公开(公告)号：KR100754930B1

公开(公告)日：2007-09-03

申请号：KR1020040110458

申请日：2004-12-22

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 비스완,라빈드라나쓰 ,  정종률 ,  신성철

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 본 발명은 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM(Magnetic Random Access Memory) 소자 및 이를 이용한 정보의 기록 및 판독 방법에 관한 것으로, 양(+)과 음(-)으로 이루어지는 두 개의 기저전극을 이용하여 PZT 박막에 보다 원할하게 전압이 인가되도록 형성하고 두 개의 판독선에 의하여 판독이 이루어지도록 함으로써 기록과 판독이 상호 독립적으로 이루어지며, 압전층에 전압을 인가함으로써 자유 강자성체의 자화방향을 역자왜현상(inverse magnetostriction)을 이용하여 평면방향 또는 평면방향에 수직한 방향으로 제어하여 정보를 기록하는 비휘발성, 초고집적, 초절전형 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자 및 이를 이용한 정보의 기록 및 판독 방법을 제공하기 위한 것으로, 그 기술적 구성은 전기전도성 기저전극에 있어서, 전기전도성 기저전극에 구비되는 양(+) 전극과 음(-) 전극을 갖는 두 개의 기록선에 좌, 우 각 면이 접촉하도록 배치되는 압전층과; 상기 압전층의 하부에 배치되고 양(+) 전극과 음(-) 전극을 분리시키도록 이루어지는 절연층과; 상기 절연층의 상부에 배치되는 수평방향과 수직방향의 자화상태를 가지는 자유 강자성층과; 상기 자유 강자성층의 상부에 배치되는 비 자성층과; 상기 비 자성층의 상부에 배치되는 고정 강자성층과; 상기 고정 강자성층의 상부에 배치되는 반 강자성층과; 서로 수직한 두 개의 전기전도성 판독선; 및 상기 두 개의 전기전도성 판독선 중 어느 하나의 판독선이 상기 고정 강자성층의 상부에 배치되고, 다른 하나의 판독선이 상기 양(+) 전극의 전기전도성 기저전극 절연층 상부에 배치되게 이루어지 는 것을 특징으로 한다.
MRAM, 기저전극, 압전층, 절연층, 자유 강자성층, 비 자성층, 고정 강자성층, 반 강자성층, 전기전도 판독선

公开(公告)号：KR100668642B1

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020050007276

申请日：2005-01-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양승만 ,  김사라 ,  최대근 ,  장세규 ,  신성철 ,  정종률

IPC: H01L21/306 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 단분산 입자를 마스크로 활용한 자성 금속 점 정렬 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화를 요하는 금속박막 위에 구형의 단분산 입자를 배열하는 단계; 코팅된 단일막 또는 이중막을 반응성 이온 식각 조건을 조절하여 고분자 입자의 크기를 조절하는 단계; 고분자 마스크를 이용하여 아르곤 이온 식각 또는 금속을 증착하는 단계; 및 금속 패턴으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 금속 점 정렬의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래 광식각 공정으로는 구현하기 어려운 100nm 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있으며, 미리 원하는 성질의 자성금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 마스크의 크기 및 모양 조절함에 따라서 원하는 금속패턴의 제조가 가능하다.
또한 본 발명에 의한 나노 패턴은 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 반도체 메모리의 기억소자를 위한 마스크, 촉매의 패턴화된 기저 물질, 바이오센서 등의 생물소자, 반사 방지막 및 광소자 등으로 응용이 가능하다.

公开(公告)号：KR100527409B1

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：KR1020030025194

申请日：2003-04-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양승만 ,  정희태 ,  최대근 ,  권기영 ,  신성철 ,  정종률

IPC: H01L21/28 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 패턴화를 요하는 금속박막 위에 규칙적인 다공성 고분자 패턴을 형성하는 단계; 마스크용 금속을 상기 형성된 홀에 선택적으로 증착하는 단계; 선택적으로 고분자층을 제거하는 단계; 및 상기 패턴화를 요하는 금속박막을 식각하는 단계를 포함하는 금속점 정렬의 형성방법을 제공한다.
상기 구성에 의하면, 종래 광식각 공정으로는 구현하기 힘든 백나노미터 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있다. 또한 미리 원하는 성질의 자성 금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 사용되는 마스크 금속의 성질에 따라 종횡비가 큰 금속패턴을 형성하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020040091377A

公开(公告)日：2004-10-28

申请号：KR1020030025194

申请日：2003-04-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양승만 ,  정희태 ,  최대근 ,  권기영 ,  신성철 ,  정종률

IPC: H01L21/28 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A method for forming a magnetic metal point alignment is provided to freely select a magnetic metal and form a metal pattern having a high aspect ratio according to the property of used mask metal by forming metal patterns of various sizes and shapes by a simple method and by previously depositing magnetic metal of a desired property. CONSTITUTION: A regular porous polymer pattern is formed on a metal thin film that needs to be patterned. Mask metal is selectively deposited in a hole. The polymer layer is selectively eliminated. The metal thin film that needs to be patterned is etched.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成磁性金属点对准的方法，通过简单的方法形成各种尺寸和形状的金属图案，根据所使用的掩模金属的性质，自由选择磁性金属并形成具有高纵横比的金属图案 并预先沉积所需性质的磁性金属。 构成：在需要图案化的金属薄膜上形成规则的多孔聚合物图案。 掩模金属被选择性地沉积在孔中。 选择性地消除聚合物层。 蚀刻需要图案化的金属薄膜。

