公开(公告)号：KR1020210003542A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：KR1020190079451

申请日：2019-07-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조용훈 ,  박상희 ,  심영출 ,  남윤용

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L33/00

Abstract: 본발명은, 웨이퍼레벨전사를이용한중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것으로, 보다구체적으로, 웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를제조하는단계; 상기복수개의웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를웨이퍼레벨전사공정으로디스플레이기판상에전사하는단계; 상기전사된마이크로-LED 어레이상에평탄층을형성하여평탄화하는단계; 상기평탄층에비아홀을형성하는단계; 및상기평탄화된마이크로-LED 어레이상에 TFT 어레이를배열및 증착하여마이크로-LED 어레이와 TFT 어레이를집적하는단계;를포함하는, 중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것이다.

公开(公告)号：KR102243109B1

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：KR1020190079451

申请日：2019-07-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조용훈 ,  박상희 ,  심영출 ,  남윤용

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L33/00

Abstract: 본발명은, 웨이퍼레벨전사를이용한중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것으로, 보다구체적으로, 웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를제조하는단계; 상기복수개의웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를웨이퍼레벨전사공정으로디스플레이기판상에전사하는단계; 상기전사된마이크로-LED 어레이상에평탄층을형성하여평탄화하는단계; 상기평탄층에비아홀을형성하는단계; 및상기평탄화된마이크로-LED 어레이상에 TFT 어레이를배열및 증착하여마이크로-LED 어레이와 TFT 어레이를집적하는단계;를포함하는, 중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것이다.

公开(公告)号：KR101511932B1

公开(公告)日：2015-04-13

申请号：KR1020130136955

申请日：2013-11-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 배병수 ,  남윤용 ,  박형진

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

Abstract: 본원은, 반도체제조용액상조성물, 및상기반도체제조용액상조성물을이용한반도체박막의제조방법및 박막트랜지스터의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及用于制造半导体的液相组合物和使用其制造半导体薄膜和薄膜晶体管的方法。 根据本发明，用于制造半导体的液相组合物是由无机氧化物前体，无机酸和溶剂组成的组合物。 无机酸含有磷酸，硼酸，硫酸和由它们的组合组成的组。 由该组合物制成的半导体由无机酸中所含的磷，硼和硫的阳离子掺杂。