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公开(公告)号：KR20180058976A
公开(公告)日：2018-06-04
申请号：KR20160157998
申请日：2016-11-25
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
IPC: H01L27/108 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/108 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/823418 , H01L27/088 , H01L29/0669 , H01L29/42392
Abstract: 일실시예에따르면, 수직집적다층전면-게이트나노선구조(Vertically integrated multiple gate-all-around nanowire structure) 기반의커패시터리스디램제작방법은기판에복수의나노선들이수직으로집적된수직집적다층나노선채널을형성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널에층간절연막(Interlayer dielectric; ILD)을형성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널중 적어도일부가노출되도록상기층간절연막에홀을생성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널중 노출된적어도일부를감싸며상기홀이채워지도록상기층간절연막상에게이트유전막을형성하는단계; 및상기기판에이온주입을통하여소스-드레인을형성하는단계를포함한다.
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2.发明授权수직 집적 다층 전면-게이트 나노선 채널 기반의 디램 및 플래쉬 메모리의 선택적 동작이 가능한 융합 메모리 및 그 제작 방법 有权基于垂直集成多层前门纳米线沟道的能够选择性操作DRAM和闪存的Fusion存储器及其制造方法
公开(公告)号：KR101859847B1
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：KR1020160159323
申请日：2016-11-28
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/732
CPC classification number: H01L27/1052 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/0669 , H01L29/66666 , H01L29/732 , H01L29/7843
Abstract: 일실시예에따르면, 수직집적다층전면-게이트나노선(Vertically integrated multiple gate-all-around nanowire) 채널기반의융합메모리제작방법은기판에복수의나노선들이수직으로집적된수직집적다층나노선채널을형성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널에층간절연막(Interlayer dielectric; ILD)을형성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널중 적어도일부가노출되도록상기층간절연막에홀을생성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널중 노출된적어도일부를감싸도록질화막을포함하는구조층을형성하는단계; 및상기구조층을감싸며상기홀이채워지도록상기층간절연막상에게이트유전막을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170067509A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：KR1020150174252
申请日：2015-12-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/108 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/02
Abstract: 본발명에따른다중비트커패시터리스디램은기판, 상기기판상에형성된소스및 드레인, 상기기판상에형성된복수의나노와이어채널, 상기복수의나노와이어채널에형성된게이트절연막및 상기게이트절연막상에형성된게이트를포함하고, 상기복수의나노와이어채널중 2개이상의나노와이어채널은서로다른문턱전압을가진다. 이에의하여, 상기구성을가진본 발명에따른커패시터리스디램및 그제조방법에의하면, 다중비트로동작할수 있는고집적도의다중비트커패시터리스디램을구현할수 있다.
Abstract translation: 在根据位无电容器动态随机存取存储器的，本发明在基板上形成，形成在基板上的源极，和漏极，所述栅极绝缘膜和形成在所述多个纳米线沟道的栅极绝缘膜，其特征在于，在基板上形成多个纳米线信道，所述栅极 其中多个纳米线沟道中的至少两个具有不同的阈值电压。 以这种方式，在无电容器动态随机存取存储器及其制造根据具有上述结构的本发明的相同的方法，可以实现多比特操作是高度集成的多比特无电容器DRAM那。
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公开(公告)号：KR101895686B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：KR1020160157998
申请日：2016-11-25
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
IPC: H01L27/108 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/8234
Abstract: 일실시예에따르면, 수직집적다층전면-게이트나노선구조(Vertically integrated multiple gate-all-around nanowire structure) 기반의커패시터리스디램제작방법은기판에복수의나노선들이수직으로집적된수직집적다층나노선채널을형성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널에층간절연막(Interlayer dielectric; ILD)을형성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널중 적어도일부가노출되도록상기층간절연막에홀을생성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널중 노출된적어도일부를감싸며상기홀이채워지도록상기층간절연막상에게이트유전막을형성하는단계; 및상기기판에이온주입을통하여소스-드레인을형성하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101835611B1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020150182736
申请日：2015-12-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/108 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/28
Abstract: 본발명에따른다중비트커패시터리스디램은기판, 기판상에형성된소스및 드레인, 기판상에형성된복수의나노와이어채널, 복수의나노와이어채널에형성된게이트절연막및 게이트절연막상에형성된게이트를포함하고, 복수의나노와이어채널중 2개이상의나노와이어채널은서로다른문턱전압을가지며, 각각의나노와이어채널은, 실리콘층, 실리콘층을둘러싸며형성된제1 에피택셜층및 제1 에피택셜층을둘러싸며형성된제2 에피택셜층을포함한다. 이에의하여, 다중비트로동작할수 있는고집적도의다중비트커패시터리스디램을구현하되, 에너지밴드갭을이용하여초과정공의축적성능을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101823730B1
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR1020150099661
申请日：2015-07-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/02
Abstract: 수용성기판을이용하는메모리는수용성물질로형성되는기판; 상기기판의상부에형성되는하부전극; 상기하부전극의상부에형성되는상부전극; 및상기하부전극및 상기상부전극사이에배치되어, 상기하부전극및 상기상부전극사이에인가되는전계에따라전기적통로가생성또는소멸되는절연막을포함한다.
