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公开(公告)号：KR100569881B1
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：KR1020040069268
申请日：2004-08-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의 전이방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 실리콘 기판 위에 실리사이트 에피택시층을 이용하여 고품위 실리콘 박막을 형성하여 성장시킨 후 실리콘 기판과 다른 이종기판에 고품위 실리콘 박막을 전이하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실리사이드 에피택시층을 이용한 실리콘 박막의 전이방법은
(1)실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층을 형성하는 단계와,
(2)실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 형성하는 단계와,
(3)실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 고품위 실리콘 박막을 분리하고 분리된 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시키거나, 또는 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시킨 후 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 이종기판에 접합된 고품위 실리콘 박막을 분리하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR100578104B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030092079
申请日：2003-12-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28518
Abstract: 본 발명은 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드 에피층의 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기가 디램(Giga DRAM)이나 기가 플래쉬 메모리(Giga flash memory) 등의 초고집적회로의 구성요소로 사용되는 수십 나노미터 크기의 모스 트랜지스터의 소스/드레인과 게이트 전극인 폴리실리콘에 실리사이드를 형성시키는 샐리사이드(salicide) 공정에서 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드(CoSi
2 ) 에피층의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스/드레인 및 게이트를 포함하는 실리콘 기판과 코발트 사이에 중간층을 형성하지 않고 코발트-질소 박막을 이용하여 실리콘 기판의 소스/드레인 및 게이트에 CoSi
2 에피층을 형성할 수 있는 코발트 다이실리사이드 형성방법 제공을 목적으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020060020427A
公开(公告)日：2006-03-06
申请号：KR1020040069268
申请日：2004-08-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의 전이방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 실리콘 기판 위에 실리사이트 에피택시층을 이용하여 고품위 실리콘 박막을 형성하여 성장시킨 후 실리콘 기판과 다른 이종기판에 고품위 실리콘 박막을 전이하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실리사이드 에피택시층을 이용한 실리콘 박막의 전이방법은
(1)실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층을 형성하는 단계와,
(2)실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 형성하는 단계와,
(3)실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 고품위 실리콘 박막을 분리하고 분리된 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시키거나, 또는 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시킨 후 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 이종기판에 접합된 고품위 실리콘 박막을 분리하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020050060454A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020030092079
申请日：2003-12-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28518
Abstract: 본 발명은 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드 에피층의 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기가 디램(Giga DRAM)이나 기가 플래쉬 메모리(Giga flash memory) 등의 초고집적회로의 구성요소로 사용되는 수십 나노미터 크기의 모스 트랜지스터의 소스/드레인과 게이트 전극인 폴리실리콘에 실리사이드를 형성시키는 샐리사이드(salicide) 공정에서 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드(CoSi
2 ) 에피층의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스/드레인 및 게이트를 포함하는 실리콘 기판과 코발트 사이에 중간층을 형성하지 않고 코발트-질소 박막을 이용하여 실리콘 기판의 소스/드레인 및 게이트에 CoSi
2 에피층을 형성할 수 있는 코발트 다이실리사이드 형성방법 제공을 목적으로 한다.
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