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公开(公告)号：KR101925000B1
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：KR1020170050778
申请日：2017-04-20
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 기판; 기판 상에 형성되되 개구부를 포함하는 절연층; 일단부가 상기 절연층으로 각각 덮이고 타단부가 상기 개구부에서 각각 노출되되, 상기 개구부에서 서로 이격되는, 한 쌍의 제 1 전극 패턴; 상기 한 쌍의 제 1 전극 패턴과 상기 기판 사이에 개재되되 상기 절연층 내에 매립되어 배치된 제 2 전극 패턴; 및 상기 한 쌍의 제 1 전극 패턴 사이의 이격 영역을 메우도록 형성된, CNT 구조체;를 포함하는 가스 센서를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101131414B1
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：KR1020100088688
申请日：2010-09-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A radio frequency device and a method of fabricating the same are provided to reduce the contact resistance of a guard ring contact plug by forming an impurity doping region in the surface of the guard ring. CONSTITUTION: A substrate(102) comprises a first area(102a) and a second part(102b). A semiconductor layer(106) is formed on the first area of the substrate. A buried insulating layer(104) is formed between the substrate and the semiconductor layer. A plurality of inversion blocking layers(120a) is formed on the second region of the substrate. A field insulating layer(125) covers the side of the semiconductor layer and the top side of the inversion blocking layer.
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公开(公告)号：KR101804568B1
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020150183822
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/743 , H01L2224/92125
Abstract: 본발명은언더필부재를형성하는과정에서보이드트랩의발생을방지할수 있는반도체패키지및 그제조방법을구현할수 있으며, 기판, 상기기판상에범프를개재하여적층된반도체칩및 상기기판과상기반도체칩사이의적어도일부를충전하는언더필부재를구비하되, 상기반도체칩은상기기판과대면하는상기반도체칩의표면상에적어도하나의트렌치를형성하는공기배출패턴을포함하는반도체패키지를제공한다.
Abstract translation: 本发明可以被实现为处理半导体封装及其制造旨在防止在形成底部填充构件，所述衬底，所述半导体芯片和所述基板和层叠于基板上的凸块的半导体芯片产生空隙陷阱方法， 但至少具有底部填充构件，用于半导体芯片之间进行充电的部分提供一种半导体封装包括形成在面对基板的半导体芯片的表面的至少一个沟槽中的空气排放模式。
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公开(公告)号：KR101408905B1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：KR1020130045874
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: For a high response MEMS device which is thermally isolated while bending of a pixel is not induced but resistance uniformity is evenly maintained and a method for fabricating the same, the present invention provides a MEMS device comprising a lower structural body comprising a read channel integrated circuit; an upper structural body spaced apart from the lower structural body and having an infrared light detecting unit of which electric resistance changes if absorbing infrared light; and a leg unit for electrically connecting the infrared light detecting unit and the read channel integrated circuit, wherein at least one penetrating hole is provided on the leg unit in order to control thermal time constant and responsiveness.
Abstract translation: 对于不诱导像素的弯曲而被热隔离但是均匀地保持电阻均匀性的高响应MEMS器件及其制造方法，本发明提供一种MEMS器件，其包括下部结构体，该下部结构体包括读取通道集成电路 ; 与下部结构体间隔开的上部结构体，并具有红外光检测单元，其中如果吸收红外光，电阻发生变化; 以及用于电连接红外光检测单元和读通道集成电路的支腿单元，其中至少一个贯穿孔设置在支腿单元上，以便控制热时间常数和响应性。
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公开(公告)号：KR101186978B1
公开(公告)日：2012-09-28
申请号：KR1020100115846
申请日：2010-11-19
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 반도체 소자 및 무선주파수 소자의 제조방법이 제공된다. 반도체 소자의 제조방법에 따르면, 바디, 상기 바디 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공한다. 상기 매몰 절연층 및 상기 반도체층을 식각하여 적어도 하나의 트렌치를 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 바디 상에 인버젼 방지층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치를 채우도록 상기 인버젼 방지층 상에 매립 보호층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 밖의 상기 반도체층 상의 상기 인버젼 방지층의 제 1 부분은 제거되고, 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 인버젼 방지층의 제 2 부분은 상기 매립 보호층에 의해서 보호되도록, 상기 매립 보호층 및 상기 인버젼 방지층을 평탄화한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020180128680A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：KR1020170064084
申请日：2017-05-24
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/3215 , H01L21/02 , H01L21/3205
Abstract: 본 발명은 다결정실리콘 승온소자 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 위에 제1 절연막과 비정질탄소막을 순차적으로 증착하는 단계; 상기 비정질탄소막을 노광 및 식각하여 트렌치 라인을 형성하는 단계; 전체표면 상부에 제2 절연막을 증착하는 단계; 상기 제2 절연막 위에 다결정실리콘을 증착 후 노광 및 식각하여 승온소자 의 패드부와 히터부를 형성하는 단계; 전체표면 상부에 제3 절연막을 증착 후 승온소자의 패드부와 히터부의 표면을 노출시키는 단계; 및 상기 히터부의 하부 비정질탄소막을 제거하여 빈공간을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020170074487A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150183822
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/743 , H01L2224/92125
Abstract: 본발명은언더필부재를형성하는과정에서보이드트랩의발생을방지할수 있는반도체패키지및 그제조방법을구현할수 있으며, 기판, 상기기판상에범프를개재하여적층된반도체칩및 상기기판과상기반도체칩사이의적어도일부를충전하는언더필부재를구비하되, 상기반도체칩은상기기판과대면하는상기반도체칩의표면상에적어도하나의트렌치를형성하는공기배출패턴을포함하는반도체패키지를제공한다.
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公开(公告)号：KR101439081B1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：KR1020130020606
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04N5/33
Abstract: 본 발명은 메모리를 사용하지 않고 아날로그 회로단에서 자동으로 적외선 이미지 보정이 가능한 적외선 영상데이터 취득용 신호처리 회로 및 방법을 위하여, 적외선을 흡수하면 전기저항이 변화하는 적외선 감지부; 일단이 상기 적외선 감지부의 타단에 전기적으로 연결되고, 적외선을 흡수하기 전에 상기 적외선 감지부의 전기저항이 소정의 기준저항값을 가지도록, 상기 적외선 감지부에 줄열(Joule heat)을 인가할 수 있는, 셀프 히팅부; 상기 셀프 히팅부의 타단의 전압과 기준전압의 차이를 적분하여 적분된 값을 적외선 신호로 출력하는 적분기; 및 일단이 상기 적분기에 전기적으로 연결되고, 상기 적외선 감지부의 전기저항을 상기 소정의 기준저항값으로 유지하도록 상기 적외선 감지부를 히팅 또는 냉각시키기 위하여 상기 적분기의 실시간 출력신호를 비교 및 제어할 수 있는, 피드백 제어부;를 포함하는, 적외선 영상데이터 취득용 신호처리 회로 및 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101936123B1
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：KR1020170064084
申请日：2017-05-24
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/3215 , H01L21/02 , H01L21/3205
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