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公开(公告)号：KR1020120121021A
公开(公告)日：2012-11-05
申请号：KR1020110038734
申请日：2011-04-26
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A shopping cart for a disabled person is provided to enable the stable movement of the cart and to remove the inconvenience of a disabled person by directly fixing the cart on a wheelchair frame. CONSTITUTION: A shopping cart(1) for a disabled person comprises a base(2), a support member(3), a container(4), a pair of connection members(5a,5b). Wheels(21,22,23) are mounted on the base. The support member is attached to the base. The container is supported by the support member. The pair of connection member is mounted on the base and is separated each other at a predetermined interval. The pair of connection members comprise fixing portions(6a,6b).
Abstract translation: 目的：为残疾人士提供购物车，以便推车的稳定运动，并通过将推车直接固定在轮椅架上，消除残疾人的不便。 构成：用于残疾人的购物车（1）包括底座（2），支撑构件（3），容器（4），一对连接构件（5a，5b）。 车轮（21,22,23）安装在底座上。 支撑构件附接到基座。 容器由支撑构件支撑。 一对连接构件安装在基座上并以预定间隔彼此分离。 一对连接构件包括固定部分（6a，6b）。
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2.发明授权
公开(公告)号：KR100786801B1
公开(公告)日：2007-12-18
申请号：KR1020060091310
申请日：2006-09-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02667
Abstract: A method for manufacturing a high quality polycrystalline silicon thin film by using a silicon epitaxial layer, and an electronic device including the polycrystalline silicon thin film are provided to reduce metal pollution of the surface of the silicon thin film by growing a silicon epitaxial layer on the thin film. A polycrystalline silicon thin film(20) is formed by crystallizing an amorphous silicon thin film which is formed on a substrate(10). A silicon epitaxial layer(30) is grown on the crystallized polysilicon thin film. The amorphous silicon thin film is formed by a CVD, a sputtering or a vacuum evaporation method.
Abstract translation: 提供一种通过使用硅外延层制造高质量多晶硅薄膜的方法和包括多晶硅薄膜的电子器件，以通过在硅薄膜上生长硅外延层来减少硅薄膜表面的金属污染 薄膜。 通过使形成在基板（10）上的非晶硅薄膜结晶来形成多晶硅薄膜（20）。 在结晶的多晶硅薄膜上生长硅外延层（30）。 非晶硅薄膜通过CVD，溅射或真空蒸发法形成。
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公开(公告)号：KR100578104B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030092079
申请日：2003-12-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28518
Abstract: 본 발명은 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드 에피층의 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기가 디램(Giga DRAM)이나 기가 플래쉬 메모리(Giga flash memory) 등의 초고집적회로의 구성요소로 사용되는 수십 나노미터 크기의 모스 트랜지스터의 소스/드레인과 게이트 전극인 폴리실리콘에 실리사이드를 형성시키는 샐리사이드(salicide) 공정에서 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드(CoSi
2 ) 에피층의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스/드레인 및 게이트를 포함하는 실리콘 기판과 코발트 사이에 중간층을 형성하지 않고 코발트-질소 박막을 이용하여 실리콘 기판의 소스/드레인 및 게이트에 CoSi
2 에피층을 형성할 수 있는 코발트 다이실리사이드 형성방법 제공을 목적으로 한다.-
4.发明公开
公开(公告)号：KR1020080109167A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020070057157
申请日：2007-06-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: A substrate composite for the flexible polycrystalline silicon thin film element fabrication and a manufacturing method thereof are provided to increase the quality of the polycrystalline silicon thin film by using the mica substrate having the high heat resistance of 600‹C as a substrate. The buffer layer is formed on the mica substrate(10) of the heat resistance for improving the stability of the electric component manufacture. The buffer layer on the mica substrate has the structure of monolayer or the multi-layered type. The buffer layer on the mica substrate performs the duty as a protective layer, an adhesive layer or a shield layer. The adhesive layer is formed of the titanium, the titanium mixture or the titanium composition. The protective layer is formed of the tantalum, the tantalum mixture or the tantalum composition.
