: 본 발명은 단분산 입자를 마스크로 활용한 자성 금속 점 정렬 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화를 요하는 금속박막 위에 구형의 단분산 입자를 배열하는 단계; 코팅된 단일막 또는 이중막을 반응성 이온 식각 조건을 조절하여 고분자 입자의 크기를 조절하는 단계; 고분자 마스크를 이용하여 아르곤 이온 식각 또는 금속을 증착하는 단계; 및 금속 패턴으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 금속 점 정렬의 형성방법에 관한 것이다.
    본 발명은 종래 광식각 공정으로는 구현하기 어려운 100nm 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있으며, 미리 원하는 성질의 자성금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 마스크의 크기 및 모양 조절함에 따라서 원하는 금속패턴의 제조가 가능하다.
    또한 본 발명에 의한 나노 패턴은 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 반도체 메모리의 기억소자를 위한 마스크, 촉매의 패턴화된 기저 물질, 바이오센서 등의 생물소자, 반사 방지막 및 광소자 등으로 응용이 가능하다.

    광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 다차원 나노패턴형성방법
    3.
    发明授权
    광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 다차원 나노패턴형성방법 失效
    使用光可交联颗粒的胶体光刻的二维分层纳米图案

    公开(公告)号:KR100746332B1

    公开(公告)日:2007-08-03

    申请号:KR1020050070984

    申请日:2005-08-03

    Abstract: 본 발명은 광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 다차원 나노패턴 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 광가교가 가능한 콜로이드 입자를 기판에 도포한 후 콜로이드 입자에 선택적으로 광가교를 시키고 가열한 후 기판을 식각하여 선택적으로 나노패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
    본 발명의 광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 나노패턴 형성방법은
    광가교 가능한 콜로이드 입자를 기판에 자가배열 시키는 단계,
    광가교 가능한 콜로이드가 배열된 기판 위에 마스크를 구비하고 선택적으로 광을 조사한 후 기판을 가열하여 가교되지 않은 콜로이드 입자를 변형시키는 단계,
    콜로이드 입자를 변형시킨 후 기판을 식각한 다음 고분자 콜로이드 입자를 제거하는 단계를 포함하도록 하여 기판에 선택적인 부분에만 나노패턴을 형성할 수 있다.

    광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 다차원 나노패턴형성방법
    4.
    发明公开
    광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 다차원 나노패턴형성방법 失效
    光交联胶体颗粒的多维纳米图形成方法

    公开(公告)号:KR1020070016373A

    公开(公告)日:2007-02-08

    申请号:KR1020050070984

    申请日:2005-08-03

    Abstract: 본 발명은 광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 다차원 나노패턴 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 광가교가 가능한 콜로이드 입자를 기판에 도포한 후 콜로이드 입자에 선택적으로 광가교를 시키고 가열한 후 기판을 식각하여 선택적으로 나노패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
    본 발명의 광가교 가능한 콜로이드 입자를 이용한 나노패턴 형성방법은
    광가교 가능한 콜로이드 입자를 기판에 자가배열 시키는 단계,
    광가교 가능한 콜로이드가 배열된 기판 위에 마스크를 구비하고 선택적으로 광을 조사한 후 기판을 가열하여 가교되지 않은 콜로이드 입자를 변형시키는 단계,
    콜로이드 입자를 변형시킨 후 기판을 식각한 다음 고분자 콜로이드 입자를 제거하는 단계를 포함하도록 하여 기판에 선택적인 부분에만 나노패턴을 형성할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明通过将胶体粒子涂覆有特别的胶体粒子的可选光交联后提供蚀刻比的方法维纳米图案形成使用光交联的胶体颗粒到基底上并加热所述衬底的光交联性 并选择性地形成纳米图案。

    콜로이드 입자 막의 고분자 막 내로의 함침을 이용한 배열된 구형 미세 공극 및 금속 구조의 제조방법
    5.
    发明公开
    콜로이드 입자 막의 고분자 막 내로의 함침을 이용한 배열된 구형 미세 공극 및 금속 구조의 제조방법 无效
    通过在聚合物薄膜表面处理胶体颗粒的方法制备纳米级有色金属和金属颗粒的方法

    公开(公告)号:KR1020100076571A

    公开(公告)日:2010-07-06

    申请号:KR1020080134670

    申请日:2008-12-26

    Abstract: PURPOSE: A producing method of a spherical micro-pore and a metal structure is provided to produce the spherical micro-pore with the patterned large area without using a vacuum device. CONSTITUTION: A producing method of a spherical micro-pore and a metal structure comprises the following steps: forming a single layered or multi layered colloidal particle film on a polymer film; forming an impregnated structure of a colloidal particle by heating the structure from the previous step; selectively removing colloid form the impregnated structure; and selectively alloying metal to the impregnated colloidal particle. The colloidal particle is a spherical particle in the size of 1nanometers~100micrometers. A polymer material forming the polymer film is a thermoplastic resin formed with a polymer selected from the group consisting of a styrene polymer, an acryl polymer, and an epoxy polymer.

