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公开(公告)号：KR101765320B1
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020150185278
申请日：2015-12-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B29C33/38 , H01L21/027 , H01L21/02 , G03F9/00
Abstract: 본발명은실리콘기판을준비하는단계; 상기실리콘기판상에, 실리콘산화막패턴과상기실리콘산화막패턴상의실리콘질화막패턴을포함하는, 블로킹패드패턴을형성하는단계;상기블로킹패드패턴에의하여노출되는상기실리콘기판에대하여습식산화공정으로서열산화를수행함으로써상기실리콘기판의일부로부터실리콘산화돔(silicon oxide dome)을형성하는단계; 및상기실리콘산화돔을제거함으로써상기실리콘산화돔에대응되는음각패턴을갖는실리콘마스터몰드를형성하는단계;를포함하며, 상기실리콘마스터몰드를형성하는단계에서, 상기음각패턴의종단면은각진부분이없이상기실리콘마스터몰드의상부표면에서부드럽게이어지는제 1 곡선및 상기제 1 곡선에서이어지는제 2 곡선이부드럽게연결되어이루어지되, 상기제 1 곡선과상기제 2 곡선이만나는지점은변곡점을형성하는, 실리콘마스터몰드의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：制备硅衬底; 通过对通过阻挡焊盘图案暴露的硅衬底执行顺序氧化工艺，在硅衬底上的氧化硅膜图案上形成包括氧化硅膜图案和氮化硅膜图案的阻挡焊盘图案， 由此从硅衬底的一部分形成氧化硅圆顶; 并且通过去除氧化硅圆顶形成具有对应于氧化硅圆顶的雕刻图案的硅母模，其中在形成硅母模的步骤中，雕刻图案的纵向截面具有成角度的部分 其中从硅母模的上表面平滑连续的第一曲线与从第一曲线延续的第二曲线在第一曲线和第二曲线之间没有间隙的情况下平滑地彼此连接， 从而提供主模具。
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公开(公告)号：KR1020180031451A
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：KR1020160120093
申请日：2016-09-20
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H02N1/04 , B82Y10/00 , Y10S977/948
Abstract: 본발명은반구형상의양각패턴의돔형어레이를갖는유연기판; 및상기유연기판의일면상에형성된금속박막; 을포함하는마찰대전에너지하베스터구조체를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有半球形凹形图案的穹顶形阵列的柔性衬底; 并且在柔性基板的一个表面上形成金属薄膜; 还有一个摩擦能量收集结构。
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公开(公告)号：KR102042820B1
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：KR1020180040247
申请日：2018-04-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8228 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L29/423
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020170075517A
公开(公告)日：2017-07-03
申请号：KR1020150185278
申请日：2015-12-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B29C33/38 , H01L21/027 , H01L21/02 , G03F9/00
Abstract: 본발명은실리콘기판을준비하는단계; 상기실리콘기판상에블로킹패드패턴을형성하는단계; 상기블로킹패드패턴에의하여노출되는상기실리콘기판에대하여습식산화공정을수행함으로써상기실리콘기판의일부로부터실리콘산화돔(silicon oxide dome)을형성하는단계; 및상기실리콘산화돔을제거함으로써음각패턴의돔형어레이를갖는실리콘마스터몰드를형성하는단계;를포함하는, 실리콘마스터몰드의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：制备硅衬底; 在硅衬底上形成阻挡焊盘图案; 通过在由阻挡垫图案暴露的硅衬底上执行湿氧化工艺来从硅衬底的一部分形成氧化硅穹顶; 并通过去除氧化硅圆顶形成具有雕刻图案的圆顶形阵列的硅母模。
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公开(公告)号：KR102042819B1
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：KR1020180040246
申请日：2018-04-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR101979068B1
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：KR1020160150824
申请日：2016-11-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/56 , H01L21/306 , H01L21/3065
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