公开(公告)号：KR100279017B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990001423

申请日：1999-01-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김영석 ,  정종률 ,  신성철

IPC: G01L1/24

CPC classification number: G01L1/24

Abstract: 박막스트레스측정장치및 이에사용되는광섬유다발프로브의제작방법에대해개시하고있다. 본발명의박막스트레스측정장치는, 광원부, 광원에서나온광을기판의이면에반사시켜반사된광을광 검출기에입사시키는센서부, 광검출기, 검출된광의세기를증폭하여처리하는부분으로구성된다. 센서부분은광섬유다발프로브로서, 이는복수의입사용광섬유가닥들과, 입사용광섬유가닥들의각각의주위에대칭적으로분포하게위치한복수의수신용광섬유가닥들과, 이들을내부에삽입하여집적시키기위한모세관으로이루어진다. 이러한광섬유가닥들을배치함에있어서, 가장좋은감도를갖도록실제실험결과와일치하는전산시늉프로그램을사용할수 있다. 본발명에따르면, 박막형성시필연적으로발생하는스트레스를실시간, 초고감도로측정할수 있다.

公开(公告)号：KR1020060071955A

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：KR1020040110458

申请日：2004-12-22

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 비스완,라빈드라나쓰 ,  정종률 ,  신성철

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C5/025 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: A voltage-controlled magnetization reversal writing type Magnetic Random Access Memory (MRAM) device. The MRAM device includes electrically conductive base electrodes, a piezoelectric layer, an insulation layer, a free ferromagnetic layer, a nonmagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer, an antiferromagnetic layer and two electrically conductive reading lines. The electrically conductive base electrodes are provided with two writing lines having positive and negative electrodes. The left and right surfaces of piezoelectric layer are disposed to abut the writing lines of the electrically conductive base electrodes, respectively. The insulation layer is disposed beneath the piezoelectric layer and is formed to separate the positive and negative electrodes. The free ferromagnetic layer is disposed on the insulation layer. The nonmagnetic layer is disposed on the free ferromagnetic layer. The pinned ferromagnetic layer is disposed on the nonmagnetic layer. The antiferromagnetic layer is disposed on the pinned ferromagnetic layer. The two electrically conductive reading lines are formed to be perpendicular to each other.

公开(公告)号：KR1020060086513A

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：KR1020050007276

申请日：2005-01-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양승만 ,  김사라 ,  최대근 ,  장세규 ,  신성철 ,  정종률

IPC: H01L21/306 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0014 ,  G11C11/161

Abstract: 본 발명은 단분산 입자를 마스크로 활용한 자성 금속 점 정렬 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화를 요하는 금속박막 위에 구형의 단분산 입자를 배열하는 단계; 코팅된 단일막 또는 이중막을 반응성 이온 식각 조건을 조절하여 고분자 입자의 크기를 조절하는 단계; 고분자 마스크를 이용하여 아르곤 이온 식각 또는 금속을 증착하는 단계; 및 금속 패턴으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 금속 점 정렬의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래 광식각 공정으로는 구현하기 어려운 100nm 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있으며, 미리 원하는 성질의 자성금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 마스크의 크기 및 모양 조절함에 따라서 원하는 금속패턴의 제조가 가능하다.
또한 본 발명에 의한 나노 패턴은 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 반도체 메모리의 기억소자를 위한 마스크, 촉매의 패턴화된 기저 물질, 바이오센서 등의 생물소자, 반사 방지막 및 광소자 등으로 응용이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020000051142A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019990001423

申请日：1999-01-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김영석 ,  정종률 ,  신성철

IPC: G01L1/24

CPC classification number: G01L1/24

Abstract: PURPOSE: An apparatus for measuring a thin film stress and a method for manufacturing a probe therefor are provided to measure stress generated by forming a thin film on a substrate in real time with the growth of the thin film by an atom layer sensitivity for optimizing the physical property of the stress acting on the thin film and performing a quantitative test, thereby improving the reliability of the thin film. CONSTITUTION: An apparatus for measuring a thin film stress includes a light source(10), a bundle of optical fiber probes(30) including a plurality of light dissipating optical fibers(31), a plurality of light receiving optical fibers(32), and a capillary(21) to be inserted with the light dissipating and receiving optical fibers, a substrate holder(51) for fixing an end part of a substrate(50) for causing bending of the substrate by forming a thin film, an element for controlling a distance from a surface of the substrate, on which the thin film is not formed, to the probes, and a light detection element(40) for converting light from the light receiving optical fibers into electrical signals.

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量薄膜应力的装置及其制造方法，用于测量在基板上实时形成薄膜所产生的应力，随着薄膜的生长以原子层的灵敏度优化 作用在薄膜上的应力的物理性质并进行定量测试，从而提高薄膜的可靠性。 一种用于测量薄膜应力的装置，包括光源（10），包括多个光散射光纤（31）的光纤探针束（30），多个光接收光纤（32）， 和用于散射和接收光纤的毛细管（21），用于固定用于通过形成薄膜而使基板弯曲的基板（50）的端部的基板保持件（51），用于 控制从其上没有形成薄膜的基板的表面到探针的距离，以及用于将来自光接收光纤的光转换成电信号的光检测元件（40）。