    Abstract translation: 目的:提供球形微孔和金属结构的制造方法,以生产具有图案化大面积的球形微孔,而不使用真空装置。 构成:球形微孔和金属结构体的制造方法包括以下步骤:在聚合物膜上形成单层或多层胶体粒子膜; 通过加热来自前一步骤的结构形成胶体颗粒的浸渍结构; 选择性地除去胶体形成浸渍结构; 并选择性地将金属合金化到浸渍的胶体颗粒。 胶体颗粒是1纳米〜100微米尺寸的球形颗粒。 形成聚合物膜的聚合物材料是由选自苯乙烯聚合物,丙烯酸聚合物和环氧聚合物的聚合物形成的热塑性树脂。

    단분산 입자를 마스크로 이용하는 자성금속 점 정렬형성방법
    6.
    发明授权
    단분산 입자를 마스크로 이용하는 자성금속 점 정렬형성방법 失效
    使用胶体光刻制作金属点阵的方法

    公开(公告)号:KR100668642B1

    公开(公告)日:2007-01-16

    申请号:KR1020050007276

    申请日:2005-01-26

    Abstract: 본 발명은 단분산 입자를 마스크로 활용한 자성 금속 점 정렬 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화를 요하는 금속박막 위에 구형의 단분산 입자를 배열하는 단계; 코팅된 단일막 또는 이중막을 반응성 이온 식각 조건을 조절하여 고분자 입자의 크기를 조절하는 단계; 고분자 마스크를 이용하여 아르곤 이온 식각 또는 금속을 증착하는 단계; 및 금속 패턴으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 금속 점 정렬의 형성방법에 관한 것이다.
    본 발명은 종래 광식각 공정으로는 구현하기 어려운 100nm 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있으며, 미리 원하는 성질의 자성금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 마스크의 크기 및 모양 조절함에 따라서 원하는 금속패턴의 제조가 가능하다.
    또한 본 발명에 의한 나노 패턴은 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 반도체 메모리의 기억소자를 위한 마스크, 촉매의 패턴화된 기저 물질, 바이오센서 등의 생물소자, 반사 방지막 및 광소자 등으로 응용이 가능하다.

    나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법
    7.
    发明授权
    나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법 失效
    具有纳米尺度的图案化聚合物膜的制造方法

    公开(公告)号:KR100508337B1

    公开(公告)日:2005-08-17

    申请号:KR1020030042676

    申请日:2003-06-27

    CPC classification number: B82Y10/00 B05D1/42 B82Y40/00 G03F7/0002 H01L51/0004

    Abstract: 본 발명의 제 1측면에 따른 방법은 연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 상기 양각의 스탬프를 원하는 고분자 박막위에 올려두고, 상기 고분자 박막의 유리전이 온도이상에서 일정시간 방치하는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 고분자 박막으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법을 제공한다.
    또한, 제 2측면에 따른 본 발명은 연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 소정 기판위에 형성된 폴리머전구체의 코팅층에 상기 양각의 스탬프가 놓이도록 하고, 상기 코팅층을 경화시키는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 경화된 상기 코팅층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법을 제공한다

    나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법
    8.
    发明公开
    나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법 失效
    用于制备纳米级水平的图案聚合物薄膜的方法用于所需位置的快速和独特的聚合物图案

    公开(公告)号:KR1020050001111A

    公开(公告)日:2005-01-06

    申请号:KR1020030042676

    申请日:2003-06-27

    CPC classification number: B82Y10/00 B05D1/42 B82Y40/00 G03F7/0002 H01L51/0004

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a patterned polymer thin film of a nanometer level is provided to rapidly and inexpensively form a polymer pattern in a desired position by performing a self-assembly process and a soft lithography process. CONSTITUTION: Particles of a predetermined size are filled in a pattern formed in a soft polymer mold to fabricate an embossed stamp. While the embossed stamp is placed on a polymer thin film, the embossed stamp is left at a glass transition temperature of the polymer thin film for a predetermined interval of time. The embossed stamp is separated from the polymer thin film.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造纳米级图案化聚合物薄膜的方法,以通过执行自组装工艺和软光刻工艺快速且廉价地在所需位置形成聚合物图案。 构成:将预定尺寸的颗粒填充在形成于软质聚合物模具中的图案中,以制造压花印模。 当将压花印模放置在聚合物薄膜上时,压花印模保持在聚合物薄膜的玻璃化转变温度下一段预定的时间间隔。 压花印模与聚合物薄膜分离。

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