Abstract translation: 其中该存储器是使用可溶性底物的水溶性材料形成的基板; 形成在基板上的下电极; 形成在下电极上的上电极; 和下电极，并且设置在上部电极，下部电极和所述绝缘膜是按照生产或熄灭所述上部电极之间施加的电场的电通路之间。
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公开(公告)号：KR101835612B1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020150174252
申请日：2015-12-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/108 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/02
Abstract: 본발명에따른다중비트커패시터리스디램은기판, 상기기판상에형성된소스및 드레인, 상기기판상에형성된복수의나노와이어채널, 상기복수의나노와이어채널에형성된게이트절연막및 상기게이트절연막상에형성된게이트를포함하고, 상기복수의나노와이어채널중 2개이상의나노와이어채널은서로다른문턱전압을가진다. 이에의하여, 상기구성을가진본 발명에따른커패시터리스디램및 그제조방법에의하면, 다중비트로동작할수 있는고집적도의다중비트커패시터리스디램을구현할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170104861A
公开(公告)日：2017-09-18
申请号：KR1020160027827
申请日：2016-03-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/02 , H01L51/00 , H01L27/28 , H01L29/772 , H01L21/8238 , H01L29/66 , H01L29/417
Abstract: 3차원구조의탄소나노튜브전계효과트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 본발명의일 실시예에따른탄소나노튜브전계효과트랜지스터는기판; 상기기판상부일부영역에 3차원구조로형성되는구조층; 상기구조층상부에탄소나노튜브(CNT) 네트워크박막이형성되는채널층; 상기채널층상부일부영역에일정간격이격되어형성되는소스전극과드레인전극; 상기채널층상부에형성되는절연층; 및상기절연층상부일부영역에형성되는게이트전극을포함한다.
Abstract translation: 公开了具有三维结构的碳纳米管场效应晶体管及其制造方法。 根据本发明实施例的碳纳米管场效应晶体管包括：衬底; 在基板的上表面的一部分中以三维结构形成的结构层; 其上在该结构层上形成有碳纳米管（CNT）网状薄膜的沟道层; 源电极和漏电极彼此间隔开预定的距离; 形成在沟道层上的绝缘层; 并且在绝缘层的上表面的一部分上形成栅电极。
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公开(公告)号：KR1020170096438A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020160017812
申请日：2016-02-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/324 , G03F7/20 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/0673 , H01L21/0274 , H01L21/26513 , H01L21/3065 , H01L21/31055 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/324 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/786
Abstract: 수직집적전면-게이트다층나노선(vertically integrated gate-all-around multiple nanowire) 채널기반의무접합트랜지스터제작방법은복수의나노선들이수직으로집적된수직집적다층나노선채널을형성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널에층간절연막(interlayer dielectric; ILD)을형성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널중 적어도일부가노출되도록상기층간절연막에홀을생성하는단계; 및상기홀이채워지도록상기층간절연막상에게이트유전막을형성하는단계를포함하고, 상기홀이채워지도록상기층간절연막상에게이트유전막을형성하는단계는상기홀을통하여노출된상기수직집적다층나노선채널중 적어도일부를감싸도록상기층간절연막상에게이트유전막을증착하는단계를포함한다.
Abstract translation: 垂直集成前栅极或多层线（垂直集成栅全能多个纳米线）信道基于占空比结型晶体管的制造方法，包括以下步骤：形成一个垂直整合的多层纳米线沟道多个纳米线的垂直集成; 在垂直集成的多层纳米线沟道上形成层间电介质（ILD）; 在层间电介质中形成孔以暴露垂直集成多层纳米线沟道的至少一部分; 和步骤包括形成空穴到层间绝缘层和栅极电介质膜的工序中填充到形成在层间绝缘膜以填充膜的栅极电介质的孔具有所述垂直集合多层纳米线通过该孔暴露 并且在层间电介质上沉积栅极电介质膜以围绕沟道的至少一部分。
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