Abstract translation: 提供了一种用于柔性多晶硅薄膜元件制造的衬底复合体及其制造方法，其通过使用具有600℃的高耐热性的云母基底作为基底来提高多晶硅薄膜的质量。 缓冲层形成在耐热性的云母基板（10）上，以提高电气部件制造的稳定性。 云母基板上的缓冲层具有单层或多层结构。 云母基板上的缓冲层执行作为保护层，粘合剂层或屏蔽层的作用。 粘合剂层由钛，钛混合物或钛组合物形成。 保护层由钽，钽混合物或钽组合物形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100569881B1
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：KR1020040069268
申请日：2004-08-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의 전이방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 실리콘 기판 위에 실리사이트 에피택시층을 이용하여 고품위 실리콘 박막을 형성하여 성장시킨 후 실리콘 기판과 다른 이종기판에 고품위 실리콘 박막을 전이하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실리사이드 에피택시층을 이용한 실리콘 박막의 전이방법은
(1)실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층을 형성하는 단계와,
(2)실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 형성하는 단계와,
(3)실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 고품위 실리콘 박막을 분리하고 분리된 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시키거나, 또는 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시킨 후 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 이종기판에 접합된 고품위 실리콘 박막을 분리하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR101274970B1
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020110038734
申请日：2011-04-26
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명에 의한 장애인용 쇼핑 카트는 휠체어에 탈부착할 수 있는 쇼핑 카트로서, 바퀴가 장착되는 베이스와, 상기 베이스에 부착되는 지지 부재와, 상기 지지 부재에 의해 지지되는 컨테이너와, 상기 베이스에 장착되며 서로 소정의 거리만큼 이격되어 있는 한 쌍의 연결 부재를 포함한다. 그리고 상기 연결 부재는 상기 휠체어의 프레임에 고정되는 고정부를 포함하도록 구성된다.
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公开(公告)号：KR1020090090100A
公开(公告)日：2009-08-25
申请号：KR1020080015370
申请日：2008-02-20
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L31/02363
Abstract: A method for fabricating an epitaxial silicon thin film and an electronic device comprising the same are provided to form a surface texture of a nano size without an additional surface texturing process by diluting hydrogen in the silicon source gas epitaxial silicon film. A silicon source gas and a hydrogen gas are injected on an epitaxial silicon thin film(110) laminated on the substrate(100) so that a texture(112) is formed. The silicon source gas at least one gas selected from group consisting of is a silane(SiH4), a disilane(Si2H6), a mono chlorosilane(SiH3Cl), and a silicon tetra iodide(SiI4). The silicon source gas comprises the gas in which the inert gas is mixed in the gas selected from the group. The inert gas comprises at least one gas selected between an argon(Ar), a helium(He), and a neon(Ne). The impurity gas is formed to contain a group III or a V group element is added to the silicon source gas.
Abstract translation: 提供一种制造外延硅薄膜的方法和包含该外延硅薄膜的电子器件，以通过稀释硅源气体外延硅膜中的氢来形成纳米尺寸的表面纹理而无需附加的表面纹理化工艺。 将硅源气体和氢气注入层叠在基板（100）上的外延硅薄膜（110）上，形成纹理（112）。 硅源气体选自由硅烷（SiH 4），乙硅烷（Si 2 H 6），单氯硅烷（SiH 3 Cl）和四碘化硅（SiI 4）组成的组中的至少一种气体）。 硅源气体包括其中惰性气体在选自该组的气体中混合的气体。 惰性气体包括在氩（Ar），氦（He）和氖（Ne）之间选择的至少一种气体。 杂质气体被形成为含有III族或者V族元素被添加到硅源气体中。
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公开(公告)号：KR1020060020427A
公开(公告)日：2006-03-06
申请号：KR1020040069268
申请日：2004-08-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의 전이방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 실리콘 기판 위에 실리사이트 에피택시층을 이용하여 고품위 실리콘 박막을 형성하여 성장시킨 후 실리콘 기판과 다른 이종기판에 고품위 실리콘 박막을 전이하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실리사이드 에피택시층을 이용한 실리콘 박막의 전이방법은
(1)실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층을 형성하는 단계와,
(2)실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 형성하는 단계와,
(3)실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 고품위 실리콘 박막을 분리하고 분리된 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시키거나, 또는 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시킨 후 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 이종기판에 접합된 고품위 실리콘 박막을 분리하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020050060454A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020030092079
申请日：2003-12-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28518
Abstract: 본 발명은 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드 에피층의 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기가 디램(Giga DRAM)이나 기가 플래쉬 메모리(Giga flash memory) 등의 초고집적회로의 구성요소로 사용되는 수십 나노미터 크기의 모스 트랜지스터의 소스/드레인과 게이트 전극인 폴리실리콘에 실리사이드를 형성시키는 샐리사이드(salicide) 공정에서 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드(CoSi
2 ) 에피층의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스/드레인 및 게이트를 포함하는 실리콘 기판과 코발트 사이에 중간층을 형성하지 않고 코발트-질소 박막을 이용하여 실리콘 기판의 소스/드레인 및 게이트에 CoSi
2 에피층을 형성할 수 있는 코발트 다이실리사이드 형성방법 제공을 목적으로 한다.
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