公开(公告)号：KR101979068B1

公开(公告)日：2019-05-15

申请号：KR1020160150824

申请日：2016-11-14

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 유동은 ,  배희경 ,  이동욱 ,  황해철 ,  이병주

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR101892357B1

公开(公告)日：2018-08-27

申请号：KR1020160131381

申请日：2016-10-11

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김종훈 ,  김영수 ,  유동은 ,  이동욱 ,  김기남 ,  황해철

IPC: H04B10/548 ,  H01Q3/26 ,  H04B10/61

CPC classification number: H04B10/25752 ,  G02B6/2861 ,  G02F1/0147 ,  G02F1/025 ,  G02F1/2255 ,  G02F2001/0156 ,  G02F2001/212 ,  H04B10/501 ,  H04B10/516

Abstract: 일실시예에따르면, 실리콘반도체를기반으로실리콘단일반도체공정(monolithic integration)에의해제작되어, 위상배열안테나의신호처리를위한실제시간지연을이용하는광 빔포밍네트워크(Photonic Beam Forming Network; PBFN) 칩은광원으로부터발생되는광 파워를균등한파워로분기하는적어도하나의파워스플리터(Power splitter); 상기적어도하나의파워스플리터를이용하여, 복수의안테나들로부터송수신되는복수의 RF 신호들을복수채널의광 신호들로변경하는복수의 MZM(Mach-Zehnder Modulator) 광변조기들; 상기복수채널의광 신호들에대해상기복수의안테나들별로시간지연을보상또는조절하는복수의 TTD(True Time Delay) 소자들; 상기복수채널의광 신호들이결합된단일광 신호또는상기복수채널의광 신호들을 RF 신호로변경하는광 검출기(Photodetector); 및상기적어도하나의파워스플리터, 상기복수의 MZM 광변조기들, 상기복수의 TTD 소자들및 상기광 검출기각각을연결하는광 도파로를포함한다.

公开(公告)号：KR101915219B1

公开(公告)日：2018-11-05

申请号：KR1020170071827

申请日：2017-06-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 설우석 ,  이병주 ,  황해철 ,  박남수 ,  유동은 ,  이동욱

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0216

Abstract: 본발명의일 관점에따르면, 실리콘광전소자의기판상에스핀코팅공정으로도펀트물질을함유하는층을형성하고패터닝함으로써제 1 웰(well)을형성하기위한영역을덮는상기도펀트물질을함유하는패턴을형성하는제 1 단계; 상기기판및 상기도펀트물질을함유하는패턴을덮는제 1 캐핑막을형성하는제 2 단계; 및상기제 1 캐핑막을제거하지않은상태에서제 1 어닐링공정을수행함으로써, 상기도펀트물질을함유하는패턴으로부터도펀트가상기기판밖으로확산되었다가상기기판중에서상기제 1 웰을형성하기위한영역이외의영역으로다시들어가는것을방지하면서, 상기도펀트물질을함유하는패턴으로부터상기기판내로도펀트를확산시켜상기제 1 웰을형성하는제 3 단계;를포함하는, 실리콘광전소자의제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR1020170078296A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：KR1020150188666

申请日：2015-12-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 설우석 ,  조규성 ,  이병주 ,  유동은 ,  이동욱 ,  황해철 ,  박상현

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/103 ,  H01L31/0216

Abstract: 광효율성능과잡음성능을개선할수 있는실리콘광증배소자가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광증배소자는기판에형성된복수개의아발란치포토다이오드(avalanche photodiode) 구조체; 및상기복수개의아발란치포토다이오드구조체사이에각각배치되어하나의아발란치포토다이오드구조체에서발생하는 2차광자가인접한아발란치포토다이오드구조체로이동하는것을차단하되아발란치포토다이오드의리셋(reset)을위한억제저항(quenching resistance)을제공할수 있는, 다크카운터저감및 억제저항통합구조체;를포함한다.

Abstract translation: 提供硅光声辐射器以提高光学效率和噪音性能。 根据本发明的实施例，一种硅光电二极管设置有形成在衬底上的多个雪崩光电二极管结构; 发生在结构雪崩光电二极管结构和但它们分别设置在一个雪崩光电二极管哦次级光移动到邻近自所述多个雪崩光电二极管结构块之间啊重置雪崩光电二极管（ 以及能够提供用于复位的抗猝灭性的暗计数器减少和抑制电阻集成结构。

公开(公告)号：KR102209291B1

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：KR1020190020656

申请日：2019-02-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이기성 ,  박남수 ,  황해철 ,  강희오 ,  서창호

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 본발명의일 실시예에의한 EUV 리소그래피펠리클박막의제조방법은 KOH 용액을이용하여, 실리콘기판및 상기실리콘기판상에형성된실리콘나이트라이드멤브레인박막을구비하는구조체중에서상기실리콘기판의적어도일부를, 습식각하는단계; 습식각된상기구조체를탈이온수(DIW)에침지하여세정(rinse)하는단계; 상기탈이온수의표면에이소프로필알콜(IPA)층을형성하는단계; 및상기구조체를상기이소프로필알콜층을거치면서상기탈이온수로부터분리함으로써, 상기실리콘나이트라이드멤브레인박막을건조시키는단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR101763865B1

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：KR1020150188666

申请日：2015-12-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 설우석 ,  조규성 ,  이병주 ,  유동은 ,  이동욱 ,  황해철 ,  박상현

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/103 ,  H01L31/0216

Abstract: 광효율성능과잡음성능을개선할수 있는실리콘광증배소자가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광증배소자는기판에형성된복수개의아발란치포토다이오드(avalanche photodiode) 구조체; 및상기복수개의아발란치포토다이오드구조체사이에각각배치되어하나의아발란치포토다이오드구조체에서발생하는 2차광자가인접한아발란치포토다이오드구조체로이동하는것을차단하되아발란치포토다이오드의리셋(reset)을위한억제저항(quenching resistance)을제공할수 있는, 다크카운터저감및 억제저항통합구조체;를포함한다.